10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動。

借此，我們注意到這家一亮相便驚艷四座的GaN賽道的“掃地僧”——在氮化鎵行業(yè)長期耕耘、專注專精、做深做細、低調沉潛的形象，恰如金庸筆下武功深不可測而又難掩鋒芒的無名僧人。

隨著下游市場需求爆發(fā)，第三代半導體逐漸駛進黃金賽道，譽鴻錦半導體入場GaN賽道便帶著一份令人驚嘆的成績單：“僅用1.5年時間從建廠到中試線穩(wěn)定產能達到1.5萬片；7天完成外延至成品器件的周期；量產平均良率達到85%；研發(fā)周期和建線成本較行業(yè)減少2/3...”

那么，譽鴻錦是如何在如此短的時間內，就實現(xiàn)了高效、超高良率、低成本的氮化鎵國產化建設？讓我們一起探究這家國產GaN賽道“掃地僧”背后的故事和產業(yè)抱負。

譽鴻錦董事長閆懷寶

為解氮化鎵普及率低

譽鴻錦發(fā)起一場“產業(yè)效率革命”

正視現(xiàn)狀讓人清醒。

第三代化合物半導體前景廣闊，為霞尚滿天。然而，其市場普及率仍然非常低，與硅基器件相比存在數(shù)量級差距。

從材料成本來說，氮化鎵（GaN）器件并不比硅基器件昂貴。譽鴻錦分析了氮化鎵滲透率依然低的原因：并不是很多人所認為的氮化鎵器件規(guī)模仍然不足，導致成本均攤困難。本質問題出現(xiàn)在產業(yè)效率上，只有把系統(tǒng)效率提升，才能用更低的成本推動器件的大規(guī)模應用。

曾幾何時，器件研發(fā)從流片、封測到驗證等環(huán)節(jié)要等數(shù)月甚至數(shù)年之久，空轉成本可達 2000 多萬元，如果將原本 1 年或 1 個月的研發(fā)生產周期流程壓縮到 7 天，對整個產業(yè)鏈意義不言而喻。

氮化鎵器件實現(xiàn)大規(guī)模應用的關鍵是“物美價廉”，便宜的前提是要大幅提高生產效率。

譽鴻錦半導體正是從這個角度開始解題，提出“產業(yè)效率革命 = 高良率 x IDM 整合 x 高研發(fā)效率 x 設備降本 x 快速應用驗證”，希望從產業(yè)鏈全維度來加速氮化鎵器件的降本，以及大規(guī)模應用普及。

無論是從 IDM 產線構建，還是量產節(jié)奏，以及供應周期來看，“高效”是譽鴻錦現(xiàn)階段進入市場的核心競爭力之一。在目前月產 1.5 萬片的中試線之后，據(jù)譽鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷透露，目前譽鴻錦的月產能已經做到了國內實際上的產能第一，正在建設的二期線將會在今年年底封頂。二期線建成投產后，產能將會達到每月 25 萬片，屆時可能成為全球最大的氮化鎵 IDM 工廠。

譽鴻錦發(fā)起的這一場“產業(yè)效率革命”，是希望從產業(yè)鏈全維度來加速氮化鎵器件的降本。

登高而招，順風而呼，頗有產業(yè)戰(zhàn)略野心。

成本減少2/3

Super IDM產業(yè)集群新模式

據(jù)了解，譽鴻錦首創(chuàng)能夠讓氮化鎵實現(xiàn)產業(yè)效率革命的Super IDM 產業(yè)集群生態(tài)模式：Super IDM產業(yè)集群 = 上游設備材料 + IDM +終端技術應用+ 零售服務生態(tài)鏈”，是包括設備&材料端、自主全流程IDM、銷售與技術服務體系群以及終端產品應用生態(tài)鏈的Super IDM產業(yè)集群概念。

譽鴻錦品牌戰(zhàn)略官張雷

憑借 85% 平均量產良率獲得高一致性器件，譽鴻錦實現(xiàn)了高集成度 IDM-7 天制造周期、高研發(fā)效率使時間縮短 2/3，自研設備和設備國產化使成本降低 2/3。

譽鴻錦董事長閆懷寶在發(fā)布會上自信地表示：“這在整個業(yè)界是基本上不可被復制的”，而量產速度，僅僅是冰山一角。

據(jù)了解，譽鴻錦擁有在行業(yè)里數(shù)量最多、工序最為齊全的設備產線。除此之外，譽鴻錦還具備正向的設備調試和組裝能力。譽鴻錦半導體在創(chuàng)立之初就組建了產業(yè)奠基人邵春林博士為首的的技術團隊?；贙now-How的正向研發(fā)能力，根據(jù)目標需求自由選擇甚至開拓新的技術路線，并實現(xiàn)快速制樣和驗證，提升氮化鎵良率；以及短時間內開發(fā)出國內先進的MOCVD設備。

Super IDM 產業(yè)集群的深度耦合，可以實現(xiàn)上游設備自主可控、成本下降，IDM環(huán)節(jié)極致效率，應用終端快速導入和批量驗證，從而實現(xiàn)推動氮化鎵產業(yè)快速普及的產業(yè)目標。

發(fā)布全功率段器件

繪就產業(yè)合作新“藍圖”

值得一提的是，譽鴻錦發(fā)布了從 100V-650V-900~1200V 的全功率段器件，能應用于多種電力電子領域。其中，譽鴻錦正式發(fā)布的行業(yè)首個氮化鎵SBD器件，以及900V藍寶石基氮化鎵晶圓的實物展示引起了行業(yè)的重點關注。

其中1200V/85mΩ的氮化鎵MOSFET在今年第四季度就可以送樣，并且1700V的氮化鎵器件也即將會推出。

與國際頭部友商相比，譽鴻錦的功率器件可以做到海外廠商價格的幾分之一。而且譽鴻錦的氮化鎵器件將以硅器件的價格為目標，推動氮化鎵對硅的加速替代。

目前，譽鴻錦實現(xiàn)了極低外延翹曲控制、均勻性的GaN層厚度以及精準可控的載流子調控等自主關鍵技術能力。具備在氮化鎵、硅、碳化硅和藍寶石襯底上外延生長氮化鎵材料的技術矩陣，以及功率電子、激光與顯示、射頻全產品能力。

譽鴻錦在終端產品生態(tài)鏈平臺上，已經具備儲能充電、電動出行、激光顯示應用等產品品牌。在現(xiàn)場簽約環(huán)節(jié)，譽鴻錦半導體與行業(yè)top的應用型大學“東莞理工”國際微電子學院就共建人才培養(yǎng)和產業(yè)共創(chuàng)平臺項目簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。同時也同“大族激光”旗下的“大族機器人”簽署了氮化鎵電機研發(fā)與應用的產業(yè)合作戰(zhàn)略協(xié)議。

結語

GaN圈“掃地僧”譽鴻錦，已經造就了國產氮化鎵行業(yè)的一份驚喜——不知不覺，不可或缺。經由GaN產業(yè)鏈加碼布局，譽鴻錦半導體已蓄崛起之勢，有望成為國內首屈一指的集研發(fā)、制造、封測及銷售為一體的全產業(yè)鏈半導體整合設備生產模式企業(yè)，冀未來實現(xiàn)國有替代技術突圍。

譽鴻錦表示，他們希望憑借更好的器件良率和一致性，以更少更高的規(guī)格實現(xiàn)全場景需求和優(yōu)勢成本覆蓋，兼顧高性能和低成本的方式推動氮化鎵器件全面普及，以實現(xiàn)譽鴻錦“用氮化鎵半導體改變每個人的生活”的產業(yè)理想。

掃堂亮招者，起于三寸方圓，以就萬仞之深。期待默默投入，堅持長期主義的譽鴻錦亮出更多寶藏。

審核編輯 黃宇