近日，山東華光光電子股份有限公司兩項(xiàng)新技術(shù)取得突破，經(jīng)山東電子學(xué)會(huì)組織專家進(jìn)行鑒定，評(píng)價(jià)為國(guó)際先進(jìn)水平。

01.

十萬(wàn)瓦級(jí)面陣用808nm激光器巴條研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

本項(xiàng)目攻克了高應(yīng)變量子阱外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、多層應(yīng)力補(bǔ)償復(fù)合金屬結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、低位錯(cuò)腔面鈍化等關(guān)鍵技術(shù)，研制的高功率巴條可用于十萬(wàn)瓦級(jí)面陣模塊，實(shí)現(xiàn)單巴條輸出功率提升74%、效率提升8%，具有大脈沖能量和高峰值功率，助力國(guó)內(nèi)高端十萬(wàn)瓦級(jí)以上半導(dǎo)體激光泵源的性能迭代。

經(jīng)山東電子學(xué)會(huì)科技成果評(píng)價(jià)，專家一致認(rèn)為該成果在芯片波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、電極結(jié)構(gòu)以及腔面鈍化結(jié)構(gòu)方面具有創(chuàng)新性，輸出功率和電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。

高光反饋抗性880nm激光器芯片關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化

02.

本項(xiàng)目突破了低應(yīng)力高臺(tái)階覆蓋度電極技術(shù)，設(shè)計(jì)了多層梯度金屬結(jié)構(gòu)，使芯片側(cè)向梯度溫度降低，減少發(fā)光區(qū)與周圍溫度差，降低應(yīng)力對(duì)發(fā)光區(qū)的影響，輸出功率 由15W提升到18W ，提升了20%，研發(fā)出的高功率880nm激光器芯片與國(guó)際標(biāo)桿廠商產(chǎn)品水平相當(dāng)。

經(jīng)山東電子學(xué)會(huì)科技成果評(píng)價(jià)，專家一致認(rèn)為成果在量子阱外延結(jié)構(gòu)、應(yīng)力補(bǔ)償以及腔面鈍化方面具有創(chuàng)新性，輸出功率和電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。

這兩項(xiàng)新技術(shù)的發(fā)布進(jìn)一步體現(xiàn)了華光光電在半導(dǎo)體激光器泵源領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，華光光電將以此為契機(jī)，持續(xù)加強(qiáng)重要技術(shù)創(chuàng)新，不斷提升企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力，以半導(dǎo)體激光器核心元器件為切入口，走光電子集成的道路，致力于成為國(guó)際先進(jìn)的光電子產(chǎn)品提供商和領(lǐng)先的解決方案服務(wù)商。

這兩項(xiàng)新技術(shù)的發(fā)布進(jìn)一步體現(xiàn)了華光光電在半導(dǎo)體激光器泵源領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力，華光光電將以此為契機(jī)，持續(xù)加強(qiáng)重要技術(shù)創(chuàng)新，不斷提升企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力，以半導(dǎo)體激光器核心元器件為切入口，走光電子集成的道路，致力于成為國(guó)際先進(jìn)的光電子產(chǎn)品提供商和領(lǐng)先的解決方案服務(wù)商。

審核編輯：劉清