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基于PMN-PT壓電復(fù)合振動(dòng)膜的PMUT仿真與結(jié)構(gòu)優(yōu)化分析

MEMS ? 來(lái)源:MEMS ? 2023-10-09 09:12 ? 次閱讀
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近年來(lái),微機(jī)械超聲換能器(MUT)技術(shù)一直處于快速發(fā)展階段。與傳統(tǒng)的塊體型超聲換能器相比,MUT具有體積小、質(zhì)量小、集成度高及成本低等特點(diǎn),因此已經(jīng)成為當(dāng)前超聲換能器領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)方向之一。其中,壓電式微機(jī)械超聲換能器(PMUT)具有易與水和空氣聲阻抗匹配,以及集成度高的特性,引起了學(xué)者的廣泛關(guān)注。PMUT在醫(yī)療成像、手勢(shì)識(shí)別、內(nèi)窺成像和指紋識(shí)別等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用,而靈敏度等性能是影響其成像質(zhì)量的主要因素。

據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,為了獲得性能良好的PMUT,中國(guó)科學(xué)院聲學(xué)研究所和中國(guó)科學(xué)院大學(xué)的研究人員對(duì)基于鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛(PMN-PT)圓形壓電復(fù)合振動(dòng)膜的PMUT等效電路模型進(jìn)行了分析,并采用有限元法對(duì)該P(yáng)MUT進(jìn)行了仿真分析,從而得到了其發(fā)射電壓響應(yīng)和接收靈敏度等性能指標(biāo)。隨后,研究人員調(diào)研了不同的結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)PMUT性能的影響,為PMUT的結(jié)構(gòu)優(yōu)化提供了一定的指導(dǎo)。相關(guān)研究成果以“壓電微機(jī)械超聲換能器仿真與結(jié)構(gòu)優(yōu)化”為題發(fā)表在《壓電與聲光》期刊上。

PMUT有限元分析

壓電材料是影響PMUT性能的主要因素之一,常用的壓電材料有氮化鋁(AlN)、鋯鈦酸鉛(PZT)和氧化鋅(ZNO)。PMN-PT壓電材料是一種新型復(fù)合鈣鈦礦型弛豫鐵電材料,具有比PZT更高的壓電常數(shù)和機(jī)電耦合系數(shù),且介電損耗因子僅為PZT的1/3。因此,該研究選用PMN-PT作為PMUT的壓電層。圖1為基于PMN-PT圓形壓電復(fù)合振動(dòng)膜的PMUT結(jié)構(gòu)示意圖。其振動(dòng)膜為圓形,直徑為80 μm,由器件硅層(厚度為5 μm)、熱氧層(厚度為0.3 μm)及壓電層(PMN-PT)組成。

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圖1 基于PMN-PT壓電復(fù)合振動(dòng)膜的PMUT結(jié)構(gòu)示意圖

隨后,研究人員對(duì)該P(yáng)MUT的圓形復(fù)合振動(dòng)膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行了幾何建模,并在水域周?chē)O(shè)置了完美匹配層。其中,水域的半徑為200 μm,完美匹配層的厚度為20 μm。建模完成后,研究人員設(shè)置了該模型的物理場(chǎng)邊界條件。此外,為了對(duì)比不同壓電層厚度對(duì)PMUT靈敏度的影響,研究人員在建模過(guò)程中對(duì)PMN-PT壓電層的厚度進(jìn)行了參數(shù)化掃描,并以0.2 μm為間隔,在3.3 μm ~ 5.3 μm內(nèi)取值,對(duì)PMN-PT振膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行了有限元仿真分析。

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圖2 PMUT半結(jié)構(gòu)截面圖

PMUT發(fā)射電壓響應(yīng)

圖3為具有不同厚度的PMN-PT壓電層的PMUT的發(fā)射電壓響應(yīng)曲線。從圖中可以看出,當(dāng)PMN-PT壓電層的厚度逐漸增加時(shí),PMUT的發(fā)射電壓響應(yīng)呈現(xiàn)先增大后降低的趨勢(shì)。當(dāng)PMN-PT壓電層的厚度為4.5 μm時(shí),PMUT的發(fā)射電壓響應(yīng)達(dá)到最大值(191.6 dB)。

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圖3 具有不同厚度的PMN-PT壓電層的PMUT的發(fā)射電壓響應(yīng)曲線

PMUT接收靈敏度

圖4為具有不同厚度的PMN-PT壓電層的PMUT的接收靈敏度曲線。從圖中可以看出,隨著PMN-PT壓電層厚度的增加,PMUT的接收靈敏度基本呈線性上升趨勢(shì)。

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圖4 具有不同厚度的PMN-PT壓電層的PMUT的接收靈敏度曲線圖

PMUT回路增益(損耗)

回路增益(損耗)可以定義為PMUT的實(shí)際接收電壓與輸入電壓之比,它能綜合反映PMUT的發(fā)射電壓響應(yīng)和接收靈敏度,從而表征PMUT在發(fā)射和接收過(guò)程中的損耗。圖5為具有不同厚度的PMN-PT壓電層的PMUT的回路增益(損耗)曲線圖。從圖中可以看出,隨著PMN-PT壓電層厚度的增加,PMUT的回路增益(損耗)呈上升趨勢(shì),當(dāng)PMN-PT壓電層的厚度為5.1 μm時(shí),PMUT的回路增益(損耗)達(dá)到最大值(-64.5 dB)。

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圖5 具有不同厚度的PMN-PT壓電層的PMUT的回路增益(損耗)曲線

綜上所述,該研究采用等效電路模型以及有限元方法對(duì)基于PMN-PT圓形壓電復(fù)合振動(dòng)膜的PMUT進(jìn)行了結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)化,為設(shè)計(jì)具有良好性能的PMUT提供了參考。






審核編輯:劉清

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