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士蘭微電子SSM1R7PB12B3DTFM榮獲“2023年度最佳功率器件獎(jiǎng)”

杭州士蘭微電子股份有限公司 ? 來(lái)源:杭州士蘭微電子股份有限 ? 2023-11-03 16:52 ? 次閱讀
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士蘭微電子榮獲“2023年度硬核芯”大獎(jiǎng)

2023年10月30日,“第五屆硬核芯生態(tài)大會(huì)暨2023汽車芯片技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用論壇”在深圳國(guó)際會(huì)展中心圓滿落幕。

本屆大會(huì)匯集半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)軍者、電子制造企業(yè)高管、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、電子工程師等行業(yè)大咖同臺(tái)演講,為推動(dòng)中國(guó)芯高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)頂尖的思想和智慧。

士蘭微電子SiC電動(dòng)汽車電驅(qū)功率模塊SSM1R7PB12B3DTFM榮獲“2023年度最佳功率器件獎(jiǎng)”。

獲獎(jiǎng)產(chǎn)品:SSM1R7PB12B3DTFM系列

SSM1R7PB12B3DTFM是基于SiC MOS芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)的六單元拓?fù)淠K。該模塊適用于純電動(dòng)汽車等應(yīng)用,具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和高電流密度等特性。

芯片方面優(yōu)化完成低界面態(tài)密度和高溝道遷移率的SiC/SiO2氧化工藝研發(fā),單芯片導(dǎo)通電阻達(dá)到甚至優(yōu)于國(guó)外同級(jí)別器件水平;封裝方面攻克納米銀燒結(jié)、銅線鍵合技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

士蘭微電子作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IDM公司之一,技術(shù)與產(chǎn)品涵蓋眾多領(lǐng)域并保持了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的地位。

未來(lái),士蘭微電子也將以不斷發(fā)展的電子信息產(chǎn)品市場(chǎng)為依托,抓住當(dāng)前半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機(jī)遇,設(shè)計(jì)與制造并舉,強(qiáng)化投入,持續(xù)提升特色工藝集成電路產(chǎn)品、功率半導(dǎo)體、傳感器的技術(shù)能力,擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),為成就國(guó)內(nèi)主要的、綜合型的半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)與制造企業(yè)而努力。







審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:士蘭微電子SiC電動(dòng)汽車電驅(qū)功率模塊榮獲“2023年度硬核芯”大獎(jiǎng)

文章出處:【微信號(hào):杭州士蘭微電子股份有限公司,微信公眾號(hào):杭州士蘭微電子股份有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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