8月20日，瞻芯電子官微表示，其依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證證書，而且通過了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導(dǎo)入測試，正式開啟量產(chǎn)交付。

據(jù)介紹，瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。

同時，第二代SiC MOSFET產(chǎn)品依然保持高可靠性與強魯棒性，在AEC-Q101車規(guī)可靠性認(rèn)證、短路測試、浪涌測試中等評估中表現(xiàn)優(yōu)良。

據(jù)了解，瞻芯電子將在2023年陸續(xù)推出更多規(guī)格類型的第二代SiC MOSFET，耐壓等級包括650V/750V/1200V/1700V，導(dǎo)通電阻覆蓋14mΩ-50Ω，并且大都采用車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計。

據(jù)官方介紹，瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。公司致力于開發(fā)SiC功率器件、驅(qū)動和控制芯片、SiC功率模塊產(chǎn)品，并圍繞SiC應(yīng)用，為客戶提供一站式(Turn-key)芯片解決方案。

官方資料顯示，瞻芯電子是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司，并建成了一座車規(guī)級SiC晶圓廠，標(biāo)志著瞻芯電子順利實現(xiàn)由Fabless邁向IDM的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，進入中國領(lǐng)先SiC功率半導(dǎo)體公司行列。