這里介紹的電路是使用 MOSFET 輸出級的放大器電路，作為基于雙極晶體管的輸出級的替代品。該項目適合那些想要嘗試功率 MOSFET 的人。無需贅述，MOSFET 具有真空管和雙極晶體管特有的聲音。 MOSFET放大器的主要優(yōu)點：操作簡單、數(shù)百瓦的簡單并聯(lián)、負溫度系數(shù)和快速開關時間。主要缺點：輸入電容高達 500 至 1000 pF，對靜電放電敏感。

MOSFET 的種類非常廣泛，有 PNP 和 NPN，電壓從 100 到 200 伏或更高，還有附加型號（如雙極型）。功放常用型號有10N16、10P16、IRFP140、IRFP9140、IRFP240、IRFP9240、2SK135、2SJ50、2SK1530、2SJ201。在這個項目中，A點和C點連接到驅動級的輸出，B點連接到反作用，D點連接到質量驅動器。電路板計劃的外殼為TO3P晶體管，將腳稍微彎曲為TO220型封裝。

通過放置在 A 點和 C 點之間的 250 歐姆可調電位器來設置靜態(tài)電流（每個 MOSFET 約為 100 mA），無需任何其他復雜操作。始終可以使用其他傳統(tǒng)系統(tǒng)。齊納二極管用于通過非常簡單的系統(tǒng)保護 MOSFET，為了獲得更好的系統(tǒng)，您可以嘗試更復雜的系統(tǒng)（+ 串聯(lián) 1N4148 齊納齊納二極管 + 串聯(lián)電阻，...）。傳統(tǒng)的 Rx 電阻器線繞 0.22 歐姆 5 瓦電阻器被替換為 5 至 1.2 歐姆 1 瓦碳層并聯(lián)，以避免自身影響。 Cx 電容器應根據(jù)將要進行的補償來放置，所有情況均提供 PCB。

零件清單：

R1、R2、R3、R4 = 100 至 470 歐姆 1 / 4 W 金屬膜

R5 = 10 歐姆 1 瓦碳

Rx = 1.2 歐姆 1 W 碳

C1、C2 = 100 uF 100 伏

C3 = 220 nF 100 伏

Cx = 陶瓷電容器(值取決于要進行的補償，見表)

D1、D2 = 10 伏齊納二極管 400 mW

T1、T2 = 示例 IRFP140 (100 V)、IRFP240 (200 V)

T3、T4 = 示例 IRFP9140 (100 V)五)、IRFP9240(200V)

注意：該項目尚未經(jīng)過測試。