今天，讓我們來談談半導體設備中的一種現象—銀遷移(SilverMigration)對可靠性(由于銀涂層、銀焊接和金屬銀作為電極，絕緣電阻會降低，最終形成短路，導致故障)的影響。當然，這種金屬遷移不僅發(fā)生在銀上，還發(fā)生在其他金屬元素(鉛、銅、錫、金等)上;不僅是半導體設備，還有其他涉及金屬元素易于遷移的地方。

銀因其優(yōu)異的導電性、傳熱性、可焊性和低接觸電阻而被廣泛應用于電氣連接和電子產品中。然而，它也是所有可遷移金屬中遷移率最高的金屬(銅的1000倍)，因此它經常受到關注，因此被稱為銀遷移。

1950年，首次發(fā)現銀遷移以兩根銀棒為電極，使其相距12.5mm，將濾紙夾在兩者之間，加上45V電壓，保持相對濕度98%，持續(xù)36h，這是當時的實驗條件。最終結果表明，銀從陰極向陽極生長，形成枝狀結晶，氧化銀(Ag2o)膠體從陽極向陰極擴散。

銀遷移的定義:在適當的條件下，銀從初始位置移動到極端區(qū)域再沉積。

銀遷移可分為離子遷移和電子遷移兩類

以下是陰離子遷移的過程：

①金屬銀由于電位差和從環(huán)境中吸附的電解質(大多數情況下是水)而電離。

Ag→Ag+, H2O→H++OH-

②AgOH分解形成Ag2O，在陽極形成Ag2O，呈膠體狀分散。

2AgOH→Ag2O+H2O。

③Ag+和OH-在陽極生成AgOH沉淀。

Ag++OH-→AgOH。

④產生的Ag2o與水反應，形成陰離子向陰極移動并沉淀，呈樹枝狀。

Ag2O+H2O <-> 2AgoH<->2Ag++OH-

根據上述過程，我們可以知道陰離子遷移的必要條件是：電解質(通常是水)、電勢差和遷移路徑。

我們可以根據必要條件采取一些保護措施：

①盡量采取氣密性、密封前烘烤等措施，避免引入電解液;

②合理布線，保證足夠的間距，合理控制點膠、貼片、焊接等操作，減少電勢差;

③在表面涂上聚合物薄膜層，以阻斷銀遷移路徑。

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審核編輯：湯梓紅