“服務(wù)器和存儲(chǔ)等高可靠性系統(tǒng)需要總線保護(hù)設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)設(shè)計(jì)使用熱插拔控制器和外部分立 FET，然而越來越多的人并不選擇這種解決方案，取而代之的是由 eFuse 提供的更緊湊的解決方案。AOS 將 TrenchFET 技術(shù)與領(lǐng)先的 IC 設(shè)計(jì)相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)緊湊、強(qiáng)壯的 eFuse 方案”。

——AOS 功率 IC 資深市場總監(jiān) Peter Cheng

日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)，生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商，唯樣商城代理品牌Alpha and Omega Semiconductor Limited發(fā)布AOS首款 eFuse 方案，可用于服務(wù)器應(yīng)用中的電源保護(hù)。AOZ18101DI系列是由緊湊的 3mm x 3mm DFN 封裝的 5A eFuse方案，采用 AOS 先進(jìn)的多芯片封裝技術(shù)，結(jié)合了具有保護(hù)功能的高性能 IC 和我們最新的高安全工作區(qū)（ SOA）Trench MOSFET。新器件集成了低 RDS(ON) (20mohm) 背靠背 MOSFET，可在 eFuse 關(guān)閉時(shí)將負(fù)載與輸入總線隔離。

由于服務(wù)器產(chǎn)品的高可靠性要求，所有主路電源均由 eFuse 設(shè)備監(jiān)控和保護(hù)，以保護(hù)主電源總線不會(huì)因故障條件下的異常負(fù)載而中斷。eFuse 持續(xù)監(jiān)控經(jīng)過電源開關(guān)的電流。如果電流高于設(shè)定的限值，eFuse開關(guān)會(huì)將電流限制在可允許的最大值。如果大電流負(fù)載持續(xù)存在，將關(guān)斷內(nèi)部開關(guān)，保護(hù)下游器件負(fù)載免受損壞，也就是充當(dāng)半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲的作用。

AOZ18101DI-01和AOZ18101DI-02集成了真正的反向電流阻斷 (TRCB)功能，即當(dāng)輸出電壓高于輸入電壓時(shí)，進(jìn)行反向電流保護(hù)。此集成IC可替代現(xiàn)有的通過外部 FET 實(shí)現(xiàn) TRCB 功能的eFuse多分立器件方案，實(shí)（找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城）現(xiàn)更高集成度。對(duì)于如硬盤驅(qū)動(dòng)器和服務(wù)器風(fēng)扇等具有高電感反沖的負(fù)載，AOZ18101DI-03和AOZ18101DI-04禁用了此 TRCB 功能，以避免由于反向電流而關(guān)閉輸入電源總線。所有器件都具有啟動(dòng) SOA 管理和其他保護(hù)功能，允許系統(tǒng)突然上電或熱插入 12V 背板。

技術(shù)亮點(diǎn)

工作范圍：3.5V 至 14V

22V 最大絕對(duì)值

導(dǎo)通阻抗：20mΩ 背靠背 MOSFET

保護(hù)功能：可編程過流保護(hù)、真正的反向電流阻斷（AOZ18101DI-01和AOZ18101DI-02）、欠壓閉鎖保護(hù)、過壓保護(hù)、熱關(guān)斷保護(hù)、可編程軟啟動(dòng)、啟動(dòng) SOA 管理

3mm x 3mm DFN-10L封裝

審核編輯 黃宇