如果我們嘗試將pn結(jié)焊接到np結(jié)上，我們會得到如圖1所示的器件，其中字母E、B和C分別表示發(fā)射極、基極和集電極。這是對p、n、p三個區(qū)域的命名。

這樣我們就創(chuàng)建了一個PNP型晶體管。

圖1：PNP型晶體管。每個區(qū)域的大小表示

相反，如果我們將np結(jié)焊接到pn結(jié)上，我們就會得到如圖2所示的器件，其中E、B和C在摻雜方面的作用顛倒了。結(jié)果就是一個NPN型晶體管。在這兩種配置中，器件均由JE和JC結(jié)組成。

圖2：NPN型晶體管

晶體管也被稱為半導體三極管，因為它標志著真空管的終結(jié)，就像結(jié)型二極管取代了真空二極管一樣。另一個常見名稱則是BJT，即雙極結(jié)型晶體管的縮寫。雙極屬性是指半導體中的導電性（由電子和空穴決定）。

在圖3中，我們可以看到PNP晶體管的電路符號，其呈現(xiàn)方式主要是為了突出與圖1中圖表的關系。同樣，圖4顯示了NPN晶體管的符號。

圖3：PNP晶體管的電路符號

圖4：NPN晶體管的電路符號

開路晶體管

讓我們以PNP晶體管為例（結(jié)果也可以馬上推廣到NPN晶體管）。在開路條件下，我們預期會出現(xiàn)與單結(jié)類似的行為，即存在接觸電勢（請參閱之前的教程），這實際上是一個勢壘，其目的是阻止空穴從發(fā)射極向基極擴散。如果沒有這樣的勢壘，空穴就會無限地向基極擴散，這顯然不符合物理情況，因為我們正處于開路條件下。如果V0是JE結(jié)處勢壘的高度，那么相似的論證讓我們可以說，JC結(jié)上存在勢壘V‘。假設各個區(qū)域p，n，p具有相同的雜質(zhì)濃度，我們有V0=V′。

熱平衡的實現(xiàn)將通過單個區(qū)域的少數(shù)載流子濃度的恒定值來表征：

我們采用了以下慣例：主字母表示載流子（電子、空穴），第一個下標表示其所屬區(qū)域。例如，符號np告訴我們正在考慮p區(qū)域中的電子（因此是少數(shù)電荷）。最后，第三個下標0表示系統(tǒng)在溫度T0（不一定是室溫）下處于熱力學平衡狀態(tài)。

需要注意的是，我們忽略了耗盡層（在之前的教程中討論過），因為與雙結(jié)層相比，它的大小可以忽略不計。

在p型區(qū)域中，濃度n相同，因為我們假設這些區(qū)域是相同的。如果在笛卡爾坐標系中，我們在橫坐標上標出構(gòu)成PNP晶體管的雙結(jié)的線性尺寸，在縱坐標上標出單一區(qū)域中少數(shù)載流子的濃度（方程（1）），那么在熱力學和開路平衡狀態(tài)下我們將得到如圖5所示的趨勢，其中我們假設pn0》np0。

還應該指出的是，少數(shù)載流子濃度和開路條件下嚴格不變的趨勢是平均操作的結(jié)果，因為這些量圍繞著平均值（即測量值）波動。

圖5：開路NPN晶體管中少數(shù)載流子濃度的趨勢

晶體管偏置

由于存在兩個結(jié)和三個端子，因此極化組合比二極管更多。像前面一樣，讓我們參考PNP晶體管，直接反向偏置JE和JC。在圖6中，顯示了這種極化配置，而圖7則是相應的電路圖。準確地說，我們有一個電壓發(fā)生器，其電壓為VEB，而VCC表示連接到JC的電池產(chǎn)生的電壓。VCB用來表示集電極和基極之間的電位差。

圖6：JE結(jié)正向偏置，而JC結(jié)反向偏置

圖7：JE結(jié)正向偏置，而JC反向偏置

JE的正向偏置降低了勢壘（如上一節(jié)所述），這導致空穴從發(fā)射極向基極擴散，電子從基極向發(fā)射極擴散。因此，在JE的p和n兩個區(qū)域中，少數(shù)載流子的濃度出現(xiàn)了宏觀增長。

讓我們把注意力集中在基極上廣泛存在的空穴上。在這里，我們在JC附近具有以下電荷配置：如果我們測量C和B之間的電勢差，我們會發(fā)現(xiàn)如圖7所示的值，這意味著空穴被集電極C“收集”。然而，JC是反向偏置的，這決定了基極空穴的指數(shù)衰減，因此在JC處，這些載流子的濃度在統(tǒng)計上為零。反過來，JC的反向偏壓會導致JC的p區(qū)電子濃度降低，這將在JC上產(chǎn)生指數(shù)衰減。如前所述，JE p區(qū)中的電子濃度會增加，然后由于結(jié)中大家都熟知的少數(shù)載流子擴散機制而呈指數(shù)衰減。圖8總結(jié)了這些結(jié)論。

圖8：閉路NPN晶體管中少數(shù)載流子濃度的變化趨勢