美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。

這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用 180nm 微納加工工藝和美格納的最新設計技術(shù)制造。這項先進的技術(shù)通過將電池間距降低 50% 和導通電阻 RDS(on) 降低 42%，增強了之前的 SJ MOSFET 迭代。因此，該產(chǎn)品采用相同的十瓦封裝 (DPAK)，同時提供 175mΩ 的低 RDS(on) 和出色的功率密度。

此外，與上一次迭代相比，總柵極電荷減少了約29%，從而降低了開關(guān)損耗并提高了電源效率。事實上，該產(chǎn)品的電源效率是其最重要的特性之一，因為它為產(chǎn)品設計人員提供了各種應用的靈活性。此外，在柵極和源極之間嵌入了齊納二極管，以增強MOSFET在應用中的魯棒性和可靠性，并保護其免受外部浪涌和靜電放電的影響。

這款新型600V SJ MOSFET具有高效率、靈活設計和可靠性，可用于各種應用，包括服務器、OLED電視和筆記本電腦快速充電器。全球市場研究公司 Omdia 預測，2023 年至 2027 年間，全球服務器出貨量將以每年 8% 的速度增長，而全球 OLED 電視出貨量將以每年 11% 的速度增長，到 2027 年將達到 930 萬臺。

據(jù)美格納稱，該公司計劃在 2024 年發(fā)布更多第 6 代 SJ MOSFET，包括帶有快速恢復體二極管的 MOSFET。

審核編輯：彭菁