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古石188W多口桌面充電器選用森國(guó)科SiC二極管應(yīng)用案例

森國(guó)科 ? 來(lái)源:森國(guó)科 ? 2023-11-27 16:37 ? 次閱讀
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經(jīng)專業(yè)拆解機(jī)構(gòu)——充電頭網(wǎng)的拆解報(bào)告顯示:古石一款188W多口氮化鎵桌面充電器的PFC升壓電感采用森國(guó)科第五代TMPS碳化硅二極管:型號(hào)為KS08065D,耐壓650V,正向電流8A,最高工作溫度175℃,采用PDFN5*6封裝。

經(jīng)過(guò)性能測(cè)試和市場(chǎng)驗(yàn)證,森國(guó)科多款碳化硅二極管產(chǎn)品型號(hào)可用于PD電源,以下選型僅供參考:

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深圳市森國(guó)科科技股份有限公司是一家專業(yè)從事碳化硅(SiC)功率器件設(shè)計(jì)及銷售的國(guó)家高新科技企業(yè),總部設(shè)在深圳。現(xiàn)主營(yíng)的第五代650V和1200V SiC二極管系列、1200V SiC MOSFET產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn),合作的客戶涉及了新能源汽車、光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器、礦機(jī)電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源、充電樁電源模塊等多個(gè)大型領(lǐng)域。

森國(guó)科合作最密切的供應(yīng)商是全球公認(rèn)的特色工藝第一名的X-FAB,我們的產(chǎn)品在封裝工藝上取得了重大突破,完成了從SMA到TO-247全系列的產(chǎn)品封裝布局,推出了最低漏電流、最小封裝、最低Vf的各系列SiC器件,可滿足客戶的多樣化需求。

前言

充電頭網(wǎng)拿到了古石一款188W多口氮化鎵桌面充參考設(shè)計(jì),這款桌面充內(nèi)置ST意法半導(dǎo)體二合一控制器和氮化鎵半橋芯片,采用數(shù)字內(nèi)核控制,具有小體積,高性能,高集成度優(yōu)勢(shì),滿足多口快充以及其他大功率應(yīng)用,為未來(lái)PD3.1充電器帶來(lái)更靈活的解決方案。

充電器設(shè)計(jì)為3C2A輸出,其中USB-C1和C2接口均具備140W PD3.1輸出。其他接口也支持快充,可滿足電腦手機(jī)同時(shí)充電需求。下面就帶來(lái)這款桌面充的參考設(shè)計(jì)解析,一起看看內(nèi)部設(shè)計(jì)。

古石188W多口桌面充電器邊緣弧面過(guò)渡,產(chǎn)品整體看去扁平而圓潤(rùn),機(jī)身正背面和邊緣外殼噴刷銀灰色金屬漆,商務(wù)氣息十足。

機(jī)身頂部印有188W GaN Fast,左側(cè)設(shè)有指示燈。

底部外殼印有充電器參數(shù)。

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產(chǎn)品參數(shù)特寫(xiě)

型號(hào):GS-W188A0957

輸入:100-240V~50/60Hz 2.5A

USB-C1/C2輸出:5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V5A、28V5A

AVS:15V-28V5A 140W Max

USB-C3輸出:5V3A、9V3A、12V2.5A、15V2A、20V1.5A

PPS1:3.3V-11V3A

PPS2:3.3V-16V2A 30W Max

USB-A1輸出:3.3-12V2.2A、5V3A、9V2A、12V1.5A 22W Max

USB-A2輸出:5V3A、9V2A、12V1.5A 18W Max

雙口輸出:

C1+C2:100W+65W 165W Max

C1/C2+C3:140W+30W 170W Max

C1/C2+A1:140W+22W 162W Max

C1/C2+A2:140W+18W 158W Max

C3+A1:5V3A 15W Max

C3+A2:30W+18W 48W Max

A1+A2:22W+18W 40W Max

三口輸出:

C1+C2+C3:100W+45W+30W 175W Max

C1+C2+A1:100W+45W+22W 167W Max

C1+C2+A2:100W+45W+18W 163W Max

C1/C2+(C3+A1):100W+15W 155W Max

C1/C2+C3+A2:140W+30W+18W 188W Max

C1/C2+A1+A2:140W+22W+18W 180W Max

(USB-C3+A1)+A2:15W+18W 33W Max

四口輸出:

C1+C2+(C3+A1):100W+45W+15W 160W Max

C1+C2+C3+A2:100W+30W+30W+18W 178W Max

五口輸出:

C1+C2+(C3+A1)+A2:100W+45W+15W+18W 178W Max

產(chǎn)品通過(guò)了CB、CE、UKCA、FCC、PSE、UL、KC、CCC認(rèn)證。

四端設(shè)有防滑墊。

輸入端為8字插口。

輸出端配備3C2A五個(gè)USB接口,最多可同時(shí)給五臺(tái)設(shè)備供電。

實(shí)測(cè)這款桌面充電器機(jī)身長(zhǎng)度為123.38mm。

寬度為90.4mm。

厚度為33.3mm。

另外測(cè)得充電器凈重約為525g。

古石 x 意法188W充電器參考設(shè)計(jì)解析

看完了這款參考設(shè)計(jì)的外觀,下面就進(jìn)行拆解,對(duì)這款參考設(shè)計(jì)進(jìn)行詳細(xì)解析,一起來(lái)看看設(shè)計(jì)和用料如何。

撬開(kāi)充電器前后和左右兩側(cè)的蓋板打開(kāi)充電器外殼,內(nèi)部PCBA模塊固定黃銅散熱片。

PCBA模塊通過(guò)螺絲固定。

擰下固定螺絲,取出PCBA模塊。

在PCBA模塊背面粘貼散熱銅片和絕緣麥拉片。

使用游標(biāo)卡尺測(cè)得PCBA模塊長(zhǎng)度約為117.76mm。

PCBA模塊寬度約為82mm。

PCBA模塊厚度約為24.33mm。

拆下PCBA模塊正面的散熱片,主板正面幾近灌膠處理,導(dǎo)熱膠填充器件縫隙同時(shí)起到加固作用。

將導(dǎo)熱膠清理干凈,PCBA模塊正面一覽,右側(cè)為交流輸入端,焊接電源插座,保險(xiǎn)絲,壓敏電阻,安規(guī)X2電容,共模電感。向左焊接整流橋,濾波電容和濾波電感,下方為PFC升壓電感,NTC熱敏電阻高壓濾波電容。在PFC升壓電感左側(cè)為變壓器,變壓器上方焊接輸出濾波電容電感,下方焊接諧振電容和諧振電感,左側(cè)為降壓輸出小板。

PCBA模塊背面焊接PFC開(kāi)關(guān)管,PFC整流管,ST意法半導(dǎo)體二合一控制器,ST意法半導(dǎo)體氮化鎵半橋芯片,同步整流控制器和同步整流管,還焊接一顆反饋光耦和兩顆貼片Y電容。

通過(guò)對(duì)PCBA模塊的觀察發(fā)現(xiàn),這款參考設(shè)計(jì)采用ST意法半導(dǎo)體 PFC+LLC二合一方案,并使用氮化鎵開(kāi)關(guān)管用于PFC升壓,氮化鎵半橋芯片用于LLC開(kāi)關(guān)電源,同步整流控制器也來(lái)自意法半導(dǎo)體,固定電壓輸出。輸出電壓通過(guò)降壓電路進(jìn)行輸出。

PCBA模塊輸入端一覽,焊接電源輸入插座,保險(xiǎn)絲,壓敏電阻,共模電感和安規(guī)X2電容,左側(cè)焊接高壓濾波電容。

輸入端保險(xiǎn)絲來(lái)自誠(chéng)潤(rùn)電子,規(guī)格為5A 250V。

壓敏電阻來(lái)自嵩隆,型號(hào)VDR14D471K,用于吸收雷擊浪涌。

共模電感采用漆包線和絕緣線繞制。

安規(guī)X2電容來(lái)自JURCC捷威,規(guī)格為0.68μF。

PCBA模塊側(cè)面焊接安規(guī)X2電容,共模電感,整流橋,濾波電容和濾波電感,固態(tài)電容和濾波電感以及輸出降壓小板。

第二級(jí)共模電感采用扁銅線繞制,底部焊接絕緣支架。

整流橋來(lái)自XCH旭昌輝,型號(hào)GBU1010,規(guī)格為10A 1000V,使用兩顆并聯(lián)。

兩顆薄膜濾波電容105J450V。

兩顆薄膜電容磁環(huán)電感用于濾波。

意法半導(dǎo)體的STNRG011是一顆數(shù)字化多模式PFC+ST專利time shift控制模式的LLC控制器,內(nèi)置800V高壓?jiǎn)?dòng)電路,內(nèi)置輸入電壓檢測(cè)和X電容放電功能,可降低待機(jī)功耗。內(nèi)置的PFC控制器支持輸入電壓前饋,THD優(yōu)化以及頻率限制,運(yùn)行在增強(qiáng)型固定導(dǎo)通時(shí)間模式下的臨界模式。

STNRG011內(nèi)置整套的PFC保護(hù),諧振半橋的時(shí)間方便控制,支持快速突發(fā)模式的增強(qiáng)型輕載突發(fā)模式,內(nèi)置完整的半橋保護(hù)功能??捎糜陂_(kāi)放式電源、平板電視電源、PC電源和適配器應(yīng)用。

STNRG011采用SO20封裝,引腳采用區(qū)塊化設(shè)計(jì),將高壓和驅(qū)動(dòng)引腳與采樣引腳分開(kāi),便于電路優(yōu)化設(shè)計(jì)。內(nèi)置8位數(shù)字內(nèi)核控制,內(nèi)置數(shù)字算法和硬件模擬電路,實(shí)現(xiàn)高性能和高可靠的電源設(shè)計(jì)。芯片內(nèi)置ROM存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)算法,參數(shù)可在生產(chǎn)階段存儲(chǔ)在器件存儲(chǔ)器中,實(shí)現(xiàn)靈活的功能配置。并支持UART引腳通信,實(shí)現(xiàn)監(jiān)控功能,連接外部存儲(chǔ)器或從外部存儲(chǔ)器更新內(nèi)部存儲(chǔ)信息。

PFC開(kāi)關(guān)管來(lái)自潤(rùn)新微,型號(hào)XG65T125HS1B,耐壓650V,導(dǎo)阻125mΩ,柵極支持20V耐壓,采用QFN8*8封裝。

PFC升壓電感采用利茲線繞制

碳化硅二極管來(lái)自森國(guó)科,型號(hào)KS08065-D,規(guī)格為650V 8A,采用PDFN5*6封裝。

側(cè)面焊接高壓濾波電容、NTC熱敏電阻、諧振電感、諧振電容以及主控芯片供電電容。

NTC熱敏電阻來(lái)自至敏,型號(hào)HNP2R5D15,用于抑制電解電容的充電電流。

高壓濾波電容來(lái)自永銘,規(guī)格為120μF 450V。

LLC開(kāi)關(guān)管來(lái)自ST意法半導(dǎo)體,是一顆半橋氮化鎵芯片,型號(hào)為MASTERGAN4,芯片內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器和兩顆650V耐壓,225mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵開(kāi)關(guān)管。芯片控制信號(hào)走線與功率走線分離設(shè)計(jì),便于走線。

為主控芯片供電的濾波電容來(lái)自JSH萬(wàn)京源,規(guī)格為25V 220μF。

諧振電容來(lái)自JURCC捷威,規(guī)格為0.033μF。

諧振電感磁芯包裹膠帶絕緣。

變壓器次級(jí)采用多層絕緣線繞制。

貼片Y電容來(lái)自四川特銳祥科技股份有限公司,具有體積小、重量輕等特色,非常適合應(yīng)用于氮化鎵快充這類高密度電源產(chǎn)品中。料號(hào)為TMY1471K。

特銳祥專注于被動(dòng)元器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,注冊(cè)資本1億元。旗下有自主電容品牌兩類:SMD TRX及DIP TY電容器,TRX將致力于陶瓷材料的研究,以拓展更多品類的應(yīng)用,為客戶提供更多的解決方案。

充電頭網(wǎng)了解到,特銳祥貼片Y電容除了被倍思高通QC5認(rèn)證100W氮化鎵快充、麥多多100W氮化鎵、OPPO 65W超級(jí)閃充氮化鎵充電器、聯(lián)想90W氮化鎵快充、努比亞65W氮化鎵充電器、倍思120W氮化鎵+碳化硅PD快充充電器等數(shù)十款大功率充電器使用外,也可應(yīng)用于海陸通、第一衛(wèi)、貝爾金等品牌20W迷你快充上,性能獲得客戶一致認(rèn)可。

另一顆貼片Y電容料號(hào)相同。

奧倫德 OR1009光耦用于輸出電壓反饋。

同步整流控制器采用ST意法半導(dǎo)體的SRK2001同步整流控制器,是一顆用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器的自適應(yīng)同步整流控制器,內(nèi)置雙NMOS驅(qū)動(dòng)輸出,支持32V供電電壓,具備35ns的總關(guān)斷延遲,支持標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電壓的同步整流管。

同步整流管來(lái)自芯控源,型號(hào)AGM042N10A,是一顆100V耐壓的NMOS,導(dǎo)阻4.2mΩ,采用PDFN5*6封裝,兩顆用于LLC同步整流。

輸出濾波電容和濾波電感特寫(xiě),電源輸出使用四顆470μF 35V固態(tài)電容濾波

輸出濾波電感特寫(xiě)。

輸出小板正面焊接USB-C和USB-A母座,以及輸出濾波電容。

將小板拆下,背面焊接降壓主控芯片、降壓MOS管和降壓電感,USB-C和USB-A母座均采用過(guò)孔焊接。

USB-C1口降壓協(xié)議芯片都是采用智融SW3566H。這是一款高集成度的多快充協(xié)議雙口充電SOC芯片,支持USB-C和USB-A接口充電,并支持雙口獨(dú)立限流。芯片內(nèi)部集成了高效率同步降壓轉(zhuǎn)換器,支持20V7A和28V5A輸出,支持PD3.1/QC/SCP/UFCS等快充協(xié)議,支持快充協(xié)議定制,最大支持140W輸出功率。

SW3566H集成了CC/CV模式,雙口管理邏輯和母線電壓檢測(cè),搭配對(duì)應(yīng)的降壓開(kāi)關(guān)管和VBUS開(kāi)關(guān)管即可實(shí)現(xiàn)雙口降壓輸出。芯片內(nèi)置的降壓轉(zhuǎn)換器工作頻率為180KHz,支持PWM和PFM工作模式。輸出電流,線損補(bǔ)償?shù)缺Wo(hù)閾值均可通過(guò)I2C接口進(jìn)行設(shè)定,內(nèi)置的ADC可實(shí)現(xiàn)輸入輸出電壓,輸出電流,芯片溫度等9個(gè)通道的數(shù)據(jù)采樣,支持外接MCU進(jìn)行參數(shù)顯示。

SW3566H支持36V輸入電壓,最高輸出電流7A,芯片內(nèi)置軟啟動(dòng),輸入過(guò)壓/欠壓保護(hù),輸出過(guò)壓/欠壓保護(hù),輸出過(guò)流/短路保護(hù),DP/DM/CC過(guò)壓保護(hù),芯片過(guò)熱保護(hù)和外接NTC熱敏電阻保護(hù),以及限功率保護(hù)。芯片采用QFN4*4-32封裝。

兩降壓MOS管采用芯電元PES055N04G,NMOS,耐壓40V,DFN5x6-8L封裝。

USB-C1口輸出VBUS開(kāi)關(guān)管采用冠禹KS4216MAT,NMOS,耐壓40V,PDFN3333封裝。

USB-C2口降壓電路的降壓協(xié)議芯片也是采用智融SW3566H。

降壓MOS管采用冠禹KS4216NAT,NMOS,耐壓40V,采用PDFN5060封裝。

USB-C2口輸出VBUS開(kāi)關(guān)管也是采用冠禹KS4216MAT。

USB-C3和USB-A1口降壓協(xié)議IC采用智融SW3517S。這是一款高集成度的多快充協(xié)議雙口充電芯片,支持A+C口任意口快充輸出,支持雙口獨(dú)立限流。其集成了5A高效率同步降壓變換器,支持 PPS、PD、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP等多種快充協(xié)議,最大輸出PD 100W(20V5A),CC/CV 模式,以及雙口管理邏輯。外圍只需少量的器件,即可組成完整的高性能多快充協(xié)議雙口充電解決方案。

USB-A2口降壓協(xié)議芯片采用智融SW3521,這是一款高集成度的多快充協(xié)議充電芯片,其集成了 3.5A 高效率同步降壓變換器,支持 QC/AFC/FCP/SCP/PE/SFCP 等多種快充協(xié)議以及 CC/CV 模式。外圍只需少量的器件,即可組成完整的高性能多快充協(xié)議充電解決方案。

指示燈特寫(xiě)。

輸出小板上二次濾波固態(tài)電容均來(lái)自萬(wàn)京源,有180μF 35V和100μF 35V兩種規(guī)格。

USB-C母座采用過(guò)孔焊接固定,白色膠芯不露銅。

充電頭網(wǎng)拆解總結(jié)

古石這款氮化鎵桌面充參考設(shè)計(jì)具備188W輸出功率,具備3C2A接口配置,其中兩個(gè)USB-C接口支持140W PD3.1快充,并支持功率自動(dòng)分配,可滿足筆記本與手機(jī)同時(shí)快充需求。

充電頭網(wǎng)通過(guò)拆解了解到,古石這款參考設(shè)計(jì)采用ST意法半導(dǎo)體STNRG011二合一控制器,芯片內(nèi)部采用數(shù)字控制,支持PFC和LLC控制,并采用MASTERGAN4氮化鎵半橋芯片。PFC開(kāi)關(guān)管采用潤(rùn)新微XG65T125HS1B氮化鎵開(kāi)關(guān)管,PFC整流管采用森國(guó)科KS08065-D碳化硅二極管。

同步整流控制器采用意法SRK2001搭配芯控源AGM042N10A同步整流管,固定電壓輸出。輸出采用智融SW3566H、SW3517S和SW3521芯片進(jìn)行快充輸出。ST意法半導(dǎo)體這款快充電源采用二合一控制器和氮化鎵半橋芯片,提高了快充電源的集成度,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和調(diào)試,滿足快充電源和大功率適配器應(yīng)用。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:應(yīng)用案例 | 古石188W多口桌面充電器選用森國(guó)科SiC二極管

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    的頭像 發(fā)表于 11-25 09:48 ?734次閱讀
    onsemi BAV99<b class='flag-5'>W</b>雙串列開(kāi)關(guān)<b class='flag-5'>二極管</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    選型手冊(cè):MBR30200W 肖特基勢(shì)壘整流二極管

    仁懋電子(MOT)推出的MBR30200W是一款30A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管,憑借200V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性,適用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
    的頭像 發(fā)表于 11-13 09:35 ?514次閱讀
    選型手冊(cè):MBR30200<b class='flag-5'>W</b> 肖特基勢(shì)壘整流<b class='flag-5'>二極管</b>

    選型手冊(cè):MBR40100W 肖特基勢(shì)壘整流二極管

    仁懋電子(MOT)推出的MBR40100W是一款40A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管,憑借100V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性,適用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件
    的頭像 發(fā)表于 11-13 09:30 ?445次閱讀
    選型手冊(cè):MBR40100<b class='flag-5'>W</b> 肖特基勢(shì)壘整流<b class='flag-5'>二極管</b>

    肖特基二極管怎么用+原理

    肖特基二極管與普通硅二極管(PN結(jié)二極管)最核心的結(jié)構(gòu)差異,就在于它沒(méi)有P+外延層(或P型半導(dǎo)體層),取而代之的是金屬-半導(dǎo)體結(jié)(肖特基結(jié))。 圖表1 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)差異 1.更低
    的頭像 發(fā)表于 09-22 16:40 ?4186次閱讀
    肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>怎么用+原理

    國(guó)650V/10A SiC二極管的七大封裝形態(tài)

    第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件領(lǐng)軍企業(yè)國(guó)推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),針對(duì)不同場(chǎng)景的散熱、空間及絕緣要求,提供7種封裝形態(tài),靈活覆蓋車規(guī)、工業(yè)電源、消費(fèi)電子三
    的頭像 發(fā)表于 08-16 15:55 ?2593次閱讀
    <b class='flag-5'>森</b><b class='flag-5'>國(guó)</b><b class='flag-5'>科</b>650V/10A <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>二極管</b>的七大封裝形態(tài)

    100 W 高功率硅 PIN 二極管 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()100 W 高功率硅 PIN 二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有100 W 高功率硅 PIN 二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,100
    發(fā)表于 07-23 18:30
    100 <b class='flag-5'>W</b> 高功率硅 PIN <b class='flag-5'>二極管</b> skyworksinc

    SiC二極管相比普通二極管有哪些優(yōu)勢(shì)呢?

    在功率電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件。作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表,SiC二極管憑借其物理特性在多方面實(shí)現(xiàn)了性能突破。寬禁帶半導(dǎo)體材料碳禁帶寬度(SiC:3.2eVvs
    的頭像 發(fā)表于 07-21 09:57 ?1463次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>二極管</b>相比普通<b class='flag-5'>二極管</b>有哪些優(yōu)勢(shì)呢?

    45 W 表面貼裝系列連接 PIN 二極管 skyworksinc

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    發(fā)表于 07-16 18:31
    45 <b class='flag-5'>W</b> 表面貼裝系列連接 PIN <b class='flag-5'>二極管</b> skyworksinc

    50 W 表面貼裝分流連接 PIN 二極管 skyworksinc

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    發(fā)表于 07-16 18:31
    50 <b class='flag-5'>W</b> 表面貼裝分流連接 PIN <b class='flag-5'>二極管</b> skyworksinc

    SiC二極管SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)

    和高溫環(huán)境的電子器件中。SiC碳化硅二極管SiC碳化硅MOSFET(絕緣柵雙極晶體)便是其典型代表。本文將探討這兩種器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 16:20 ?1146次閱讀

    新能源汽車充電系統(tǒng)中的肖特基二極管應(yīng)用:如何優(yōu)化能效?|MDD

    充電模塊中不可或缺的重要元器件。一、肖特基二極管充電系統(tǒng)中的作用在新能源汽車的車載充電器(OBC)、DC/DC轉(zhuǎn)換器及整流模塊中,肖特基二極管
    的頭像 發(fā)表于 04-14 10:14 ?1221次閱讀
    新能源汽車<b class='flag-5'>充電</b>系統(tǒng)中的肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>應(yīng)用:如何優(yōu)化能效?|MDD

    SiC MOSFET與肖特基勢(shì)壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能

    使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:16 ?1248次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET與肖特基勢(shì)壘<b class='flag-5'>二極管</b>的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能