飛速發(fā)展的HBM仍面臨著一些挑戰(zhàn)。

高帶寬內(nèi)存 (HBM) 正在成為超大規(guī)模廠商的首選內(nèi)存，但其在主流市場的最終命運(yùn)仍存在疑問。雖然它在數(shù)據(jù)中心中已經(jīng)很成熟，并且由于人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)的需求而使用量不斷增長，但其基本設(shè)計(jì)固有的缺陷阻礙了更廣泛的采用。一方面，HBM提供緊湊的 2.5D 外形尺寸，可大幅減少延遲。

Rambus產(chǎn)品營銷高級總監(jiān)Frank Ferro在本周的 Rambus 設(shè)計(jì)峰會上的演講中表示：“HBM 的優(yōu)點(diǎn)在于，您可以在很小的占地面積內(nèi)獲得所有這些帶寬，而且還可以獲得非常好的能效?！?/p>

缺點(diǎn)是它依賴昂貴的硅中介層和 TSV 來運(yùn)行。

圖 1：實(shí)現(xiàn)最大數(shù)據(jù)吞吐量的 HBM 堆棧。來源：Rambus

CadenceIP 團(tuán)隊(duì)產(chǎn)品營銷總監(jiān) Marc Greenberg 表示：“目前困擾高帶寬內(nèi)存的問題之一是成本?！??！叭S堆疊的成本很高。在堆疊芯片的底部有一個(gè)邏輯芯片，這是需要額外付出的硅片。然后是硅中介層，它位于 CPU 或 GPU 以及 HBM 存儲器的下方。這些都需要成本。然后，你需要更大的封裝等等。這些系統(tǒng)成本使 HBM 現(xiàn)在已經(jīng)脫離了消費(fèi)領(lǐng)域，而更多地應(yīng)用于服務(wù)器機(jī)房或數(shù)據(jù)中心。相比之下，GDDR6等顯存雖然性能不如 HBM，但成本卻低得多。實(shí)際上，GDDR6的單位成本性能比 HBM 好得多，但 GDDR6 設(shè)備的最大帶寬卻比不上 HBM 的最大帶寬。"

Greenberg表示，這些差異為公司選擇 HBM 提供了理由，即使HBM可能不是他們的第一選擇?！癏BM 提供了大量的帶寬，并且點(diǎn)對點(diǎn)傳輸?shù)哪芰繕O低。使用 HBM 是因?yàn)楸仨氝@樣做，沒有其他解決方案可以提供相同的帶寬或相同的功率配置文件?！?/p>

HBM 只會變得越來越快。“我們預(yù)計(jì) HBM3 Gen3 的帶寬將提高 50%，”美光計(jì)算產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理 Praveen Vaidyanathan 說道?！皬拿拦獾慕嵌葋砜矗覀冾A(yù)計(jì) HBM3 Gen2 產(chǎn)品將在 2024 財(cái)年期間實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。我們預(yù)計(jì)， 2024年年初將開始為預(yù)期的數(shù)億美元收入機(jī)會做出貢獻(xiàn)。此外，我們預(yù)測美光的 HBM3 將貢獻(xiàn)比 DRAM 更高的利潤?！?/p>

盡管如此，經(jīng)濟(jì)因素可能會迫使許多設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)考慮價(jià)格敏感應(yīng)用的替代方案。

他指出："如果可以將問題細(xì)分為更小的部分，可能會發(fā)現(xiàn)HBM更具成本效益。例如，當(dāng)必須在一個(gè)硬件上執(zhí)行所有這些操作，而且必須在那里擁有 HBM，也許可以將其分成兩部分，讓兩個(gè)進(jìn)程并行運(yùn)行，也許連接到 DDR6。如果能將問題細(xì)分為更小的部分，就有可能以更低的成本完成相同的計(jì)算量。但是，如果你需要巨大的帶寬，如果你能承受成本，那么 HBM 就是你的最佳選擇。”

散熱挑戰(zhàn)

另一個(gè)主要缺點(diǎn)是 HBM 的 2.5D 結(jié)構(gòu)會產(chǎn)生熱量，而靠近 CPU 和 GPU 的布局又會加劇這種情況。事實(shí)上，當(dāng)前的布局就不太合理，因?yàn)楫?dāng)前的布局是將 HBM 及其堆疊的熱敏 DRAM 放在計(jì)算密集型熱源附近。

“最大的挑戰(zhàn)是熱量，”Greenberg說。"一個(gè) CPU會產(chǎn)生大量的數(shù)據(jù)。每秒要通過這個(gè)接口傳輸太比特的數(shù)據(jù)。即使每筆數(shù)據(jù)交換只產(chǎn)生少量的微焦耳，每秒也要處理十億次，因此 CPU 的溫度非常高。而且，CPU 的工作不僅僅是轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)，它還必須進(jìn)行計(jì)算。除此之外，最不耐熱的半導(dǎo)體元件是 DRAM。它在 85°C 左右開始遺失數(shù)據(jù)，而在 125°C 左右就會完全無法存儲。”

有一點(diǎn)值得慶幸?！皳碛?2.5D 堆棧的優(yōu)點(diǎn)是，CPU 很熱，而 HBM 位于 CPU 旁邊，因此喜歡冷，之間有一定的物理隔離，”他說。

在延遲和熱量之間的權(quán)衡中，延遲是不可變的。“我沒有看到任何人愿意放棄優(yōu)化延遲，”Synopsys 內(nèi)存接口 IP 解決方案產(chǎn)品線總監(jiān) Brett Murdock說道?！拔铱吹剿麄兺苿?dòng)物理團(tuán)隊(duì)尋找更好的冷卻方式，或者更好的放置方式，以保持較低的延遲?！?/p>

考慮到這一挑戰(zhàn)，多物理場建?？梢蕴岢鰷p少熱問題的方法，但會產(chǎn)生相關(guān)成本。“這就是物理學(xué)變得非常困難的地方，” Ansys產(chǎn)品經(jīng)理 Marc Swinnen 說?！肮β士赡苁羌伤軐?shí)現(xiàn)的最大限制因素。任何人都可以設(shè)計(jì)一堆芯片并將它們?nèi)窟B接起來，所有這些都可以完美工作，但無法冷卻它。散發(fā)熱量是可實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的根本限制?！?/p>

潛在的緩解措施可能很快就會變得昂貴，從微流體通道到浸入非導(dǎo)電液體，再到確定散熱器上需要多少個(gè)風(fēng)扇，以及是否使用銅或鋁。

可能永遠(yuǎn)不會有完美的答案，但模型和對期望結(jié)果的清晰理解可以幫助創(chuàng)建合理的解決方案?！氨仨毝x最佳對你來說意味著什么，”Swinnen說?！澳阆胍詈玫臒崃繂?？最好的成本？兩者之間的最佳平衡？你將如何衡量它們？答案依賴于模型來了解物理學(xué)中實(shí)際發(fā)生的情況。它依靠人工智能來處理這種復(fù)雜性并創(chuàng)建元模型來捕捉這個(gè)特定優(yōu)化問題的本質(zhì)，并快速探索這個(gè)廣闊的空間?！?/p>

HBM 和 AI

雖然計(jì)算是AI/ML最密集的部分，但如果沒有良好的內(nèi)存架構(gòu)，這一切都無法實(shí)現(xiàn)。存儲和檢索萬億次計(jì)算需要內(nèi)存。事實(shí)上，增加 CPU 并不能提高系統(tǒng)性能，因?yàn)閮?nèi)存帶寬不足以支持這些 CPU。這就是臭名昭著的 "內(nèi)存墻 "瓶頸。

Quadric首席營銷官 SteveRoddy 表示，從最廣泛的定義來看，機(jī)器學(xué)習(xí)只是曲線擬合?！霸谟?xùn)練運(yùn)行的每次迭代中，你都在努力越來越接近曲線的最佳擬合。這是一個(gè) X,Y 圖，就像高中幾何一樣。大型語言模型基本上是同一件事，但是是 100 億維，而不是 2 維?！?/p>

因此，計(jì)算相對簡單，但內(nèi)存架構(gòu)可能令人難以置信。

Roddy 解釋說：“其中一些模型擁有 1000 億字節(jié)的數(shù)據(jù)，對于每次重新訓(xùn)練迭代，都必須通過數(shù)據(jù)中心的背板從磁盤上取出1000 億字節(jié)的數(shù)據(jù)并放入計(jì)算箱中。在兩個(gè)月的訓(xùn)練過程中，你必須將這組巨大的內(nèi)存值來回移動(dòng)數(shù)百萬次。限制因素是數(shù)據(jù)的移入和移出，這就是為什么人們對 HBM 或光學(xué)互連等從內(nèi)存?zhèn)鬏數(shù)接?jì)算結(jié)構(gòu)的東西感興趣。所有這些都是人們投入數(shù)十億美元風(fēng)險(xiǎn)投資的地方，因?yàn)槿绻芸s短距離或時(shí)間，就可以大大簡化和縮短訓(xùn)練過程，無論是切斷電源還是加快訓(xùn)練速度。”

出于所有這些原因，高帶寬內(nèi)存被認(rèn)為是 AI/ML 的首選內(nèi)存?！八峁┝四承┯?xùn)練算法所需的最大帶寬，”Rambus 的 Ferro 說?！皬哪憧梢該碛卸鄠€(gè)內(nèi)存堆棧的角度來看，它是可配置的，這為你提供了非常高的帶寬?！?/p>

這就是人們對 HBM 如此感興趣的原因?！拔覀兊拇蠖鄶?shù)客戶都是人工智能客戶，”Synopsys 的默多克說。“他們正在 LPDDR5X 接口和HBM 接口之間進(jìn)行一項(xiàng)重大的基本權(quán)衡。唯一阻礙他們的是成本。”然而，人工智能的需求如此之高，以至于 HBM 減少延遲的前沿特征突然顯得過時(shí)且不足。這反過來又推動(dòng)了下一代 HBM 的發(fā)展。

“延遲正在成為一個(gè)真正的問題，”Ferro說?！霸?HBM 的前兩代中，我沒有聽到任何人抱怨延遲?，F(xiàn)在我們一直收到有關(guān)延遲的問題。”Ferro 建議，鑒于當(dāng)前的限制，了解數(shù)據(jù)尤為重要?！八赡苁沁B續(xù)的數(shù)據(jù)，例如視頻或語音識別。它可能是事務(wù)性的，就像財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)一樣，可能非常隨機(jī)。如果知道數(shù)據(jù)是隨機(jī)的，那么設(shè)置內(nèi)存接口的方式將與流式傳輸視頻不同。這些是基本問題，但也有更深層次的問題。我要在存儲中使用的字長是多少？內(nèi)存的塊大小是多少？對此了解得越多，設(shè)計(jì)系統(tǒng)的效率就越高。如果了解它，那么就可以定制處理器以最大限度地提高計(jì)算能力和內(nèi)存帶寬。我們看到越來越多的 ASIC 式 SoC 正在瞄準(zhǔn)特定市場細(xì)分市場，以實(shí)現(xiàn)更高效的處理?！?/p>

降低成本

如果經(jīng)典的 HBM 實(shí)現(xiàn)是使用硅中介層，那么就有希望找到成本更低的解決方案?！斑€有一些方法可以在標(biāo)準(zhǔn)封裝中嵌入一小塊硅，這樣就沒有一個(gè)完整的硅中介層延伸到所有東西下面，”格林伯格說?！癈PU 和 HBM 之間只有一座橋梁。此外，在標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù)上允許更細(xì)的引腳間距也取得了進(jìn)展，這將顯著降低成本。還有一些專有的解決方案，人們試圖通過高速 SerDes 類型連接來連接存儲器，沿著 UCIE 的路線，并可能通過這些連接來連接存儲器。目前，這些解決方案是專有的，但我希望它們能夠標(biāo)準(zhǔn)化。”

Greenberg表示，可能存在平行的發(fā)展軌跡：“硅中介層確實(shí)提供了盡可能細(xì)的引腳間距或線間距——基本上是用最少的能量實(shí)現(xiàn)最大的帶寬——所以硅中介層將永遠(yuǎn)存在。但如果一個(gè)行業(yè)能夠聚集在一起并決定一個(gè)適用于標(biāo)準(zhǔn)封裝的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，那么就有可能提供類似的帶寬，但成本卻要低得多?！?/p>

人們正在不斷嘗試降低下一代的成本?！芭_積電已宣布他們擁有三種不同類型的中介層，”Ferro 說?！八麄冇幸粋€(gè) RDL 中介層，他們有硅中介層，他們有一些看起來有點(diǎn)像兩者的混合體。還有其他技術(shù)，例如如何完全擺脫中介層?？赡軙诮酉聛淼?12 或 18 個(gè)月內(nèi)看到一些如何在頂部堆疊 3D 內(nèi)存的原型，理論上可以擺脫中介層?！?/p>

解決該問題的另一種方法是使用較便宜的材料?！罢谘芯糠浅＜?xì)間距的有機(jī)材料，以及它們是否足夠小以處理所有這些痕跡，”Ferro說?！按送猓琔CIe是通過更標(biāo)準(zhǔn)的材料連接芯片的另一種方式，以節(jié)省成本。但同樣，仍然必須解決通過這些基材的數(shù)千條痕跡的問題。”

Murdock希望通過規(guī)模經(jīng)濟(jì)來削減成本?！半S著 HBM 越來越受歡迎，成本方面將有所緩解。HBM 與任何 DRAM 一樣，歸根結(jié)底都是一個(gè)商品市場。在中介層方面，我認(rèn)為下降速度不會那么快。這仍然是一個(gè)需要克服的挑戰(zhàn)。”

但原材料成本并不是唯一的考慮因素?！斑@還取決于 SoC 需要多少帶寬，以及電路板空間等其他成本，”Murdock 說。“對于那些想要高速接口并需要大量帶寬的人來說，LPDDR5X 是一種非常受歡迎的替代方案，但與 HBM 堆棧的通道數(shù)量相匹配所需的 LPDDR5X 通道數(shù)量相當(dāng)大。雖然有大量的設(shè)備成本和電路板空間成本，這些成本可能令人望而卻步。僅就美元而言，也可能是一些物理限制促使人們轉(zhuǎn)向 HBM，盡管從美元角度來看它更昂貴。”

其他人對未來成本削減則不太確定。Objective Analysis 首席分析師 Jim Handy 表示：“降低HBM 成本將是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。由于將 TSV 放置在晶圓上的成本很高，因此加工成本已經(jīng)明顯高于標(biāo)準(zhǔn) DRAM。這使得它無法擁有像標(biāo)準(zhǔn) DRAM 一樣大的市場。由于市場較小，規(guī)模經(jīng)濟(jì)導(dǎo)致成本在一個(gè)自給自足的過程中更高。體積越小，成本越高，但成本越高，使用的體積就越少。沒有簡單的方法可以解決這個(gè)問題。”

盡管如此，Handy 對 HBM 的未來持樂觀態(tài)度，并指出與 SRAM 相比，它仍然表現(xiàn)出色?！癏BM 已經(jīng)是一個(gè)成熟的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，”他說?！斑@是一種獨(dú)特的 DRAM 技術(shù)形式，能夠以比 SRAM 低得多的成本提供極高的帶寬。它還可以通過封裝提供比 SRAM 更高的密度。它會隨著時(shí)間的推移而改進(jìn)，就像 DRAM 一樣。隨著接口的成熟，預(yù)計(jì)會看到更多巧妙的技巧來提高其速度?！?/p>

事實(shí)上，盡管面臨所有挑戰(zhàn)，HBM 還是有理由保持樂觀?！皹?biāo)準(zhǔn)正在迅速發(fā)展，” Ferro補(bǔ)充道?！叭绻憧纯?HBM 如今的發(fā)展，會發(fā)現(xiàn)它大約以兩年為間隔，這確實(shí)是一個(gè)驚人的速度。”

審核編輯：劉清