2023年10月23日，北京賽微電子股份有限公司旗下的子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司成功通過了客戶的驗(yàn)證，他們代工制造的某款MEMS加速度計(jì)獲得了客戶的認(rèn)可。賽萊克斯北京隨后收到了該客戶的采購訂單，開始進(jìn)行首批MEMS加速度計(jì)8英寸晶圓的小批量試生產(chǎn)。

賽微電子的全資子公司瑞典Silex在MEMS慣性傳感器領(lǐng)域已經(jīng)具有豐富的業(yè)務(wù)經(jīng)驗(yàn)。

近年來，賽萊克斯北京持續(xù)增加研發(fā)投入，自主積累基礎(chǔ)工藝，并積極探索各類MEMS器件的生產(chǎn)技巧，致力于為全球通信、生物醫(yī)療、工業(yè)汽車、消費(fèi)電子等各領(lǐng)域的客戶，尤其是中國本土客戶，提供高質(zhì)量的MEMS工藝開發(fā)和晶圓制造服務(wù)，推動(dòng)公司在本土打造和提升自主可控的MEMS生產(chǎn)制造能力，加速本土化替代進(jìn)程。

根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律和公司在國內(nèi)外生產(chǎn)線的實(shí)際運(yùn)營經(jīng)驗(yàn)，不同類型的MEMS芯片通常需要經(jīng)歷從工藝開發(fā)到風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)再到規(guī)模量產(chǎn)的過程，時(shí)間消耗會(huì)有所不同。

mems加速度計(jì)制作工藝

MEMS加速度計(jì)的制作工藝通常包括以下關(guān)鍵步驟：

1. 基底準(zhǔn)備：選擇適當(dāng)?shù)幕撞牧?，通常是硅（Si）晶圓。對(duì)晶圓進(jìn)行清洗和化學(xué)處理，以獲得干凈的表面。

2. 膜層沉積：使用化學(xué)氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）等技術(shù)，在晶圓表面沉積薄膜層，通常采用多層結(jié)構(gòu)。其中，上層是感應(yīng)電極，下層是懸浮結(jié)構(gòu)。

3. 光刻：將光刻膠覆蓋在膜層上，使用投影曝光機(jī)和掩膜板，將光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成所需的結(jié)構(gòu)圖案。

4. 腐蝕加工：使用濕法或干法腐蝕工藝，將未被光刻膠覆蓋的部分物質(zhì)去除，形成加速度計(jì)的結(jié)構(gòu)。通常，通過腐蝕來實(shí)現(xiàn)感應(yīng)電極和懸浮結(jié)構(gòu)。

5. 電極和導(dǎo)線連接：在加速度計(jì)結(jié)構(gòu)上制作金屬電極和導(dǎo)線，用于檢測(cè)和傳輸電信號(hào)。通常使用蒸鍍或其他金屬沉積技術(shù)進(jìn)行電極和導(dǎo)線的制作。

6. 清洗和包封：對(duì)制作好的MEMS加速度計(jì)進(jìn)行清洗和包封，以保護(hù)其結(jié)構(gòu)免受外界污染和損壞。這通常包括使用特殊的封裝材料和技術(shù)。

7. 測(cè)試和質(zhì)量控制：對(duì)制作好的MEMS加速度計(jì)進(jìn)行測(cè)試，以確保其性能符合要求。包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性測(cè)試，以及溫度和濕度等環(huán)境條件下的穩(wěn)定性測(cè)試。

MEMS加速度計(jì)的制作工藝可能會(huì)因制造商和產(chǎn)品的不同而有所差異。上述步驟僅為一般參考，具體的制作工藝可能還涉及其他步驟和技術(shù)。制作MEMS加速度計(jì)需要高精度和復(fù)雜的工藝和設(shè)備，以確保制造出穩(wěn)定和可靠的傳感器器件。

編輯：黃飛