Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列，可完美替代進口工業(yè)級芯片5ARxx系列 。該系列產(chǎn)品內(nèi)部集成了800V高壓功率MOSFET，通過PWM模式、降頻模式、BM模式三種工作模式混合調(diào)節(jié)，實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的最佳效率！

One more thing，芯朋產(chǎn)品都不會止步于替代。DIP7封裝的PN8715HNS-B1具有線電壓欠壓保護功能，SOP12封裝的PN8715HSC-A1具有線電壓過壓保護功能，功能比競品更實用豐富，特別適合服務(wù)器、白電、PC、TV等應(yīng)用場景！

芯片介紹

一、芯片特性

隨負載情況工作于PWM、PFM、Active-Burst-Mode三種模式

內(nèi)置800V高雪崩能力的功率MOSFET

內(nèi)置跨導(dǎo)放大器，智能識別隔離和非隔離反饋

內(nèi)置高壓啟動功能

最高工作頻率100kHz

改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)

內(nèi)置線電壓補償和斜坡補償

優(yōu)異全面的保護功能: 過載保護(OLP)、逐周期過流保護(OCP)、 VDD過壓保護、CS短路保護、 過溫保護(OTP)、線電壓過壓保護(OVP)、線電壓欠壓保護(BNO)

二、應(yīng)用場景

白色家電、個人電腦、服務(wù)器等應(yīng)用中輔助電源

電源適配器

開放式電源

圖1 隔離反激型應(yīng)用

圖2 非隔離反激型應(yīng)用

芯片優(yōu)勢

1

800V智能功率器件

芯片內(nèi)部集成了800V高雪崩能力的功率MOSFET。PN8715H內(nèi)置MOSFET導(dǎo)通電阻僅0.6Ω，實現(xiàn)ICE5AR0680系列替代；PN8712H內(nèi)置MOSFET導(dǎo)通電阻2.8Ω，實現(xiàn)ICE5AR4780系列替代；導(dǎo)通損耗更低，轉(zhuǎn)換效率更高，溫升效果更佳！

2

高壓啟動

芯片內(nèi)部集成了高壓啟動管，無需外部啟動電阻，可實現(xiàn)50mW待機，具有高集成度的優(yōu)勢！

芯片對啟動電流做了分段設(shè)計，可防止VDD短路情況下，HV充電損耗過大，導(dǎo)致芯片過熱損壞。

3

混合工作模式

芯片通過檢測FB反饋信號決定芯片的工作頻率和CS電壓閾值。根據(jù)負載情況，工作于PWM、PFM、Burst-mode三種模式，可提高全負載段效率。

圖3 頻率變化表現(xiàn)

4

智能選擇反饋模式

PN8715H/PN8712H可智能選擇反饋模式，適應(yīng)反激非隔離或隔離應(yīng)用環(huán)境。

隔離反饋模式時，S1開通，S2 open；非隔離模式時，S2開通，S1open，簡單易用！

圖4 隔離反饋模式

圖5 非隔離反饋模式

5

全面保護

PN8715H/PN8712H提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括過載保護、逐周期過流保護、VDD過壓保護、CS短路保護、過溫保護，以及可選的線電壓過壓保護、線電壓欠壓保護。全方位的保駕護航，可以滿足不同應(yīng)用場景的需求！

PN8715H（DIP7）特有的線電壓欠壓保護功能（可選），通過簡單的外圍電路即可實現(xiàn)自定義設(shè)置。

圖6 BO腳外圍電路

PN8715H（SOP12）具有壓過壓保護功能，可以通過OV引腳用類似的方法實現(xiàn)。

圖7 OV腳外圍電路

審核編輯：劉清