聚焦高性能模擬芯片與嵌入式處理器

聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導體設計公司——思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動——TPM2351x系列, 因其突出的產(chǎn)品優(yōu)勢，可廣泛應用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驅(qū)動中。

TPM2351x產(chǎn)品特點

兼容光耦輸入的單通道隔離柵極驅(qū)動

可輸出 4.5A 峰值拉電流、5A 峰值灌電流

40V輸出供電電壓

輸入級具有6V反極性電壓處理能力

70ns傳輸延遲

25ns器件間延遲匹配

35ns脈寬失真度

5kVRMS增強型隔離等級

±150kV/μs（最小值）共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)

WSOP寬體封裝

工作溫度：-40℃ to +125℃

TPM2351x產(chǎn)品優(yōu)勢

CMTI 最小值 ±150kV/μs

共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）是隔離型柵極驅(qū)動器在較高開關(guān)頻率下工作時需要考慮的一個重要參數(shù)。對原副邊隔離的柵極驅(qū)動器來說，高噪聲瞬變會導致柵極驅(qū)動器失去信號完整性，或者“毛刺”，從而導致系統(tǒng)調(diào)制失敗;或者更糟的是，生成一個偽信號，其可能觸發(fā)兩個功率MOSFET同時接通，從而引發(fā)危險的電氣短路情況。高瞬變也可能造成柵極驅(qū)動器進入一種永久的閂鎖狀態(tài)，這也會引發(fā)危險情況。隔離柵極驅(qū)動器的設計必須能夠承受這些噪聲瞬變，同時不會造成毛刺或閂鎖。

思瑞浦TPM2351x系列產(chǎn)品能夠承受超過±150kV/μs（最小值）共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)，因此可以廣泛用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驅(qū)動中。下圖展示了在±160kV/μs的CMT下TPM2351X的輸出波形，可見輸出未受原副邊高瞬變干擾的影響。

下降沿CMT=160V/ns

上升沿CMT=160V/ns

內(nèi)置米勒鉗位功能（TPM23514M）

在半橋電路中，串擾現(xiàn)象是研究熱點之一。例如，若上管處于關(guān)斷狀態(tài)，當下管開通暫態(tài)過程中，上管柵漏電容Cgd兩端的電壓階躍引入了位移電流igd，流過柵極電阻，造成驅(qū)動電壓正向尖峰，可能超過開通閾值電壓，導致器件的誤開通，增加開關(guān)損耗甚至導致直流側(cè)母線短路。

TPM23514M提供內(nèi)置米勒鉗位功能，在高速開關(guān)下能有效減小功率器件誤導通的風險。下圖利用雙脈沖實驗對比了采用米勒鉗位前后功率器件柵源電壓Vgs的波形。未采用米勒鉗位前，在下管開通暫態(tài)中，上管Vgs的電壓變化量ΔV達到5V；在采用米勒鉗位后，電壓變化量ΔV減小到2V，大大降低了上管誤導通的風險。

不帶米勒鉗位功能下雙脈沖測試

帶米勒鉗位功能下雙脈沖測試

TPM2351x產(chǎn)品典型應用

TPM2351x系列驅(qū)動芯片支持雙極電源供電，能有效驅(qū)動SiC MOSFET、IGBT等功率器件。此外，TPM23514M提供內(nèi)置米勒鉗位功能，在高速開關(guān)下能有效減小功率器件誤導通的風險。

TPM23513 典型應用

TPM23514M 典型應用

TPM2351x系列產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)出貨。

關(guān)于思瑞浦

思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司（英文：3PEAK INCORPORATED，股票代碼：688536），公司始終堅持研發(fā)高性能、高質(zhì)量和高可靠性的集成電路產(chǎn)品，包括信號鏈模擬芯片、電源管理模擬芯片和數(shù)?；旌夏M前端，并逐漸融合嵌入式處理器， 為客戶提供全方面的解決方案。其應用范圍涵蓋信息通訊、工業(yè)控制、新能源和汽車、醫(yī)療健康等眾多領域。

審核編輯：湯梓紅