在積極推進(jìn)先進(jìn)制程研發(fā)的同時(shí)，英特爾正在加大先進(jìn)封裝領(lǐng)域的投入。在這個(gè)背景下，該公司正在馬來西亞檳城興建一座全新的封裝廠，以加強(qiáng)其在2.5D/3D封裝布局領(lǐng)域的實(shí)力。據(jù)了解，英特爾計(jì)劃到2025年前，將其最先進(jìn)的3D Foveros封裝產(chǎn)能擴(kuò)增至目前的四倍，同時(shí)還向客戶開放其先進(jìn)封裝解決方案，使其能夠靈活選擇。

外界普遍預(yù)測，隨著英特爾整合了先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝的優(yōu)勢，其在晶圓代工領(lǐng)域?qū)兊酶吒偁幜Α＿@將進(jìn)一步與臺積電、三星等廠商展開市場份額的爭奪，未來這三家巨頭在晶圓代工市場的競爭將變得更加引人注目。

同時(shí)，英特爾還在不斷加強(qiáng)自身的封裝能力，而且表示愿意將先進(jìn)封裝方案開放給客戶選擇。這可能會在封測市場引發(fā)一系列的變動，對專業(yè)半導(dǎo)體封測廠如日月光、艾克爾等產(chǎn)生影響。

就在臺積電和三星都在積極發(fā)展先進(jìn)封裝技術(shù)時(shí)，英特爾也在該領(lǐng)域不斷創(chuàng)新。英特爾的先進(jìn)封裝包括2.5D EMIB和3D Foveros方案。整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，從晶圓代工到先進(jìn)封裝，三家巨頭之間的競爭態(tài)勢得以延伸。

英特爾在2017年引入了EMIB封裝技術(shù)，而第一代Foveros封裝則在2019年推出，其凸點(diǎn)間距為50微米。預(yù)計(jì)今年下半年，英特爾將推出基于第二代Foveros封裝技術(shù)的最新Meteor Lake處理器，凸點(diǎn)間距將進(jìn)一步縮小至36微米。

盡管英特爾沒有透露目前的3D Foveros封裝產(chǎn)能，但它強(qiáng)調(diào)，在除了美國奧勒岡州和新墨西哥州之外，檳城新廠也將有相關(guān)產(chǎn)能布局，三個(gè)地點(diǎn)的3D封裝產(chǎn)能合計(jì)預(yù)計(jì)將在2025年增加至目前的四倍。

英特爾副總裁Robin Martin在接受采訪時(shí)強(qiáng)調(diào)，檳城新廠將成為英特爾最大的3D Foveros先進(jìn)封裝中心。

此外，英特爾還在兩年前宣布投資35億美元擴(kuò)展新墨西哥州的先進(jìn)封裝產(chǎn)能，該項(xiàng)目至今仍在進(jìn)行中。至于檳城新廠，英特爾表示，建設(shè)進(jìn)展順利，外界估計(jì)該新廠可能在2024年底或2025年完工投產(chǎn)。

值得注意的是，英特爾不僅僅在晶圓代工和封裝方面展開了整合，它還開放了選擇其先進(jìn)封裝方案的選項(xiàng)，旨在使客戶能夠更加靈活地生產(chǎn)產(chǎn)品。

在英特爾首席執(zhí)行官基辛格的領(lǐng)導(dǎo)下，公司正在實(shí)施IDM 2.0戰(zhàn)略，不僅增加了自身晶圓廠的產(chǎn)能，還在擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)的同時(shí)，希望能夠更靈活地利用第三方的晶圓代工產(chǎn)能。

隨著先進(jìn)制程的發(fā)展，小芯片（Chiplet）和異構(gòu)整合的趨勢變得更加明顯，英特爾的2.5D/3D先進(jìn)封裝布局不僅能夠增強(qiáng)其處理器等產(chǎn)品的實(shí)力，還能成為其在爭取更多晶圓代工業(yè)務(wù)方面的一個(gè)重要賣點(diǎn)。

審核編輯 黃宇