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國(guó)芯思辰| 國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC在多規(guī)程分選儀運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中應(yīng)用

國(guó)芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-07-10 10:01 ? 次閱讀
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生物樣品分選儀是應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室或醫(yī)療機(jī)構(gòu)的一種智能型分選工具,此生物樣品分選儀器具有多規(guī)程的特點(diǎn),可以由外接計(jì)算機(jī)在專(zhuān)用軟件中創(chuàng)建、修改或刪除規(guī)程,再通過(guò)串口通信數(shù)據(jù)線將規(guī)程數(shù)據(jù)下載至與之相連的儀器中,同時(shí),外接計(jì)算機(jī)亦可通過(guò)串口通信數(shù)據(jù)線將儀器中的規(guī)程讀出及刪除。在規(guī)程存儲(chǔ)中,需要采用目前比較先進(jìn)的非易失性鐵電存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)規(guī)程數(shù)據(jù)。

本文介紹了國(guó)產(chǎn)舜銘存儲(chǔ)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器(FRAM),它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨機(jī)存取記憶體和非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品的特性。這種存儲(chǔ)器具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和優(yōu)點(diǎn),它兼有E2PROM的數(shù)據(jù)非易失性和低功耗 SRAM的靈活性。由于它的特殊存儲(chǔ)介質(zhì),導(dǎo)致其具有較高的讀寫(xiě)速度,擦寫(xiě)入次數(shù)多和低功耗等優(yōu)良特性,在很多應(yīng)用領(lǐng)域可以取代其他非失易性存儲(chǔ)器E2PROM、FLASH、NOVRAM等, 有非常廣闊的發(fā)展前景。

PB85RS2MC--SOP8.jpg

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC簡(jiǎn)介:

PB85RS2MC配置為262,144×8位,該存儲(chǔ)器不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù),具有讀寫(xiě)速度快(最高100萬(wàn)次)、寫(xiě)入壽命長(zhǎng)、寫(xiě)入耗能小等優(yōu)點(diǎn)。PB85RS2MC為國(guó)產(chǎn),能夠完美替代MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯),且有一定的價(jià)格優(yōu)勢(shì)。

PB85RS2MC在多規(guī)程分選儀中的電路設(shè)計(jì)

分選儀運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),是用一片微控制器作為整個(gè)系統(tǒng)的控制核心,用來(lái)控制液晶顯示、按鍵輸入、步進(jìn)電機(jī)細(xì)分驅(qū)動(dòng)等;微控制器通過(guò)串行通信電路與PC機(jī)進(jìn)行通信,將通信數(shù)據(jù)保存在非易失性鐵電存儲(chǔ)器中。

拍字節(jié)2M.png

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC性能特征:

?容量:2M bit,接口類(lèi)型:SPI接口(模式0和模式3)

?工作電壓:2.7伏至3.6伏,工作頻率:25兆赫茲

?功耗:4.8毫安(25兆赫茲),待機(jī)功耗9微安

?高速讀特性:支持40MHz高速讀命令

?工作環(huán)境溫度范圍:-40℃至85℃

?封裝形式:8引腳SOP寬體208mil封裝,符合RoHS

舜銘存儲(chǔ)引腳對(duì)比賽普拉斯.png

結(jié)語(yǔ):PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器既具有RAM的快速寫(xiě)入特性,又具有 ROM的非易失性,因此,比現(xiàn)階段廣泛使 用的E2PROM、ISPFLASH及鋰電池不揮發(fā)NVSRAM更具有優(yōu)勢(shì),同時(shí)該器件以其相對(duì)低廉的價(jià)格及更高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性成為NVSRAM的理想替代產(chǎn)品,該類(lèi)型存儲(chǔ)器在高可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域會(huì)獲得越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

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