Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強(qiáng)大的GaN功率半導(dǎo)體（下一代電力系統(tǒng)的未來(lái)）領(lǐng)域全球領(lǐng)先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，也就是說(shuō)SuperGaN TOLL FET可以用作任何電子模式TOLL解決方案的開(kāi)箱即用型替代品。新器件還提供了Transphorm久經(jīng)驗(yàn)證的高電壓動(dòng)態(tài)（開(kāi)關(guān)）導(dǎo)通電阻可靠性，這在基于廠家的主要電子模式GaN產(chǎn)品中通常是缺乏的。

這三種表面安裝型器件（surface mount device，SMD）支持在1至3千瓦的平均范圍內(nèi)運(yùn)行的更高功率應(yīng)用。這些電力系統(tǒng)通常出現(xiàn)在高性能領(lǐng)域，如計(jì)算（人工智能、服務(wù)器、電信、數(shù)據(jù)中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機(jī)）以及其他各類(lèi)工業(yè)市場(chǎng)，這些市場(chǎng)目前在全球的GaN TAM價(jià)值25億美元。值得注意的是，F(xiàn)ET是當(dāng)今快速擴(kuò)展的人工智能系統(tǒng)的最佳解決方案，這些系統(tǒng)依賴(lài)于需要高出傳統(tǒng)CPU十到十五倍功率的GPU。

Transphorm的高功率GaN設(shè)備已供應(yīng)給各個(gè)領(lǐng)域的主要客戶(hù)，這些客戶(hù)使用這些設(shè)備為其生產(chǎn)中的高性能系統(tǒng)供電，其中包括數(shù)據(jù)中心電源、高功率競(jìng)技PSU、UPSe和微轉(zhuǎn)換器。TOLL設(shè)備也可以支持這些應(yīng)用，而基于電動(dòng)汽車(chē)的直流-直流轉(zhuǎn)換器和車(chē)載充電器也可以支持，其中基礎(chǔ)的SuperGaN芯片已經(jīng)通過(guò)了汽車(chē)（AEC-Q101）認(rèn)證。

SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六種封裝類(lèi)型，為客戶(hù)提供了最廣泛的封裝選擇，以滿(mǎn)足其獨(dú)特的設(shè)計(jì)要求。與所有Transphorm產(chǎn)品一樣，TOLL器件利用了常關(guān)d模式SuperGaN平臺(tái)帶來(lái)的固有性能和可靠性?xún)?yōu)勢(shì)。有關(guān)SuperGaN和e模式GaN之間的詳細(xì)競(jìng)爭(zhēng)分析，請(qǐng)下載該公司最新的白皮書(shū)《d模式GaN在Cascode配置中的基本優(yōu)勢(shì)》。該白皮書(shū)的結(jié)論與今年早些時(shí)候發(fā)布的一項(xiàng)正面比較一致。該比較顯示，在商用280 W游戲筆記本電腦充電器中，72毫歐姆的SuperGaN FET的性能優(yōu)于較大的50毫歐姆的電子模式設(shè)備。

SuperGaN器件憑借以下優(yōu)勢(shì)領(lǐng)先市場(chǎng)：

可靠性 < 0.03 FIT

閘門(mén)安全裕度 ± 20 V

抗噪性 4 V

電阻溫度系數(shù)（TCR）比e模式低20%

采用硅基控制器/驅(qū)動(dòng)器中現(xiàn)成的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器靈活性

設(shè)備規(guī)格

堅(jiān)固耐用的650V SuperGaN TOLL器件已通過(guò)JEDEC認(rèn)證。由于常關(guān)d模式平臺(tái)將GaN HEMT與低壓硅MOSFET配對(duì)，因此SuperGaN FET易于使用常用的現(xiàn)成柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。它們可以用于各種硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)AC到DC、DC到DC和DC到AC拓?fù)?，以提高功率密度，同時(shí)降低系統(tǒng)尺寸、重量和總體成本。

可用性和支持資源

審核編輯 黃宇