11月8日，在TrendForce集邦咨詢以及旗下全球半導(dǎo)體觀察主辦的“MTS2024存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會”上，來自西部數(shù)據(jù)的產(chǎn)品營銷總監(jiān)張丹分享了《重拾市場信心，存儲產(chǎn)業(yè)邁向良性增長》的演講。

NAND Flash即將走出拐點(diǎn)，2024年有望進(jìn)入新一輪增長

西部數(shù)據(jù)的產(chǎn)品營銷總監(jiān)張丹女士表示：“存儲行業(yè)是具有較強(qiáng)周期性和宏觀性的行業(yè)，它在不斷地循環(huán)。存儲行業(yè)的良性循環(huán)周期從新技術(shù)開始，到成本產(chǎn)能、價格、新市場、投資，最終再次回到新技術(shù)。2023年之后，NAND Flash即將渡過低谷期，步入復(fù)蘇增長階段，有望在明年進(jìn)入新一輪的增長?！?/p>

IDC報(bào)告顯示，大數(shù)據(jù)時代加速到來，2023年正在增長的數(shù)據(jù)量將達(dá)到123ZB，其中將催生8ZB的數(shù)據(jù)存儲需求，只占據(jù)6.5%的份額?！癗AND Flash目前只占比較小部分，可以想象已經(jīng)被存儲下來的8ZB數(shù)據(jù)的體量有多么宏大，只要持續(xù)在存儲行業(yè)進(jìn)行優(yōu)化和創(chuàng)新，廣闊天地大有作為?！?張丹分析說。

兩大需求驅(qū)動數(shù)據(jù)量增長。張丹指出，隨著大量的AI技術(shù)成熟，尤其是今年生成式AI技術(shù)的賦能，預(yù)計(jì)在未來的2-3年生成式AI會進(jìn)入很多行業(yè)進(jìn)行試用，數(shù)據(jù)生成數(shù)據(jù)本身也會加速數(shù)據(jù)的增長。此外，在細(xì)分領(lǐng)域下，我們發(fā)現(xiàn)以邊云一體的場景下數(shù)據(jù)增長速度要快于終端數(shù)據(jù)增長的速度。

大量的數(shù)據(jù)增長需要大量的存儲讓數(shù)據(jù)落地。根據(jù)Gartner報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)在2024年-2025年之間，F(xiàn)lash存儲行業(yè)會達(dá)到1ZB 的水平。市場仍然會持續(xù)增長，預(yù)計(jì)到2026年會增長到一個接近甚至超過1.5ZB的水平。

進(jìn)入大數(shù)據(jù)時代，3D NAND演進(jìn)邏輯助力產(chǎn)品優(yōu)化

近日，Trendforce報(bào)告指出，由于持續(xù)的晶圓短缺，NAND閃存的價格一直在上漲。隨著下游智能手機(jī)、消費(fèi)電子應(yīng)用的回暖，2024年存儲市場將會有一波新的增長。在存儲市場走向良好趨勢的同時，技術(shù)創(chuàng)新尤為重要。

張丹表示：“過去的二十年間，F(xiàn)lash行業(yè)是從PB到EB的增長，千倍甚至萬倍的增長，這個過程中產(chǎn)生了大量的消費(fèi)級和企業(yè)級的應(yīng)用場景，由此促進(jìn)了NAND Flash行業(yè)的爬坡和需求。在未來兩到三年間，我們堅(jiān)信會迅速地邁入到ZB時代，尤其是以邊云為核心的應(yīng)用和場景?！?/p>

張丹女士對未來FLASH技術(shù)的演進(jìn)方向進(jìn)行了解說，3D NAND將從邏輯擴(kuò)容、垂直擴(kuò)容、水平擴(kuò)容、結(jié)構(gòu)優(yōu)化四象限全方位創(chuàng)新，企業(yè)不能在單一維度去進(jìn)行工藝的變更或者工藝的演進(jìn)，需要通盤考慮四個點(diǎn)，以垂直擴(kuò)容和水平擴(kuò)容為核心，充分解決垂直和水平擴(kuò)容的平衡問題，才能為行業(yè)帶來最優(yōu)性價比產(chǎn)品。

憑借著對市場的洞察和對客戶需求的理解，結(jié)合先進(jìn)的技術(shù)優(yōu)勢，西部數(shù)據(jù)公司提供了從云數(shù)據(jù)中心、汽車、到IoT等領(lǐng)域豐富的產(chǎn)品組合。其中，于今年推出的西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD是一款高性價比的雙端口、大容量PCIe Gen 4.0 NVMe SSD，專為需要高性能、大容量的企業(yè)級存儲客戶設(shè)計(jì)，適用于如分解存儲、對象存儲、存儲服務(wù)器和其他任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用程序和工作負(fù)載。

西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD

Ultrastar DC SN655是一款垂直集成的SSD，提供了簡單且可擴(kuò)展的單端口或雙端口路徑，確保滿足企業(yè)高可用性要求下的持續(xù)數(shù)據(jù)訪問。容量從3.84TB擴(kuò)展到15.36TB，可滿足存儲和混合工作負(fù)載計(jì)算應(yīng)用的要求，并將SSD的可靠性提高到250萬小時的平均故障間隔時間（預(yù)計(jì)）。此外，SN655還為大型非結(jié)構(gòu)化工作負(fù)載提供了超過100萬的最大隨機(jī)讀取IOPs和更高的服務(wù)質(zhì)量 (Qos) 。SN655采用嵌入式U.3 15mm外形尺寸，并向下兼容U.2。SN655還提供了更多企業(yè)級功能，如電源故障保護(hù)和端到端數(shù)據(jù)路徑保護(hù)，以確保在必要時的數(shù)據(jù)可用性。

西部數(shù)據(jù)展示最新第八代218層的NAND Flash

張丹表示，西部數(shù)據(jù)今年發(fā)布的最新第八代3D NAND產(chǎn)品，能夠達(dá)到218層數(shù)，這個是水平擴(kuò)容和垂直擴(kuò)容結(jié)合的結(jié)果。西部數(shù)據(jù)可以在218層數(shù)上達(dá)到相對優(yōu)化的單位比特容量。值得注意的是，西部數(shù)據(jù)在這款新品里第一次引入了CBA技術(shù)，相當(dāng)于存儲單元和周邊電路是分開生產(chǎn)的，然后再進(jìn)行晶圓對晶圓的鍵合。

CBA技術(shù)的引入為存儲產(chǎn)品帶來兩大優(yōu)勢：一、CMOS和周邊邏輯電路是兩片晶圓，邏輯電路的部分可以單獨(dú)生產(chǎn)，不一定要經(jīng)受存儲電路需要的高溫的工藝制程，發(fā)展方向更可控，更可優(yōu)化。二，它們可以分別采用各自的技術(shù)路線進(jìn)行發(fā)展，帶來更高的存儲單元的容量，也可以帶來更好的I/O性能表現(xiàn)。

據(jù)悉，218 層 3D 閃存技術(shù)將位密度提高了約50%，其NAND I/O速度超過 3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了約 60%，同時寫入性能和讀取延遲方面改善了約 20%，為用戶提供更高的性能和可用性。

在演講的最后，張丹女士總結(jié)了重塑良性增長周期的路徑，公司將做好市場需求和技術(shù)演進(jìn)之間的平衡，多維度發(fā)展擴(kuò)容技術(shù)，從而支撐數(shù)據(jù)價值，強(qiáng)化良性循環(huán)。此外，她還透露，未來西部數(shù)據(jù)將利用其BiCS 8開拓NAND Flash的新時代。

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