ARK（方舟微）的MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介

ARK（方舟微）研發(fā)銷(xiāo)售的MOS產(chǎn)品主要以N溝道-耗盡型MOSFET為主（包括具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高閾值電壓（UltraVt?）耗盡型MOSFET系列產(chǎn)品），以及N溝道-增強(qiáng)型MOSFET和P溝道-增強(qiáng)型MOSFET。產(chǎn)品耐壓等級(jí)覆蓋0～1700V區(qū)間。

ARK（方舟微）的MOSFET產(chǎn)品大部分都具有柵極ESD保護(hù)設(shè)計(jì)，在一定程度上能夠有效避免客戶(hù)在元件貼裝過(guò)程中或使用過(guò)程中因ESD而出現(xiàn)的產(chǎn)品失效，具有ESD保護(hù)設(shè)計(jì)的MOSFET在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖上有如下特征：

怎么避免和增強(qiáng)型MOSFET混淆？

部分客戶(hù)在初次接觸耗盡型MOSFET時(shí)，若未先行查看其產(chǎn)品規(guī)格書(shū)，則可能會(huì)按照測(cè)試增強(qiáng)型MOSFET的方式直接對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，由于耗盡型MOSFET在柵極零偏壓時(shí)為導(dǎo)通狀態(tài)，因此會(huì)認(rèn)為器件屬于失效產(chǎn)品。

常用的區(qū)分方法是：

查閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)，通過(guò)規(guī)格書(shū)中的介紹和參數(shù)定義進(jìn)行判斷。

可直接在G極浮空的情況下，使用萬(wàn)用表對(duì)MOSFET的D-S導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn)行測(cè)量，若測(cè)得MOSFET的D-S為導(dǎo)通狀態(tài)，且所測(cè)阻值約為產(chǎn)品規(guī)格書(shū)中定義的導(dǎo)通電阻值，則表明該MOSFET為耗盡型MOSFET；若測(cè)得MOSFET的D-S為開(kāi)路狀態(tài)，則表明該MOSFET為增強(qiáng)型MOSFET。

耗盡型MOSFET與JFET的管腳區(qū)分

JFET的D、S管腳通常是對(duì)稱(chēng)的，即D、S管腳在使用時(shí)可以互換；而ARK（方舟微）的耗盡型MOSFET的D、S管腳不具有對(duì)稱(chēng)性，在使用時(shí)D、S管腳不能互換。

對(duì)于N溝道-耗盡型MOSFET，當(dāng)電流方向?yàn)镈→S時(shí)，電流僅能從溝道流過(guò)；當(dāng)電流方向?yàn)镾→D時(shí)，電流較小時(shí)從溝道流過(guò)（體二極管未導(dǎo)通），電流較大時(shí)，會(huì)同時(shí)從溝道和體二極管流過(guò)；N溝道-耗盡型MOSFET關(guān)斷后只能阻斷D→S方向的電壓。

耗盡型MOSFET與JFET的柵極-源極結(jié)構(gòu)近似嗎？

JFET的G-S、G-D之間的結(jié)構(gòu)為PN結(jié)，而耗盡型MOSFET屬于絕緣柵結(jié)構(gòu)，MOSFET的柵極與半導(dǎo)體材料之間隔著柵氧化層，因此通常認(rèn)為MOSFET的輸入阻抗遠(yuǎn)大于JFET。另外因?yàn)檫@種結(jié)構(gòu)上的差異，使得JFET在一定條件下，其G-S可以作為二極管使用，而耗盡型MOSFET的G-S則無(wú)法作為二極管使用。

實(shí)際上MOSFET的輸入阻抗還和芯片本身的結(jié)構(gòu)及芯片大小相關(guān)，ARK（方舟微）研發(fā)的MOSFET大多具有ESD保護(hù)設(shè)計(jì)，在MOSFET的G-S間并聯(lián)有ESD保護(hù)二極管，因此我們會(huì)在其產(chǎn)品規(guī)格書(shū)中看到部分MOSFET的IGSS漏電流可能會(huì)達(dá)到微安級(jí)。