日本佳能公司10月13日宣布，將推出fpa-1200nz2c納米印花（nil）半導(dǎo)體制造設(shè)備。該設(shè)備執(zhí)行電路模式傳送，這是最重要的半導(dǎo)體制造工程。

據(jù)佳能介紹，傳統(tǒng)的光刻設(shè)備將電路圖案投射到涂有防腐劑的晶片上，而新產(chǎn)品就像郵票一樣，在晶片上印上印有電路圖案的掩模來實現(xiàn)這一目標。由于電路圖案的傳遞過程不經(jīng)過光學結(jié)構(gòu)，因此可以在晶片上準確再現(xiàn)掩模的細微電路圖案。

目前佳能的nil技術(shù)將對應(yīng)5納米節(jié)點邏輯半導(dǎo)體的模式的最小線幅設(shè)定為14納米。此外，隨著掩模技術(shù)的發(fā)展，nil將提供10納米的最小圖案寬度，相當于2納米節(jié)點。

5納米芯片制造設(shè)備業(yè)界由asml主導(dǎo)，因此佳能的納米打印方式將縮小其差距。

有報道稱，佳能的裝備也可能成為中美競爭的新戰(zhàn)線。美國禁止向中國出口euv設(shè)備。這是目前為止能夠制造出5納米或更小芯片的唯一可靠方法。

佳能的技術(shù)完全超越了光刻技術(shù)，可以將必要的電路圖案印刷到硅晶片上。由于它的新穎性，現(xiàn)有的貿(mào)易限制不太可能明確禁止它。

佳能發(fā)言人拒絕評論新設(shè)備是否會受到日本的出口限制。

據(jù)悉，納米壓力機（nano press）是SK海力士和東芝作為光學光刻的低費用替代方案推進的，東芝的前存儲器事業(yè)部負責人在納米壓力機商用化之前，曾對佳能的納米壓力機進行過測試。

佳能在2014年收購了納米印花的先驅(qū)molecular imprints inc.對該技術(shù)進行了近10年的研究。佳能還以2025年啟動為目標，20年來首次在東京北部的宇都宮市建設(shè)照相設(shè)備新工廠。