91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

無氫氟蝕刻劑中鈦選擇性濕蝕刻銅的研究

jf_01960162 ? 來源: jf_01960162 ? 作者: jf_01960162 ? 2023-10-23 09:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言

眾所周知,微尺度和納米尺度的地形結(jié)構(gòu)對真核細(xì)胞和原核細(xì)胞的行為都有顯著的影響。例如,具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發(fā)這種結(jié)構(gòu)提供了一種無藥物的方法來對抗感染,這被認(rèn)為是一種替代釋放抗菌劑的常見抗菌表面的替代品。

這種地形的特征(如形狀、高度/深度、直徑、空間和空間排列)也可以用來注入干細(xì)胞命運的重要因素。因此,利用納米尺度的地形圖是實現(xiàn)植入物所需的生物功能的一種強有力的方法,如改善骨整合(即整合到宿主骨組織中)和抗菌特性。

RIE可以在大面積上快速生成仿生的、高縱橫比的納米結(jié)構(gòu),而不需要任何面具。Tis工藝已被應(yīng)用于創(chuàng)建具有抗菌性能的bSi地形,然而,硅并不是骨科植入物材料的合適選擇。鈦及其合金代表一個重要的生物材料,骨科和牙科應(yīng)用由于屬性的組合如細(xì)胞相容性、耐腐蝕,低密度,相對較低的彈性模量與其他金屬生物材料。因此,在鈦基質(zhì)上創(chuàng)建RIE地形在臨床上具有高度相關(guān)性。

實驗與討論

這項工作的目的是作為降低其在鈦植入物更理想的表面生物功能方面的潛力的必要步驟,研究ICP RIE條件對鈦表面結(jié)構(gòu)的形貌、親水性和力學(xué)性能的影響。英思特研究的ICP RIE條件為:時間、射頻和ICP功率、腔室壓力、溫度和氣體組成。我們采用納米壓痕法測量了三種ICP RIE納米級結(jié)構(gòu)的彈性模量和硬度。在鑒定之后,通過使用植入物相關(guān)感染中常見的菌株和革蘭氏陰性菌,以及培養(yǎng)成骨前細(xì)胞,初步評估了ICP RIE處理表面的抗菌特性和細(xì)胞相容性。

一分鐘的蝕刻不足以形成任何清晰的蝕刻結(jié)構(gòu)(圖1a、b)。此外,這些標(biāo)本在ICP RIE后的顏色沒有變化。5分鐘后可在表面形成黑色Ti納米結(jié)構(gòu)(圖1c、d)。在此條件下,Te非常短的納米柱相互連接,形成一個多孔網(wǎng)絡(luò)(圖1c)。在這項研究中,我們將納米柱之間的連接稱為“支柱”(圖1c中有兩個紅色箭頭顯示其中一個)。鈦晶界分布良好,如圖2c、e所示。

在此條件下,納米柱的Te長度為478±70nm(圖1g),支柱的厚度為25.2±7.5nm。隨著從5 min增加到20 min,納米結(jié)構(gòu)的長度增加到1.4±0.2μm(圖1f,g),而納米結(jié)構(gòu)的支柱與5 min的厚度幾乎相同(圖1)。

腔室壓力對蝕刻表面的形態(tài)和潤濕性的影響。隨著壓力的增加,納米顆粒的長度和潤濕性逐漸減小。此外,蝕刻更為全方位,柱側(cè)壁不再垂直。

對于在0°C下生產(chǎn)的樣品,其表面相對較厚,納米結(jié)構(gòu)彼此緊密相連(圖2a,b)。在此條件下,納米柱的Te長度為0.6±0.1μm(圖2)。當(dāng)溫度升高到20°C時,側(cè)壁的蝕刻速率提高,納米結(jié)構(gòu)開始相互分離(圖2c,d)。在較高的溫度下(如40°C和60°C),形成了更高的納米柱和更大的孔隙(圖2e,g)。單個納米柱可識別,并具有測量其直徑的可能(圖2f,h)。與納米結(jié)構(gòu)的形狀和輪廓無關(guān),蝕刻速率從0°C到40°C幾乎是線性關(guān)系(圖2)。在60°C時,觀察到一個急劇的增加(圖2)。

wKgaomU1zuKAUgXbAALROH_Fx6U754.png

圖1:使用不同的Δt值創(chuàng)建的Ti納米結(jié)構(gòu)的掃描電鏡顯微圖

wKgZomU1zx2AUcboAAOfbP4XAQU711.png

圖2:使用不同的腔室溫度值創(chuàng)建的鈦納米結(jié)構(gòu)的掃描電鏡顯微圖

結(jié)論

在本研究中,英思特全面地評估了主要的ICP RIE工藝參數(shù)對鈦上所產(chǎn)生的納米結(jié)構(gòu)特性的影響。通過系統(tǒng)地改變ICP RIE參數(shù),可以產(chǎn)生具有不同形狀、長度、直徑、表面潤濕性和力學(xué)性能的納米結(jié)構(gòu)。Te蝕刻的形態(tài)包括多孔結(jié)構(gòu)和不同直徑(26-76nm)、長度(0.5-5.2μm)的納米孔結(jié)構(gòu)和聚類程度。

納米柱的長度和形狀是對ICP RIE工藝條件較敏感的特征。接觸角測量結(jié)果表明,Ti ICP RIE納米結(jié)構(gòu)具有親水性,水接觸角在7°±2°和57°±5°之間。研究發(fā)現(xiàn),腔室的Te壓力對所產(chǎn)生的納米結(jié)構(gòu)的形成有重大影響。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 蝕刻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    428

    瀏覽量

    16622
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    博世碳化硅垂直溝槽蝕刻技術(shù)的核心優(yōu)勢

    隨著全球汽車行業(yè)向電動化轉(zhuǎn)型,碳化硅芯片因其卓越的性能,成為電動汽車發(fā)展的關(guān)鍵推動力以及眾多整車廠的首選。在這一技術(shù)前沿,博世憑借其創(chuàng)新的溝槽蝕刻技術(shù),尤其是垂直溝槽結(jié)構(gòu)的開發(fā),正在重新定義半導(dǎo)體設(shè)計和制造的標(biāo)準(zhǔn)。本文將介紹博世溝槽蝕刻技術(shù)的核心優(yōu)勢,以及垂直芯片結(jié)構(gòu)相較
    的頭像 發(fā)表于 01-19 15:45 ?458次閱讀

    濕法蝕刻的最佳刻蝕條件是什么

    之間,可實現(xiàn)氧化硅與基底材料的高選擇性刻蝕。例如,BOE溶液通過氟化銨穩(wěn)定HF濃度,避免反應(yīng)速率波動過大。 熱磷酸體系:85%以上的濃磷酸在150–180℃下對氮化硅的刻蝕速率可達50?/min,且對氧化硅和硅基底的選擇比優(yōu)異。 硝酸體系:主要用于硅材料的快速粗加工,
    的頭像 發(fā)表于 11-11 10:28 ?524次閱讀

    蝕刻機遠(yuǎn)程監(jiān)控物聯(lián)網(wǎng)解決方案

    行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在深刻改變多個行業(yè)的工作方式。自動蝕刻機通過利用金屬對電解作用的反應(yīng),能夠精確地將金屬進行腐蝕刻畫,從而制作出高精度的圖紋、花紋及幾何形狀產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 10-15 10:13 ?402次閱讀
    <b class='flag-5'>蝕刻</b>機遠(yuǎn)程監(jiān)控物聯(lián)網(wǎng)解決方案

    晶圓蝕刻用得到硝酸鈉溶液

    晶圓蝕刻過程中確實可能用到硝酸鈉溶液,但其應(yīng)用場景較為特定且需嚴(yán)格控制條件。以下是具體分析:潛在作用機制氧化性輔助清潔:在酸性環(huán)境(如與氫氟酸或硫酸混合),硝酸鈉釋放的NO??離子可作為強氧化
    的頭像 發(fā)表于 10-14 13:08 ?366次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>蝕刻</b>用得到硝酸鈉溶液

    PCB設(shè)計避坑指南:死殘留的危害與實戰(zhàn)處理技巧

    電路回路,就像電路板上的"僵尸區(qū)域"。其產(chǎn)生根源可追溯到多個環(huán)節(jié): 一、電路板上的"僵尸區(qū)域"——死的本質(zhì)解析 1. 蝕刻工藝偏差:化學(xué)蝕刻過程中,過度蝕刻會導(dǎo)致本應(yīng)保留的銅箔被意外
    的頭像 發(fā)表于 09-18 08:56 ?960次閱讀
    PCB設(shè)計避坑指南:死<b class='flag-5'>銅</b>殘留的危害與實戰(zhàn)處理技巧

    選擇性波峰焊焊接溫度全解析:工藝控制與優(yōu)化指南

    在電子制造行業(yè), 選擇性波峰焊(Selective Wave Soldering,簡稱 SWS) ?已經(jīng)成為解決局部焊接需求的重要工藝。它能夠在同一塊 PCB 上,對不同區(qū)域?qū)崿F(xiàn)差異化焊接,避免整板
    的頭像 發(fā)表于 09-17 15:10 ?1228次閱讀

    皮秒激光蝕刻機在消費電子領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

    隨著消費電子產(chǎn)品向著更輕薄、更智能、一體化和高性能化的方向發(fā)展,傳統(tǒng)加工技術(shù)已難以滿足其日益精密的制造需求。激光蝕刻技術(shù),特別是先進的皮秒激光蝕刻,以其非接觸、高精度、高靈活性和“冷加工”等優(yōu)勢
    的頭像 發(fā)表于 08-27 15:21 ?1130次閱讀
    皮秒激光<b class='flag-5'>蝕刻</b>機在消費電子領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

    濕法蝕刻工藝與顯示檢測技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新

    在顯示技術(shù)飛速迭代的今天,微型LED、柔性屏、透明顯示等新型器件對制造工藝提出了前所未有的挑戰(zhàn):更精密的結(jié)構(gòu)、更低的損傷率、更高的量產(chǎn)一致。作為研發(fā)顯示行業(yè)精密檢測設(shè)備的的企業(yè),美能顯示憑借對先進
    的頭像 發(fā)表于 08-11 14:27 ?1476次閱讀
    濕法<b class='flag-5'>蝕刻</b>工藝與顯示檢測技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新

    晶圓蝕刻擴散工藝流程

    ,形成所需的電路或結(jié)構(gòu)(如金屬線、介質(zhì)層、硅槽等)。材料去除:通過化學(xué)或物理方法選擇性去除暴露的薄膜或襯底。2.蝕刻分類干法蝕刻:依賴等離子體或離子束(如ICP、R
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1855次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>蝕刻</b>擴散工藝流程

    晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些

    晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵步驟,旨在去除蝕刻殘留物(如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等),同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理:一、濕法清洗1.溶劑清洗目
    的頭像 發(fā)表于 07-15 14:59 ?2348次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>蝕刻</b>后的清洗方法有哪些

    金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    物的應(yīng)用,并探討白光干涉儀在光刻圖形測量的作用。 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物 配方組成 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物主要由有機溶劑、堿性助劑、緩蝕體系和添加構(gòu)成。有機溶劑如
    的頭像 發(fā)表于 06-24 10:58 ?762次閱讀
    金屬低<b class='flag-5'>蝕刻</b>率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    微加工激光蝕刻技術(shù)的基本原理及特點

    上回我們講到了微加工激光切割技術(shù)在陶瓷電路基板的應(yīng)用,這次我們來聊聊激光蝕刻技術(shù)的前景。陶瓷電路基板(Ceramic Circuit Substrate)是一種以高性能陶瓷材料為絕緣基體,表面通過
    的頭像 發(fā)表于 06-20 09:09 ?1934次閱讀

    Keithley 6517B靜電計在離子選擇性電極和pH測量的優(yōu)勢

    在現(xiàn)代科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用,離子選擇性電極和pH測量扮演著至關(guān)重要的角色。這些技術(shù)廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測、食品工業(yè)、醫(yī)藥研究以及化學(xué)分析等領(lǐng)域。Keithley 6517B靜電計作為一種高
    的頭像 發(fā)表于 06-18 10:52 ?539次閱讀
    Keithley 6517B靜電計在離子<b class='flag-5'>選擇性</b>電極和pH測量<b class='flag-5'>中</b>的優(yōu)勢

    電流在刷勵磁發(fā)電機轉(zhuǎn)子電壓回路的應(yīng)用

    回路不通。提出在滑環(huán)與碳刷接觸面通過連續(xù)電流,消除氣膜和氧化膜的影響,保證滑環(huán)與碳刷之間可靠導(dǎo)通。 引言 刷勵磁系統(tǒng)取消了勵磁用的碳刷、滑環(huán)、整流子,消除了電弧、碳粉、沫對發(fā)電機的危害,可長期
    發(fā)表于 06-17 08:55

    什么是高選擇性蝕刻

    華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工,通過化學(xué)或物理手段實現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
    的頭像 發(fā)表于 03-12 17:02 ?1010次閱讀