羅姆半導(dǎo)體推出了雙 MOSFET，該器件在單個(gè)封裝中集成了兩個(gè) 100V 芯片，使其適用于驅(qū)動(dòng)通信基站和工業(yè)設(shè)備中的風(fēng)扇電機(jī)。這五款新型號(hào)已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)和HP8MEx(Nch+Pch)系列中。

近年來，通信基站和工業(yè)設(shè)備已從傳統(tǒng)的12V/24V系統(tǒng)轉(zhuǎn)向48V系統(tǒng)，以通過降低電流值來提高效率。在這些情況下，開關(guān)MOSFET需要具有100V的耐壓以應(yīng)對(duì)電壓波動(dòng)，因?yàn)轱L(fēng)扇電機(jī)中也使用48V電源進(jìn)行冷卻。

然而，增加擊穿電壓會(huì)增加導(dǎo)通電阻(RDS(on))，導(dǎo)致效率降低，并且難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)低RDS(on)和高擊穿電壓。此外，在一個(gè)封裝中集成兩個(gè)芯片的雙通道MOSFET越來越多地用于節(jié)省風(fēng)扇電機(jī)的空間，而不是通常使用的大量單個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET。

作為回應(yīng)，ROHM 創(chuàng)建了兩個(gè)新系列 – HP8KEx/HT8KEx (Nch+Nch) 和 HP8MEx (Nch+Pch) – 它們利用最新的制造技術(shù)結(jié)合了 Ncher 和 Pch MOSFET 芯片。通過采用具有出色散熱特性的新型背面散熱封裝，兩個(gè)系列都實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的RDS(on)。

因此，與傳統(tǒng)的雙通道MOSFET相比，RDS(on)降低了56%之多(HSOP8為19.6 mΩ，HSMT8 Nch+Nch為57.0 mΩ)，從而顯著降低了功耗。同時(shí)，將兩個(gè)芯片組合在一個(gè)封裝中，通過顯著減少面積來節(jié)省更大的空間。例如，用一個(gè) HSOP8 替換兩個(gè) TO-252 單芯片 MOSFET 可將占位面積減少 77%。

接下來，ROHM 將繼續(xù)開發(fā)雙通道 MOSFET 的低噪聲變體，以承受工業(yè)設(shè)備的最佳電壓。預(yù)計(jì)這將通過節(jié)省空間和降低各種應(yīng)用中的能源消耗，為解決環(huán)境保護(hù)等社會(huì)問題做出貢獻(xiàn)。

審核編輯：彭菁