10月11日，美光公司推出了使用1β工藝節(jié)點(diǎn)的DDR5 DRAM內(nèi)存。美光公司表示，這將成為用duv制造新一代1βDRAM的美光公司最后的存儲器芯片，之后將延續(xù)到euv極紫外***。

美光公司的1β制造工藝使用本公司的新一代高k金屬柵極工程（hkmg）， 16gb芯片的比特密度和能源效率分別比1a節(jié)點(diǎn)提高35%和15%。新技術(shù)有助于制造ddr5、lpddr5x芯片。

利用1β節(jié)點(diǎn)的美光公司的第一個產(chǎn)品是16Gb LPDDR5X-8500存儲器，為了節(jié)約電力，將使用動態(tài)力量增強(qiáng)技術(shù)和edvfsc（頻率擴(kuò)展內(nèi)核）電壓控制技術(shù)。

美光公司推出的1β DDR5 DRAM目前供應(yīng)給數(shù)據(jù)中心和電腦用戶，最大速度為7200mt/s。最新ddr5內(nèi)存采用先進(jìn)的high-k高介電CMOS器件技術(shù)，比以前的產(chǎn)品提高了50%，每瓦提高了33%的性能。

美光公司的1β技術(shù)支持多種基于內(nèi)存的解決方案，其中包括使用16gb、24gb、32gb dram的ddr5 rdimm和mcrdimm內(nèi)存模塊。使用16g和24g dram的lpddr5x、hbm3e、gddr7。

美光公司表示，新的16gb lpddr5x-8500產(chǎn)品已經(jīng)準(zhǔn)備大規(guī)模批量生產(chǎn)，目前正在向各方提供抽樣服務(wù)，今后將通過直接銷售和頻道合作進(jìn)行銷售。