氮化鎵（GaN）是直接寬帶隙半導體材料，屬于第3代半導體。相較于硅、砷化鎵等，GaN的禁帶寬度更大、擊穿電場強度更高，具有更高的電子飽和度和漂移速率、更強的抗輻照能力以及較強的化學穩(wěn)定性。其在可見光和紅外光背景下的紫外光探測具有極大的優(yōu)勢，因而在紫外探測、生物化學探測方面都獲得了廣泛應(yīng)用。

來源：全球半導體觀察 、《新材料產(chǎn)業(yè)》

編輯：感知芯視界

韓媒報道稱，三星電子即將進軍氮化鎵 （GaN）市場，將在2025年起，為消費級、資料中心和汽車應(yīng)用提供8寸氮化鎵晶圓代工服務(wù)。

氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等優(yōu)勢，可以滿足各種應(yīng)用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求。當前，氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)不再局限于快充等消費電子市場，而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車市場持續(xù)推進。

市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導體市場分析報告 - Part1》顯示，到2026年，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到13.3億美金，復合增長率高達65%。

面對強大的市場需求，眾多半導體廠商開始擴充生產(chǎn)線，布局氮化鎵市場。

國內(nèi)企業(yè)如三安光電、華潤微、英諾賽科、賽微電子、珠海鎵未來等廠商也在馬不停蹄地加速布局氮化鎵并推進產(chǎn)品落地和商用。

從市場競爭格局看，集邦咨詢以GaN功率元件業(yè)務(wù)營收觀察顯示，2022年P(guān)ower integrations以20%的市占率排名第一，其次為Navitas（17%）、英諾賽科（16%）、EPC（15%）、GaN Systems（12%）、Transphorm（9%）等。

目前，GaN制備工藝較為成熟，已經(jīng)能夠利用GaN制造出結(jié)構(gòu)復雜的器件。GaN材料制造的傳感器相較其他材料傳感器也表現(xiàn)出更加優(yōu)秀的性質(zhì)，因而在紫外探測、生物化學探測方面都獲得了廣泛應(yīng)用。

就紫外探測領(lǐng)域來說，目前使用的許多雷達，尤其是采用有源相控陣列天線的雷達，在其結(jié)構(gòu)中都使用了GaN材料?？茖W家現(xiàn)在已經(jīng)把GaN視為未來雷達設(shè)計制造的奇跡材料。

在海洋探測上，早在2008年，上海技術(shù)物理所自行研發(fā)了GaN基線陣列器件，并推出256x1元GaN基可見盲區(qū)便攜式紫外GaN線列探測器，對海面進行紫外實景拍攝用于海洋溢油的監(jiān)測。

就紅外檢測而言，相比傳統(tǒng)光學紅外探測器，GaN微機械諧振紅外探測器具有更高的信噪比、更寬的頻率帶寬，并且不需要冷卻，可以更好地在室溫和高溫下工作。

而針對壓力傳感器，目前，利用GaN的耐高溫、耐腐蝕、抗輻射性質(zhì)，已經(jīng)制造出了應(yīng)用于宇宙飛船上的GaN/AIGaN基壓力傳感器。

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審核編輯 黃宇