在我理想的數(shù)字世界中，也是我經(jīng)常夢(mèng)想的，就是信號(hào)電壓裕量總是正的，信號(hào)時(shí)序裕量總是正的，電源電壓總是在工作電壓范圍內(nèi)，芯片的工作環(huán)境是完全良性的。

作者：Graeme Clark，Jackie Chen

不幸的是，我們沒(méi)有人生活在這個(gè)理想的世界里，無(wú)論我多么想?，F(xiàn)實(shí)世界是嘈雜的和讓人不愉快的，我們?cè)O(shè)計(jì)中的供電從來(lái)都不是完美的。電源電壓可能降至正常工作電壓范圍以下，從而導(dǎo)致系統(tǒng)故障；開(kāi)關(guān)瞬變會(huì)產(chǎn)生噪聲并降低信號(hào)裕量；阻抗不連續(xù)性會(huì)使信號(hào)失真，從而降低信號(hào)裕量等等。

圖1

更糟糕的是，因?yàn)閼?yīng)對(duì)靜電放電，雷電浪涌導(dǎo)致的系統(tǒng)中斷或破壞，我們還把來(lái)自?xún)?nèi)部和外部源的噪聲進(jìn)行了輻射或傳導(dǎo)，同時(shí)熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力和組件老化等等都可能導(dǎo)致系統(tǒng)故障。在這個(gè)簡(jiǎn)短的系列博客中，我想看看其中的一些問(wèn)題，以及我們可以應(yīng)用于設(shè)計(jì)的一些措施，以消除或至少最小化其中一些問(wèn)題。

在本篇文章中，我想看看一些典型的噪音源。此處表格顯示了電磁兼容性（EMC）的兩種類(lèi)型。EMC被定義為電子設(shè)備在其預(yù)期的電磁環(huán)境中正常運(yùn)行的能力。

EMC包括兩種不同的類(lèi)型：EMI（電磁干擾）以及EMS（電磁耐受性）。EMI通常被稱(chēng)為輻射噪聲，是指設(shè)備本身在執(zhí)行正常功能的過(guò)程中所產(chǎn)生不利于其它系統(tǒng)的電磁噪聲，而EMS被稱(chēng)為噪聲敏感性，是指設(shè)備在執(zhí)行應(yīng)有功能的過(guò)程中不受周?chē)姶怒h(huán)境影響的能力。

在下表中，您可以看到不同類(lèi)型的EMC及其引起的典型現(xiàn)象。第三列列出了一些可能受到EMI和EMS影響的典型產(chǎn)品，導(dǎo)致操作干擾或系統(tǒng)損壞。此列表只是做了一些簡(jiǎn)單舉例，目的是為了顯示一些典型案例。

圖2

25年前，像瑞薩H8系列這樣的產(chǎn)品，采用的是當(dāng)時(shí)相當(dāng)先進(jìn)的工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)，使用1.0μm甚至0.8μm CMOS技術(shù)。但今天的產(chǎn)品采用了先進(jìn)得多的工藝技術(shù)，像我們RA微控制器系列中的最新產(chǎn)品采用的是40納米技術(shù)，線寬比以前使用的H8小25倍。

隨著最新器件中的晶體管尺寸變小，更重要的是，晶體管開(kāi)關(guān)頻率變快，噪聲成為導(dǎo)致器件故障的一個(gè)日益增加的因素。

圖3

在上圖中，您可以看到使用新舊技術(shù)的器件之間的簡(jiǎn)化比較，上半部分顯示的是溝道長(zhǎng)度為1μm的晶體管操作，該器件通常以當(dāng)時(shí)的8 MHz快速時(shí)鐘工作，晶體管開(kāi)關(guān)速度較慢，信號(hào)寬度遠(yuǎn)比噪聲寬度要寬，而下半部分為晶體管溝道長(zhǎng)度為40nm的新器件，工作頻率高達(dá)200 MHz或更高，這樣在同樣的噪聲條件下，區(qū)分噪聲與有效信號(hào)就會(huì)變得更困難。同時(shí)在這種情況下，你可以看到切換時(shí)間要快得多，對(duì)于最新的設(shè)備，我們?cè)噲D處理的信號(hào)可能比噪聲信號(hào)快。因此，當(dāng)我們轉(zhuǎn)向更小的工藝制程時(shí)，噪聲將成為一個(gè)更大的問(wèn)題。瑞薩在芯片設(shè)計(jì)上采取了許多相對(duì)應(yīng)的措施，設(shè)計(jì)了有助于在這種環(huán)境下工作的功能，比如精心設(shè)計(jì)的電源電路，優(yōu)化的I/O緩沖器以及專(zhuān)業(yè)的保護(hù)電路等。但盡可能地在應(yīng)用設(shè)計(jì)中減少這些噪聲仍然非常重要，因?yàn)槿绻肼曌詈筮M(jìn)入設(shè)備，都是很難消除的。

在本系列的下一篇文章中，我們將更詳細(xì)地介紹一些典型的噪聲源。

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未完待續(xù)