近日， EEPW 《電子產(chǎn)品世界》值創(chuàng)辦30周年之際，頒布了“影響中國(guó)電子30年時(shí)代之光評(píng)選”獲獎(jiǎng)名單。安世半導(dǎo)體憑碳化硅肖特基二極管Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode斬獲了「十大劃時(shí)代半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)功率器件類」，展現(xiàn)了其作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域全球領(lǐng)導(dǎo)者的創(chuàng)新能力與強(qiáng)大實(shí)力。

“十大劃時(shí)代半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)”是 EEPW 舉辦的“影響中國(guó)電子產(chǎn)業(yè)30年時(shí)代之光”系列評(píng)選活動(dòng)之一，旨在重點(diǎn)回顧過去三十年間中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)具有劃時(shí)代意義的產(chǎn)品。安世半導(dǎo)體的該獲獎(jiǎng)器件采用合并 PIN（MPS）技術(shù)，可應(yīng)對(duì)高電壓和高電流應(yīng)用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)模式電源、AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運(yùn)行性能。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

PSC1065K 碳化硅肖特基二極管結(jié)合了寬禁帶半導(dǎo)體材料（碳化硅）的優(yōu)點(diǎn)和 MPS 器件結(jié)構(gòu)及其“薄型 SiC ”技術(shù)帶來的額外優(yōu)勢(shì)，具備不受溫度影響的電容開關(guān)和零恢復(fù)性能，提供先進(jìn)的性能以及出色的品質(zhì)因數(shù)（QC x VF)。其突出的開關(guān)性能幾乎不受電流和開關(guān)速度變化的影響。

合并PIN肖特基（MPS）二極管通過在制造過程中降低芯片厚度而進(jìn)一步提高其性能，并具備其他優(yōu)勢(shì)，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護(hù)電路。這些特性可顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜性，使硬件設(shè)計(jì)人員能夠在耐用型高功率應(yīng)用中，以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的效率。

這款 SiC 肖特基二極管采用真2引腳（R2P） TO - 220-2通孔電源塑料封裝。其他封裝選項(xiàng)包括表面貼裝（DPAK R2P and D2PAK R2P）和采用真2引腳配置的通孔（TO-247-2）封裝，可在高達(dá)175 °C 的高壓應(yīng)用中增強(qiáng)可靠性。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）計(jì)劃不斷增加其 SiC 二極管產(chǎn)品組合，包括工作電壓為650 V 和1200 V、電流范圍為6-20 A 的和車規(guī)級(jí)器件。

審核編輯：劉清