在電子產品的設計過程中，判斷產品質量優(yōu)劣，以及能否能持續(xù)使用是非常重要的。老化失效就是電子產品設計出廠檢驗中重要的一步，它直接關系到產品能否出廠供給客戶使用。大多數(shù)產品的老化過程都有嚴格的規(guī)定，需要對產品的各項指標有詳細的記錄，而由于老化的周期一般都比較長，這其中的原始數(shù)據需要保證隨時能夠查詢并保證掉電不丟失。因此選擇數(shù)據存儲器非常重要。

國產鐵電存儲器（FRAM）的特性及優(yōu)點：

1、PB85RS2MC配置為16,384×8位，通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，和SRAM不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據，有效提高數(shù)據的安全性。

2、采用SOP8小封裝，節(jié)省PCB板設計空間，便于布局；

3、任何扇區(qū)編程擦除周期典型值達100萬次，數(shù)據保留年限典型值25年，可充分滿足產品可靠性要求；

4、最大功耗為5mA，最大待機電流僅僅10μA，可有效降低功耗，延長檢測儀電池使用時間；

5、PB85RS2MC支持SPI串行接口，最大25MHz工作頻率，可滿足主控芯片快速通信需求；

6、PB85RS2MC的工作電壓為2.7V至3.6V，待機功耗僅有7μA，完全滿足系統(tǒng)低功耗需求，而且工作環(huán)境溫度范圍是-40℃至85℃，在更多場景下使用也能保證數(shù)據讀寫的的穩(wěn)定性。

7、兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）

PB85RS2MC引腳對標：

PB85RS2MC產品框圖：

綜上所述：利用鐵電存儲器的數(shù)據采集系統(tǒng)可獲取更加清晰可靠的數(shù)據，通過對采集數(shù)據進行識別、比較，可以大大減少生產測試環(huán)節(jié)，縮短研發(fā)與生產時間，提高生產效率。

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