碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。

為更好滿足工業(yè)客戶對(duì)于高功率密度的需求，基本半導(dǎo)體推出兼容EasyPACKTM 2B封裝的工業(yè)級(jí)全碳化硅MOSFET功率模塊PcoreTM2 E2B，該產(chǎn)品基于高性能 6英寸晶圓平臺(tái)設(shè)計(jì)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

BMF240R12E2G3產(chǎn)品亮點(diǎn)

更穩(wěn)定導(dǎo)通電阻：新型內(nèi)部構(gòu)造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的RDS(on)波動(dòng)。

更優(yōu)異抗噪特性：寬柵-源電壓范圍（Vgss: -10V~+25V），及更高閾值電壓范圍（Vth：3V~5V），便于柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。

更高可靠性：高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入，改善長期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配。

應(yīng)用領(lǐng)域：燃料電池DCDC、數(shù)據(jù)中心UPS、大功率快速充電樁等。

第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。

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