近日，首個采用納米銀燒結(jié)技術的碳化硅模塊在新型半導體二期生產(chǎn)線上順利下線，完成了自包裝、測試及應用老化試驗。

這是納米碳化硅模塊燒結(jié)工藝，使用銅鍵合技術，高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上，工作溫度可達175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上，車輛行駛距離5 - 8%提高了。

據(jù)武漢開發(fā)區(qū)消息，東風集團以“馬赫動力”新一代800v高壓平臺為基礎的z新半導體硅電石模塊工程將于2021年進行第一階段開發(fā)，2022年12月正式確定為量產(chǎn)工程。智新半導體在成立4年時間里，已受理51項專利申請，其中發(fā)明專利40項，已批準專利20項，其中發(fā)明專利11項。

在此之前的2019年6月，東風公司與中國中車合作成立了智新半導體有限公司，開始自主開發(fā)生產(chǎn)車用igbt模塊。2021年7月將開始批量生產(chǎn)第6代igbt基礎生產(chǎn)線。半導體硅電石模塊二期工程將于2022年第三季度動工，2023年5月動工。當時有消息稱，該項目計劃新建一條車輛段igbt模塊生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)30萬輛汽車模塊的生產(chǎn)能力。