很多人在做發(fā)射鏈路設(shè)計(jì)的時(shí)候，對(duì)于發(fā)射鏈路的每個(gè)模塊的貢獻(xiàn)率不知道如何計(jì)算，例如相位噪聲、功放的p-1如何選擇，每個(gè)模塊具體有多大的影響。對(duì)于EVM每一路的設(shè)計(jì)規(guī)劃和功放的EVM惡化很難做評(píng)估。

EVM根據(jù)公式計(jì)算，是一個(gè)累計(jì)的量，相位噪聲，濾波器，功放都會(huì)對(duì)EVM產(chǎn)生累計(jì)影響。 ? 今天利用模型進(jìn)行輸入信號(hào)、功放、相位噪聲進(jìn)行發(fā)射系統(tǒng)的EVM累計(jì)評(píng)估。 模型可以根據(jù)輸入信號(hào)的參數(shù)及功放的線(xiàn)性系數(shù)進(jìn)行仿真，比如輸入信號(hào)可以設(shè)置略微16-QAM，SNR設(shè)置為40dB。功放的IIP3可以根據(jù)自己的功放設(shè)置，我這里設(shè)置是45dBm。相位噪聲我設(shè)置的是偏10kHz,相位噪聲為-85dBm/Hz 功放的線(xiàn)性模型可以根據(jù)寬窄帶設(shè)置，例如窄帶用無(wú)記憶模型。寬帶用記憶模型。（DPD仿真的重要模型）。

1. 先看16QAM，SNR=40 ，功放IIP3為40dBm.

fs = 1000; %調(diào)制階數(shù) M = 16; snrdB = 40; refConst = qammod(0:M-1,M,'UnitAveragePower',true); data = randi([0 M-1],1000,1); %調(diào)制模型 modSig = qammod(data,M,'UnitAveragePower',true); noisySig = awgn(modSig,snrdB); amp = comm.MemorylessNonlinearity('IIP3',45,'AMPMConversion',0); pnoise = comm.PhaseNoise('Level',-85,'FrequencyOffset',10000,'SampleRate',fs);

evmRMS = ? 4.7861 ? ? snrEst = ? 26.3232

1. 改變變量，相位噪聲惡化，偏10KHZ,相位噪聲惡化到-70dBm/HZ

星座圖已經(jīng)無(wú)法識(shí)別。 evmRMS = ? 14.0960 ? ? snrEst = ? 17.0216

1. 改變輸入信號(hào)的峰均比，改為64QAM

evmRMS = ? 5.3279 ? ? snrEst = ? 25.4539

1. 改變功放線(xiàn)性輸出，IIP3為40dBm。

evmRMS = ? 13.8105 ? ? snrEst = ? 17.0653 EVM惡化，16QAM可識(shí)別。 總結(jié) 通過(guò)仿真，可以計(jì)算出，每個(gè)模塊對(duì)整體EVM的貢獻(xiàn)值。

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