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      TDM3478 N-通道增強(qiáng)模式MOSFET芯片

      jf_66255030 ? 來(lái)源：jf_66255030 ? 作者：jf_66255030 ? 2023-09-01 09:46 ? 次閱讀
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      TDM3478 N-通道增強(qiáng)模式MOSFET芯片

      概述
      TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。

      一般說(shuō)明
      ?RDS（ON）< 9.7mΩ @ VGS=4.5V?
      RDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V
      ?高功率和電流處理能力
      ?ESD保護(hù)
      ?表面安裝包
      ?無(wú)鉛和綠色設(shè)備可用（RoHS兼容）

      應(yīng)用
      ?PWM應(yīng)用程序
      ?負(fù)載交換機(jī)
      ?電源管理
      ?供電系統(tǒng)

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      審核編輯 黃宇

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