電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在市場對AI的不懈追求中，似乎絕大多數(shù)人都把重心放在了算力上。然而決定真正AI計算表現(xiàn)的，還有內(nèi)存這一重要組成部分。為此，除了傳統(tǒng)的標準內(nèi)存選項外，市面上也出現(xiàn)了專門針對AI進行優(yōu)化的內(nèi)存。

高性能AI芯片需要超高帶寬內(nèi)存

無論是英偉達最新的服務(wù)器GPU，還是一眾初創(chuàng)公司推出的AI加速器，我們都可以看到HBM出現(xiàn)的越來越頻繁，比如英偉達H100、谷歌TPU等等。美光、SK海力士和三星等廠商都在布局這類超高帶寬內(nèi)存，用于解決 AI計算中時常出現(xiàn)的內(nèi)存墻問題。

以LLM模型的訓練負載為例，HBM3內(nèi)存與處理器可以與處理器以最高6.4Gb/s的接口速率相連，并實現(xiàn)3.2TB/s的超大帶寬。而且在3D堆疊技術(shù)的支撐下，SoC芯片的面積依然控制在一個合理的范圍內(nèi)。超大的帶寬顯著減少了模型訓練時間，所以我們才能看到如此快的LLM模型更迭速度。

當把模型推向終端應(yīng)用時，效率就和效能一樣重要了。推理帶來的計算成本異常龐大，所以我們需要更低的系統(tǒng)功耗。而HBM內(nèi)存恰好可以在維持“較低”速率的同時，實現(xiàn)與處理器的“近距離接觸”和大帶寬，從而進一步降低整體系統(tǒng)功耗。

當然了，HBM也并非那么完美，不然我們也不會只在服務(wù)器級別的產(chǎn)品上看到它們。隨著HBM而來的是設(shè)計復(fù)雜度和更高的成本，比如需要額外設(shè)計硅中介層等等。但還是由于吃到了AI紅利，HBM的成本也在慢慢降低，甚至有的初創(chuàng)公司在首個AI芯片上就直接采用HBM3內(nèi)存，為的就是充分釋放AI芯片的計算性能。

小芯片的AI夢

隨著AI熱潮的襲來，我們也看到了邊緣端不少AIoT產(chǎn)品開始追逐這一風口，尤其是智能音箱等具備交互能力的設(shè)備。然而以這類設(shè)備主用的MCU芯片而言，本身計算性能就難以與GPU這樣的高性能AI加速器媲美，更別說內(nèi)存帶寬了。

為此，英飛凌推出了HyperRAM這一高速內(nèi)存，相較傳統(tǒng)的pSRAM，HyperRAM成了更高效簡潔的解決方案。HyperRAM基于HyperBus這一接口開發(fā)，相較于其他DRAM內(nèi)存方案，HyperRAM并不見得有壓倒性的帶寬優(yōu)勢，比如最新的HyperRAM 3.0版本，其帶寬最高可達800MB/s。

不同內(nèi)存的工作功耗對比 / 華邦電子

但在同等帶寬下工作時，HyperRAM可以提供更少的引腳數(shù)和更低的功耗，對于不少可穿戴應(yīng)用來說，采用HyperRAM不僅降低所需的PCB面積，也進一步降低了功耗，提高了這類設(shè)備的續(xù)航能力。根據(jù)華邦電子提供的數(shù)據(jù)，同樣64MB的內(nèi)存，HyperRAM可以實現(xiàn)比SDRAM低數(shù)十倍的待機功耗。

時至今日，我們已經(jīng)看到不少頂尖MCU廠商，諸如NXP、瑞薩和TI等，都已經(jīng)提供了支持HyperBus接口的MCU。新思、Cadence等廠商也開始提供HyperBus控制IP，華邦電子也加入HyperRAM的供應(yīng)生態(tài)鏈中來，HyperRAM已然成了AIoT應(yīng)用中MCU乃至MPU外部RAM的理想選擇。

寫在最后

無論是HBM還是HyperRAM，都是AI時代下開始發(fā)光發(fā)熱的內(nèi)存選擇。他們的出現(xiàn)不僅為市場提供了更靈活的設(shè)計選擇，也進一步推動了內(nèi)存技術(shù)在設(shè)計、工藝和封裝上的進步。未來隨著內(nèi)存技術(shù)邁入下一個階段，或許不只有AI應(yīng)用能從中受益。