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沉積氮化硅薄膜的重要制備工藝——PECVD鍍膜

美能光伏 ? 2023-09-27 08:35 ? 次閱讀
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PECVD作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的一種工藝,對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽(yáng)能電池片的表面,從而有效提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽(yáng)能電池片氮化硅薄膜,了解其薄膜的厚度、表面粗糙度等各種參數(shù)信息,就必須運(yùn)用臺(tái)階儀進(jìn)行測(cè)量。「美能光伏」生產(chǎn)的美能探針式臺(tái)階儀,可測(cè)量太陽(yáng)能電池片氮化硅薄膜表面的粗糙度、翹曲應(yīng)力等各種參數(shù)信息,為光伏企業(yè)用戶評(píng)估關(guān)于太陽(yáng)能電池性能方面的問題。本期「美能光伏」將給您介紹PECVD工藝!

帶您深入了解PECVD工藝的基本原理

PECVD又叫化學(xué)氣相沉積,是一種利用等離子體在低溫下進(jìn)行沉積的薄膜生長(zhǎng)技術(shù),PECVD技術(shù)是在低氣壓下,利用低溫等離子體工藝腔體陰極上產(chǎn)生輝光放電,再利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的工藝氣體,這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)在高溫下分解生成所需的化合物,然后將化合物沉積在太陽(yáng)能電池片的表面或其他襯底材料表面從而形成薄膜。

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PECVD工藝的基本原理


PECVD的工藝優(yōu)勢(shì)

相較于傳統(tǒng)的CVD,PECVD的主要優(yōu)勢(shì)之一是可以在較低溫度下操作,從而減少對(duì)襯底材料的熱應(yīng)力,廣泛適用于太陽(yáng)能電池的制造。PECVD等離子體中含有大量高能量的電子,它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需要的激活能。電子與氣相分子的碰撞能夠促進(jìn)氣體分子分解、化合、激發(fā)和電力過程,生成活性很高的各種化學(xué)集團(tuán),從而顯著降低PECVD薄膜沉積的溫度范圍,使原來需要在高溫下才能進(jìn)行的薄膜沉積在低溫下也可以實(shí)現(xiàn)。

PECVD方法沉積薄膜能夠避免薄膜與襯底間發(fā)生不必要的擴(kuò)散與化學(xué)反應(yīng)、避免薄膜或襯底材料結(jié)構(gòu)變化與性能惡化、避免薄膜與襯底中出現(xiàn)較大的熱應(yīng)力等,從而有效保證太陽(yáng)能電池的性能穩(wěn)定。


美能探針式臺(tái)階儀

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美能探針式臺(tái)階儀是一款先進(jìn)的微納測(cè)量?jī)x器,采用出色的儀器系統(tǒng)構(gòu)造和最優(yōu)化的測(cè)量及數(shù)據(jù)處理軟件,可測(cè)量表面粗糙度、波紋度、表面2D/3D形狀、翹曲和應(yīng)力。從而實(shí)現(xiàn)可靠、高效、簡(jiǎn)易的樣品檢測(cè),并完成從研發(fā)到質(zhì)量控制的完美把控。

● 配備500W像素高分辨率彩色攝像機(jī)

● 臺(tái)階高度重復(fù)性1nm

● 超高直線度導(dǎo)軌、反應(yīng)樣品微小形貌

● 亞埃級(jí)分辨率、13μm量程下可達(dá)0.01埃

高低噪比與低線性誤差


PECVD工藝作為能夠通過薄膜沉積而直接提高太陽(yáng)能電池性能的關(guān)鍵步驟,一直都是各大光伏電池廠商所著重關(guān)注的工藝流程。「美能光伏」生產(chǎn)的美能探針式臺(tái)階儀,憑借獨(dú)特的檢測(cè)技術(shù),給予沉積在太陽(yáng)能電池片表面氮化硅薄膜的針對(duì)性檢測(cè),幫助光伏電池廠商評(píng)估薄膜沉積后太陽(yáng)能電池的性能,從而實(shí)現(xiàn)有力的科學(xué)證明!

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