91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

PN結(jié)加反向電壓引起反向電流增大的主要原因是什么?

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-10-19 16:42 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

PN結(jié)加反向電壓引起反向電流增大的主要原因是什么?

PN結(jié)是一種極其重要的電子器件,其作用在于可以控制電流的流動方向及大小。在PN結(jié)中,當外加正向電壓時,電子從N區(qū)向P區(qū)擴散,空穴從P區(qū)向N區(qū)擴散,形成電流;而當外加反向電壓時,電子從P區(qū)向N區(qū)擴散,空穴從N區(qū)向P區(qū)擴散,形成的電流極小。但是,在某些情況下,反向電壓值過大,就會引起反向電流的急劇增加。這是為什么呢?其主要原因如下:

PN結(jié)的禁帶寬度

PN結(jié)是由P型半導體和N型半導體通過擴散、熔合等方式制成的一種結(jié)構(gòu),兩種半導體材料之間會產(chǎn)生一個被稱為“勢壘”的空隙,禁止電子和空穴通過。勢壘的高度可以通過PN結(jié)的材料種類和擺放方式來調(diào)節(jié)。在正向電壓作用下,勢壘高度降低,電子和空穴就可以穿過勢壘,形成電流;而在反向電壓作用下,勢壘高度增加,勢壘的寬度也增加,電子和空穴就被阻擋在勢壘邊緣,不能通過。但是,當反向電壓值過大時,會使得勢壘的寬度減小,這樣即使在反向電壓下,電子和空穴也能夠跨越勢壘,形成反向電流。

載流子的散射

當反向電壓過大時,少量的載流子越過了勢壘,進入P和N區(qū)的反向區(qū)域內(nèi)。在反向區(qū)域內(nèi),這些電子和空穴會與楊楊離子碰撞,產(chǎn)生散射。散射作用產(chǎn)生了新的能量級別,使得這些載流子的能量增加。當然,增加能量也會導致這些載流子更容易突破勢壘,進一步形成反向電流。

PN結(jié)表面的缺陷

PN結(jié)表面的缺陷也是導致反向電流增加的原因之一。PN結(jié)的表面有勢壘擴散電容和荷載載流子擴散電容兩個電容器。當反向電壓增加時,荷載擴散電容器的電壓變小,這時候,載流子沿表面隧道逆向擴散而過,進入PN結(jié)的內(nèi)部,形成大量的反向電流。

PN結(jié)區(qū)的溫度

PN結(jié)區(qū)的溫度升高會使載流子數(shù)量增加,因而反向電流也隨之增加。當PN結(jié)區(qū)的溫度過高時,載流子生成的速度非常大,這時反向電流就會快速增加,甚至會導致PN結(jié)損壞。

綜上所述,當反向電壓過大時,PN結(jié)會在多個方面受到影響,導致反向電流急劇增加。因此,在設(shè)計電路時,需要考慮反向電壓的大小以及PN結(jié)結(jié)構(gòu)的健康狀態(tài),避免反向電流過大,保證電路的正常工作。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電容器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    64

    文章

    6958

    瀏覽量

    107749
  • PN結(jié)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    497

    瀏覽量

    51677
  • 反向電壓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    75

    瀏覽量

    29052
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    MAX16171:理想的反向電流保護二極管控制器

    MAX16171:理想的反向電流保護二極管控制器 在電子設(shè)計領(lǐng)域,保護電路免受反向電流電壓瞬變的損害是至關(guān)重要的。今天,我們要深入探討的是
    的頭像 發(fā)表于 02-06 16:05 ?142次閱讀

    蘋果17有反向充電嗎?

    蘋果測試反向無線充電,支持設(shè)備應(yīng)急供電,或成未來無線生態(tài)新功能。
    的頭像 發(fā)表于 12-20 08:19 ?1132次閱讀
    蘋果17有<b class='flag-5'>反向</b>充電嗎?

    反激電源開機瞬間輸出二極管反向電壓很高

    求助大家:開機瞬間二極管反向電壓尖峰高,啟動后尖峰電壓恢復正常,這種問題如何解決。增大gate電阻有效,但會犧牲很多效率,改變RC效果不明顯。
    發(fā)表于 11-22 22:05

    PN結(jié)的形成機制和偏置特性

    PN 結(jié)是構(gòu)成二極管、雙極型晶體管、MOS 晶體管等各類半導體器件的核心結(jié)構(gòu),其本質(zhì)是 p 型半導體與 n 型半導體接觸后,在交界面形成的特殊功能薄層。PN 結(jié)的形成
    的頭像 發(fā)表于 11-11 13:59 ?1961次閱讀
    <b class='flag-5'>PN</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>的形成機制和偏置特性

    高效反向導通IGBT的原理詳解

    在先進的反向導通絕緣柵雙極晶體管(RCIGBT)中,低導通電壓降(Vce(sat))和集成二極管正向電壓(VF)對于有效減少導通損耗至關(guān)重要。
    的頭像 發(fā)表于 10-10 09:25 ?2415次閱讀
    高效<b class='flag-5'>反向</b>導通IGBT的原理詳解

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    ,因為該晶體管在外加電場下始終處于導通狀態(tài),當通入的電壓小于外加電場時,通過該PN結(jié)正向電壓反向電壓
    發(fā)表于 09-15 15:31

    替代LTC4359帶反向輸入保護理想二極管具有反向高需壓-70V輸入保護

    。如果電源出現(xiàn)故障或短路,快速的反向關(guān)斷時間可以最大限度地減少反向電流瞬變。關(guān)斷模式將理想二極管應(yīng)用的靜態(tài)電流降至9nA,當PC2559替換大電流
    發(fā)表于 06-17 16:25

    如何理解MDD肖特基整流橋的最大反向電壓與平均電流規(guī)格?

    在電子電源系統(tǒng)中,MDD肖特基整流橋因其低正向壓降、高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、適配器、LED驅(qū)動、充電器等設(shè)備。而在選型與應(yīng)用過程中,最大反向電壓與平均整流電流(IF(AV))是兩項
    的頭像 發(fā)表于 06-16 10:35 ?868次閱讀
    如何理解MDD肖特基整流橋的最大<b class='flag-5'>反向</b><b class='flag-5'>電壓</b>與平均<b class='flag-5'>電流</b>規(guī)格?

    模擬電路入門100個知識點

    電源之間必須加入一個電阻。 5、電子技術(shù)分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩大部分,其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓電流信號下工作的電子電路及其技術(shù),稱為模擬電子技術(shù)。 6、PN結(jié)
    發(fā)表于 04-25 15:51

    模電200問(有問有答)

    阻擋層變薄,正向電流電壓的增長按指數(shù)規(guī)律增長,宏觀上呈現(xiàn)導通狀態(tài),而加上反向電壓時,情況與前述正好相反,阻擋層變厚,電流幾乎完全為零,宏觀
    發(fā)表于 04-21 16:22

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    該晶體管在外加電場下始終處于導通狀態(tài),當通入的電壓小于外加電場時,通過該PN結(jié)正向電壓反向電壓
    發(fā)表于 04-15 10:24

    模電200問

    什么具有單向?qū)щ娦? 9、在PN結(jié)反向電壓時果真沒有電流嗎? 10、二極管最基本的技術(shù)參數(shù)是什
    發(fā)表于 04-07 10:21

    數(shù)據(jù)手冊#TPS731系列 150-mA,高精度,超低壓差電壓調(diào)節(jié)器,帶反向電流保護和啟用功能

    TPS731xx 系列低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器采用新的拓撲結(jié)構(gòu): 采用電壓跟隨器配置的 NMOS 傳輸元件。此拓撲使用 output 時很穩(wěn)定 電容器具有低等效串聯(lián)電阻 (ESR),甚至允許在沒有 電容器。該器件還提供高反向阻塞 (低
    的頭像 發(fā)表于 03-11 16:36 ?901次閱讀
    數(shù)據(jù)手冊#TPS731系列 150-mA,高精度,超低壓差<b class='flag-5'>電壓</b>調(diào)節(jié)器,帶<b class='flag-5'>反向</b><b class='flag-5'>電流</b>保護和啟用功能

    數(shù)據(jù)手冊#TPS73601-EP 增強型產(chǎn)品、無電容 NMOS、具有反向電流保護的 400mA 低壓差穩(wěn)壓器

    TPS736xx 系列低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器采用一種新的拓撲結(jié)構(gòu),即采用電壓跟隨器配置的 NMOS 傳輸元件。這種拓撲結(jié)構(gòu)使用低 ESR 的輸出電容器時很穩(wěn)定,并且允許在沒有電容器的情況下工作。它還提供高反向阻塞 (低反向
    的頭像 發(fā)表于 03-10 15:27 ?873次閱讀
    數(shù)據(jù)手冊#TPS73601-EP 增強型產(chǎn)品、無電容 NMOS、具有<b class='flag-5'>反向</b><b class='flag-5'>電流</b>保護的 400mA 低壓差穩(wěn)壓器

    數(shù)據(jù)手冊#TPS73133-EP 增強型產(chǎn)品、無電容 NMOS、具有反向電流保護的 150mA 低壓差穩(wěn)壓器

    TPS731xx 系列低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器采用一種新的拓撲結(jié)構(gòu):采用電壓跟隨器配置的 NMOS 傳輸元件。這種拓撲結(jié)構(gòu)使用低 ESR 的輸出電容器時非常穩(wěn)定,甚至允許在沒有電容器的情況下工作。它還提供高反向阻塞 (低反向
    的頭像 發(fā)表于 03-10 14:16 ?776次閱讀
    數(shù)據(jù)手冊#TPS73133-EP 增強型產(chǎn)品、無電容 NMOS、具有<b class='flag-5'>反向</b><b class='flag-5'>電流</b>保護的 150mA 低壓差穩(wěn)壓器