對碳基化石燃料的日益依賴可能會對全球環(huán)境造成不可逆轉的損害?；跓o污染光伏發(fā)電技術的結晶硅有望在從碳到硅的發(fā)電轉型中發(fā)揮主導作用。由于硅晶片幾乎占光伏轉換成本的50%，因此較薄的晶片在降低生產成本方面非常有效。因此，迫切需要開發(fā)用于更薄硅晶片的替代器件配置和處理方法。硅片要經過清洗工藝、減薄工藝、織構化工藝和部分透明化工藝。在這項工作中，通過硅的光學傳輸被研究為晶片厚度的函數(shù)。為了提高性能，使用定制設計的后紅外（IR）透射測量系統(tǒng)測量了表面形態(tài)、光學性能和帶隙附近的光學透射。具有紋理表面的硅晶片比切割后的平面硅晶片具有更多的光吸收。

由于碳的消耗，燃料使用量的增加導致了環(huán)境的惡化。太陽能發(fā)電（PV）是一種新的發(fā)電技術，它將成為主要的能源，而能源的變化將是由太陽能引起的。一般情況下，太陽能發(fā)電的發(fā)電效率為50%，通過提高發(fā)電效率來提高效率。。因此，必須在現(xiàn)有的基礎上，對水資源管理系統(tǒng)的配置進行變更?？沙掷m(xù)發(fā)展必須通過發(fā)展進程、提高進程、技術進程和技術分離進程來實現(xiàn)。這是一個關于硅和光學材料的問題。通過采用紅外輻射防護系統(tǒng)，提高防護等級、防護等級和防護等級。

自過去十年以來，基于硅片的光伏模塊產量增長了30%以上。通常，硅的成本幾乎占光伏面板的50%。從歷史上看，降低成本的途徑已經通過更薄襯底形式的Si的經濟使用而實現(xiàn)；目前的硅晶片在150–200 m厚。硅光伏技術幾乎是基于單面太陽能電池的專有技術，其中光從前表面入射，背面完全金屬化。雙面太陽能電池是一種新興的太陽能電池配置，其中前表面和后表面上的電網圖案相同。這種設備配置有可能通過捕捉來自后表面的散射光產生比單面太陽能電池更多的功率。雙面太陽能電池中具有挑戰(zhàn)性的問題是確保在復合之前，在背面附近吸收的光生電子空穴對被正面發(fā)射器收集。該實驗可以通過使用適當?shù)谋砻婕y理方法來完成，可以增強光捕獲并吸收后紅外（NIR）。文獻中廣泛研究了具有不同表面形態(tài)和背面反射器的各種不同雙面配置的光學特性。盡管晶片厚度的減小轉化為較小的復合損耗和較大的開路電壓；吸收也減少了。

在70–80℃的溫度下，預計時間為1小時45分鐘。接下來，將測量IR傳輸數(shù)據。圖2（b）顯示了使用比例為1:10的HF:HNO3進行蝕刻的過程。然后，將Si wafertextured浸入比例為1:10的HF∶HNO3溶液中1小時45分鐘。然后，對晶片進行漂洗并用氮氣干燥。紅外透射數(shù)據記錄在（600–1200）nm波長和25 nm亞波長之間。圖2（c）顯示了在200μm厚度的硅片上進行膏狀黑色蝕刻表面（BES）膏狀工藝的工藝流程。接下來，對Si晶片進行氧化處理。在1100℃的溫度下，估計產生接近350?的氧化層的時間為1小時30分鐘。然后將尺寸為4cm x 4cm的Si晶片切割。將EMD Chemicals Company生產的含有炭黑和n-甲基-2-吡咯烷酮的BES漿料放置在掩模上，同時將Si晶片放置在掩膜下。之后，將蝕刻后的硅晶片在350℃的爐中加熱90秒。接著，將硅晶片在1%的KOH中在40℃下浸泡1分鐘。將BES漿料從硅片上剝離后，將硅片置于10%KOH溶液中，在70℃下放置1小時15分鐘。然后，使用去離子（DI）水沖洗Si晶片，并用氮氣干燥。

基于圖3中描述的光學配置，開發(fā)了一個簡單的實驗裝置，用于表征作為波長函數(shù)的近紅外透射。該系統(tǒng)設計用于測量近紅外和遠紅外（IR）范圍內的光學傳輸系統(tǒng)，特別是波長。計算機控制的紅外單色儀用于在所需范圍內改變波長。來自te單色儀的光譜可變光正常入射在被測樣品上（SUM）。來自總和的透射光被聚焦透鏡收集到InGaAs光電探測器上。光電探測器的輸出連接到一個鎖定放大器，該放大器連接到一臺計算機。用基于LABVIEW的計算機程序測量作為波長函數(shù)的強度變化。

審核編輯 黃宇