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功耗測(cè)試儀Power Monitor被國(guó)產(chǎn)Power Monitor mini PK了

hiben ? 來(lái)源:hiben ? 作者:hiben ? 2023-08-21 16:24 ? 次閱讀
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本人研發(fā)工程師一枚,從事智能穿戴和AI行業(yè),平時(shí)除了本職工作之外,還喜歡關(guān)心一下當(dāng)下的政策,可能跟我閑暇時(shí)間看看A股有關(guān)吧。

今年的兩會(huì),不知道有沒(méi)有像我一樣的工程師關(guān)注了,其中有一個(gè)點(diǎn)讓我深受感觸,就是科學(xué)儀器提案:”關(guān)注國(guó)產(chǎn)替代,大力發(fā)展高端儀器儀表”。非常多的代表都基于此發(fā)表了觀點(diǎn),從中我看到了兩個(gè)詞,研發(fā)和替代。研發(fā)固然是重要的,但是替代更重要,也需要我們科技類(lèi)的公司和工程師要勇于去用,敢于取用,用的多了,也便完成了替代。

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功耗測(cè)試儀Power Monitor是美國(guó)Monsoon公司的一款電流分析儀,也叫功耗測(cè)試儀,雖然字面上的意思是電源監(jiān)控器,但這并不重要,實(shí)際上就是一款兼?zhèn)?a target="_blank">電源和測(cè)量電流功能的設(shè)備。

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Power Monitor這款設(shè)備的市面價(jià)格并不是很美好,大家可以搜一下,京東上的價(jià)格在9800人民幣。我記得在2016年的時(shí)候我就使用過(guò)這款設(shè)備,當(dāng)時(shí)使用起來(lái)還是比較開(kāi)心的,主要是因?yàn)楣静少?gòu)的Keysight N6705設(shè)備總是被同事們使用著,所以只能退而求其次,而且當(dāng)時(shí)市面的可選類(lèi)似的可以測(cè)試微安級(jí)到安培級(jí)的分析設(shè)備真的太少了,而且都是非常昂貴的,國(guó)產(chǎn)的設(shè)備基本上看不到。

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但最近終于找到一款性價(jià)比和性能都非常好的國(guó)產(chǎn)功耗測(cè)試儀:Power Monitor Mini。

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首先申明下,本人并不是在做廣告,是真實(shí)的從本行業(yè)功耗測(cè)試的各個(gè)維度上,將兩者進(jìn)行對(duì)比一下,同時(shí)也和大家分享一下,我們國(guó)產(chǎn)的儀器儀表設(shè)備的性能真的可以替代那些外國(guó)貨。

話不多說(shuō),現(xiàn)在咱就開(kāi)始進(jìn)行對(duì)比測(cè)試。測(cè)試對(duì)比的內(nèi)容包括兩個(gè)方面:

靜態(tài)電流測(cè)試對(duì)比;

動(dòng)態(tài)電流測(cè)試對(duì)比;

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【靜態(tài)電流測(cè)試篇】

分別使用美國(guó)Power Monitor設(shè)備和國(guó)產(chǎn)Power Monitor Mini設(shè)備(可簡(jiǎn)稱(chēng)為Power Mini),按照空載以及一些電阻負(fù)載進(jìn)行電流測(cè)試對(duì)比。Power Monitor對(duì)應(yīng)的上位機(jī)軟件工具是Power Tool,Power Monitor Mini對(duì)應(yīng)的上位機(jī)工具是Esight。

空載電流對(duì)比

兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置2V電源輸出,輸出端不接任何負(fù)載,進(jìn)行空載下的底噪電流對(duì)比。從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備的平均底噪為20uA+,同時(shí)瞬態(tài)的底噪電流有可能達(dá)到40uA。Power Mini設(shè)備的平均底噪為5nA左右,而瞬態(tài)的底噪電流也只有可nA級(jí)別的波動(dòng)??梢?jiàn)Power Monitor完全不能準(zhǔn)確的測(cè)試20uA以下的小電流,而Power Mini測(cè)試的精度可以到達(dá)nA級(jí)別,更重要的是Power Mini還具有電流底噪校零功能,可以將那幾個(gè)nA的底噪校零到0nA。

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10M電阻負(fù)載電流對(duì)比

現(xiàn)使用10M的電阻負(fù)載進(jìn)行測(cè)試對(duì)比,兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置2V電源輸出,理論上負(fù)載電流值為200nA。細(xì)心的小伙伴應(yīng)該從下圖觀察到了,電阻負(fù)載并不是一個(gè)純的電阻負(fù)載,而是并上了一個(gè)電容,這其實(shí)是我為了真實(shí)的模擬測(cè)試負(fù)載,因?yàn)槲覀兤綍r(shí)在評(píng)估一些器件芯片的開(kāi)發(fā)板,或者一些具體的產(chǎn)品功耗時(shí),電容在大部分情況下都是存在的。

從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備的測(cè)試電流依舊保持底噪電流20uA的數(shù)值,但Power Mini設(shè)備的測(cè)試電流為216nA,我們排除電源的輸出紋波的影響以及電阻精度的影響,這個(gè)測(cè)試的電流值基本上和理論值接近,可見(jiàn)國(guó)產(chǎn)Power Mini設(shè)備可以檢測(cè)到微小電流,而國(guó)外的這款Power Monitor設(shè)備完全檢測(cè)不到。

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1M電阻負(fù)載電流對(duì)比

為了進(jìn)一步驗(yàn)證對(duì)比,我們?cè)俅问褂?M的電阻負(fù)載進(jìn)行。兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置2V電源輸出,理論上負(fù)載電流值為2uA。

從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備的測(cè)試電流依舊保持底噪電流20uA的數(shù)值,并不能檢測(cè)到2uA的電流。

但Power Mini設(shè)備的測(cè)試電流為2.111uA,同樣,排除電源的輸出紋波的影響以及電阻精度的影響,這個(gè)測(cè)試的電流值基本上和理論值接近,可見(jiàn)國(guó)產(chǎn)Power Mini設(shè)備的微小電流測(cè)試功能還是不錯(cuò)的,這個(gè)微小電流測(cè)試功能也完全碾壓國(guó)外的這款Power Monitor設(shè)備。

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10K電阻負(fù)載電流對(duì)比

為了滿足Power Monitor設(shè)備的測(cè)試范圍,我們使用10K的電阻負(fù)載進(jìn)行。兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置2V電源輸出,理論上負(fù)載電流值為200uA。

從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備的測(cè)試電流為0.22mA,我們假設(shè)Power Monitor設(shè)備的電流底噪為20uA,那么10K的電阻負(fù)載的測(cè)試電流確實(shí)為200uA。但是如果我們假設(shè)Power Monitor設(shè)備的電流底噪為25uA,那么10K的電阻負(fù)載的測(cè)試電流為195uA。

Power Mini設(shè)備的測(cè)試電流為202.131uA,同樣,排除電源的輸出紋波的影響以及電阻精度的影響,這個(gè)測(cè)試的電流值基本上和理論值接近,測(cè)試的精度可為1%。可見(jiàn)國(guó)產(chǎn)Power Mini設(shè)備的測(cè)試精度也是非常不錯(cuò)的?,F(xiàn)在低功耗的MCU、SOC以及一些傳感器的電流都是非常的低了,幾個(gè)uA的休眠電流已經(jīng)是非常常見(jiàn)的,這就更需要小電流測(cè)試功能的測(cè)試設(shè)備,國(guó)產(chǎn)的Power Mini功耗測(cè)試設(shè)備卻做到了這一點(diǎn)。

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1K電阻負(fù)載電流對(duì)比

我們使用1K的電阻負(fù)載進(jìn)一步測(cè)試對(duì)比mA級(jí)別的電流精度。兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置2V電源輸出,理論上負(fù)載電流值為2mA。

從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備的測(cè)試電流為2.02mA,我們假設(shè)Power Monitor設(shè)備的電流底噪為20uA,那么1K的電阻負(fù)載的測(cè)試電流確實(shí)為2mA。

Power Mini設(shè)備的測(cè)試電流為2.004mA,與理論值基本上保持一致,測(cè)試的精度也是小于1%,可見(jiàn)國(guó)產(chǎn)Power Mini設(shè)備的mA級(jí)別的小電流測(cè)試精度也是非常不錯(cuò)的。

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100Ω電阻負(fù)載電流對(duì)比

我們使用100Ω的電阻負(fù)載測(cè)試對(duì)比mA級(jí)別稍大一些的電流精度。兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置5V電源輸出,理論上負(fù)載電流值為50mA。

從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備的測(cè)試電流為49.87mA,如果排除電源的輸出精度的影響以及電阻精度的影響,這個(gè)測(cè)試的電流值與理論值相差130uA,誤差精度為0.26%,可見(jiàn)測(cè)試精度小于1%。

Power Mini設(shè)備的測(cè)試電流為50.158mA,與理論值相差158uA,誤差精度為0.31%,可見(jiàn)測(cè)試精度也是小于1%的。國(guó)產(chǎn)Power Mini設(shè)備的mA級(jí)別的稍大電流測(cè)試精度也是非常不錯(cuò)的。

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【動(dòng)態(tài)電流測(cè)試篇】

分別使用美國(guó)Power Monitor設(shè)備和國(guó)產(chǎn)Power Monitor Mini設(shè)備(可簡(jiǎn)稱(chēng)為Power Mini),按照一些產(chǎn)品負(fù)載進(jìn)行電流測(cè)試對(duì)比。Power Monitor對(duì)應(yīng)的上位機(jī)軟件工具是Power Tool,Power Monitor Mini對(duì)應(yīng)的上位機(jī)工具是Esight。

智能手環(huán)電流對(duì)比

兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置成電池電壓3.8V輸出,給待測(cè)手環(huán)產(chǎn)品供電。分別在手環(huán)產(chǎn)品工作在idle狀態(tài)和休眠狀態(tài)下的電流值進(jìn)行測(cè)試對(duì)比。

從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備測(cè)試手環(huán)的休眠電流顯示為0.08mA,由于Power Monitor設(shè)備的底噪電流為20uA+,所以測(cè)試的手環(huán)休眠電流應(yīng)該為50uA多。Power Mini設(shè)備測(cè)試手環(huán)的休眠電流顯示為52.11uA。

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為了確認(rèn)電流的準(zhǔn)確性,我們同樣使用Keysight的N6705設(shè)備進(jìn)行同比測(cè)試一下手環(huán)的休眠電流。下圖的N6705設(shè)備測(cè)試的平均電流顯示的為57.454uA。

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從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備測(cè)試手環(huán)的idle狀態(tài)電流顯示為0.12mA,由于Power Monitor設(shè)備的底噪電流為20uA+,所以測(cè)試的手環(huán)休眠電流應(yīng)該為90uA多。Power Mini設(shè)備測(cè)試手環(huán)的休眠電流顯示為88.57uA。

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同樣為了確認(rèn)電流的準(zhǔn)確性,我們同樣使用Keysight的N6705設(shè)備進(jìn)行同比測(cè)試一下手環(huán)的idle狀態(tài)下的電流。下圖的N6705設(shè)備測(cè)試的平均電流顯示的為89.877uA。

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總結(jié)一下手環(huán)的兩個(gè)狀態(tài)的電流測(cè)試數(shù)據(jù),我們以十幾萬(wàn)元價(jià)格的N6705設(shè)備的測(cè)試數(shù)據(jù)作為標(biāo)桿,那么可以得到美國(guó)Power Monitor設(shè)備和國(guó)產(chǎn)Power Monitor Mini設(shè)備(可簡(jiǎn)稱(chēng)為Power Mini)的動(dòng)態(tài)電流測(cè)試的誤差在1~5uA左右,精度均為1%。所以,從動(dòng)態(tài)小電流的測(cè)量精度上看,國(guó)產(chǎn)Power Monitor Mini設(shè)備與美國(guó)Power Monitor設(shè)備完全可以打個(gè)平手。

4G/LTE通信產(chǎn)品電流對(duì)比

兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置成電池電壓3.8V輸出,給待測(cè)4G通信產(chǎn)品供電。分別在4G通信產(chǎn)品進(jìn)入某工作狀態(tài)下的電流值進(jìn)行測(cè)試對(duì)比。

從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備測(cè)試4G通信產(chǎn)品某工作狀態(tài)下的電流顯示為24.69mA,由于Power Monitor設(shè)備的底噪電流為20uA+,所以測(cè)試的實(shí)際電流值應(yīng)該為24.67mA。Power Mini設(shè)備測(cè)試4G通信產(chǎn)品某工作狀態(tài)下的電流顯示為24.648mA,此電流值與Power Monitor設(shè)備的測(cè)試值基本上是一致的,相差僅20uA。

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手機(jī)產(chǎn)品電流對(duì)比

兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置成電池電壓4.2V輸出,給待測(cè)手機(jī)產(chǎn)品供電。分別查看一下手機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)候的電流情況。需要強(qiáng)調(diào)一下,因?yàn)樵嚵撕脦状蜳ower Monitor設(shè)備設(shè)置成3.8V輸出時(shí),手機(jī)開(kāi)機(jī)的時(shí)候不斷的重啟,可能由于大電流跌落導(dǎo)致,這里也不再深究。但是Power Mini設(shè)備輸出3.8V,手機(jī)是可以正常開(kāi)機(jī)的。為了條件統(tǒng)一,所以兩個(gè)功耗分析儀均設(shè)置成4.2V輸出進(jìn)行測(cè)試。

實(shí)際上對(duì)手機(jī)開(kāi)機(jī)的電流平均值的測(cè)試意義并不大,因?yàn)閺氖謾C(jī)注網(wǎng)的角度上看,每次測(cè)試的電流平均值或多或少都是有些差異。所以,本次的測(cè)試對(duì)比的目的就是查看兩個(gè)功耗分析儀對(duì)手機(jī)開(kāi)機(jī)的峰值電流的檢測(cè)。

從下圖中可以看到:Power Monitor設(shè)備測(cè)試電流峰值為3.4A左右,Power Mini設(shè)備測(cè)試的電流峰值(最大值)顯示為3.461A,此電流峰值與Power Monitor設(shè)備的測(cè)試值基本上是一致的??梢?jiàn)國(guó)產(chǎn)Power Mini設(shè)備的在大電流檢測(cè)下也是不錯(cuò)的。

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以上就是本人從靜態(tài)負(fù)載和動(dòng)態(tài)負(fù)載兩個(gè)維度,將國(guó)產(chǎn)的功耗測(cè)試儀Power Monitor mini和國(guó)外的功耗分析儀Power Monitor進(jìn)行了對(duì)比,從精度和性能上來(lái)看,兩者基本上差異不大,國(guó)產(chǎn)的功耗測(cè)試儀Power Monitor mini完全可以替代Power Monitor設(shè)備。而且從微小電流的測(cè)試角度看,Power Monitor mini完勝。

關(guān)注國(guó)產(chǎn)替代,大力發(fā)展高端儀器儀表,這是兩會(huì)的內(nèi)容,也是我們科技產(chǎn)品的需求。希望國(guó)產(chǎn)設(shè)備越來(lái)越好,越來(lái)越多的支持者。

最后,希望大家也多多支持國(guó)產(chǎn)儀器儀表設(shè)備,助力國(guó)產(chǎn)儀器儀表設(shè)備。

審核編輯 黃宇

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    在工業(yè)生產(chǎn)質(zhì)量把控環(huán)節(jié),真空試漏測(cè)試儀與密封檢測(cè)是常被提及的設(shè)備,不少人會(huì)疑惑:真空試漏測(cè)試儀是密封檢測(cè)嗎?答案是肯定的,二者只是叫法不一樣。從工作原理來(lái)說(shuō),它們?nèi)绯鲆晦H。真空試漏
    的頭像 發(fā)表于 12-31 14:11 ?247次閱讀
    真空試漏<b class='flag-5'>測(cè)試儀</b>是密封檢測(cè)<b class='flag-5'>儀</b>嗎-岳信儀器

    使用ADI Power Studio簡(jiǎn)化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程

    ADI推出綜合性產(chǎn)品系列 ADI Power Studio,可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的建模、元件推薦、效率分析與仿真功能。此外,同時(shí)還發(fā)布Power Studio產(chǎn)品系列中具備現(xiàn)代化用戶體驗(yàn)的兩款網(wǎng)頁(yè)端新工
    的頭像 發(fā)表于 11-18 18:04 ?1912次閱讀
    使用ADI <b class='flag-5'>Power</b> Studio簡(jiǎn)化電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程

    HPM monitor studio 只能在 hpm芯片+hpm_sdk 的組合下才能用嗎?

    使用 hpm6200evk開(kāi)發(fā)板,但未使用hpm_sdk。 然后編譯的固件elf無(wú)法在hpm monitor studio解析成功。所以說(shuō)必須要使用hpm_sdk 才可以使用hpm monitor studio 上位機(jī)軟件嗎?
    發(fā)表于 08-28 09:36

    LCR測(cè)試儀如何實(shí)現(xiàn)智能化與AI融合

    隨著科技的飛速發(fā)展,人工智能(AI)正以前所未有的速度滲透到各個(gè)領(lǐng)域,測(cè)試測(cè)量行業(yè)也不例外。LCR測(cè)試儀作為電子元器件測(cè)試的重要工具,其智能化與AI的融合不僅提升了測(cè)試的精度和效率,還
    的頭像 發(fā)表于 08-08 16:49 ?1048次閱讀
    LCR<b class='flag-5'>測(cè)試儀</b>如何實(shí)現(xiàn)智能化與AI融合

    充電機(jī)特性測(cè)試儀是什么?與充放電測(cè)試儀區(qū)別

    的詳細(xì)說(shuō)明: 一、充電機(jī)特性測(cè)試儀的核心功能 1、性能參數(shù)測(cè)試 穩(wěn)壓/穩(wěn)流精度:測(cè)試充電機(jī)在負(fù)載變化時(shí)電壓/電流的穩(wěn)定程度。 紋波系數(shù):檢測(cè)輸出電壓中的交流分量(反映充電機(jī)濾波效果)。 效率與
    的頭像 發(fā)表于 05-26 16:33 ?893次閱讀
    充電機(jī)特性<b class='flag-5'>測(cè)試儀</b>是什么?與充放電<b class='flag-5'>測(cè)試儀</b>區(qū)別

    LCR測(cè)試儀的使用方法與注意事項(xiàng)

    一、引言 LCR測(cè)試儀(電感、電容、電阻測(cè)試儀)是電子工程領(lǐng)域的核心測(cè)量工具,廣泛應(yīng)用于元件參數(shù)測(cè)試、電路調(diào)試及產(chǎn)品質(zhì)量控制。其高精度、多功能特性使其成為實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)線不可或缺的設(shè)備。本文將詳細(xì)介紹
    的頭像 發(fā)表于 04-29 10:36 ?1.7w次閱讀
    LCR<b class='flag-5'>測(cè)試儀</b>的使用方法與注意事項(xiàng)

    SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)介紹

    SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)-日本JUNO測(cè)試儀DTS-1000國(guó)產(chǎn)平替 ?專(zhuān)為半導(dǎo)體分立器件測(cè)試而研發(fā)的新一代高
    發(fā)表于 04-16 17:27 ?0次下載

    絕緣電阻測(cè)試儀使用方法

    緣電阻測(cè)試儀(Insulationresistance testing instrument)又稱(chēng)數(shù)字絕緣電阻測(cè)試儀、兆歐表、智能絕緣電阻測(cè)試儀等,是一種常用的儀器設(shè)備,用于測(cè)量電氣設(shè)備的絕緣電阻值。
    的頭像 發(fā)表于 04-12 10:53 ?4899次閱讀
    絕緣電阻<b class='flag-5'>測(cè)試儀</b>使用方法

    HarmonyOS Next V2 @Monitor 和@Computed

    HarmonyOS Next V2 @Monitor 和@Computed @Monitor 介紹 @Monitor 是狀態(tài)把管理 V2 版本中的用于監(jiān)聽(tīng)狀態(tài)變量修改的技術(shù)。 它可以直接用在
    的頭像 發(fā)表于 04-02 18:26 ?835次閱讀

    LCR測(cè)試儀測(cè)量電感的誤差分析案例

    一、LCR測(cè)試儀測(cè)量電感的基本原理 1.1 LCR測(cè)試儀的工作原理 LCR測(cè)試儀基于交流信號(hào)測(cè)量電感,它給待測(cè)元件施加正弦交流信號(hào),利用定值電阻串聯(lián),通過(guò)測(cè)量元件與電阻上的電壓,計(jì)算分壓比得出阻抗
    的頭像 發(fā)表于 04-02 11:55 ?2295次閱讀
    LCR<b class='flag-5'>測(cè)試儀</b>測(cè)量電感的誤差分析案例