我們已經(jīng)介紹過關(guān)于采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝的1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7加EC7二極管續(xù)流產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)。

秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了 IGBT7和EC7技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場(chǎng)價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點(diǎn)如下：

1.

采用TO-247 PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)的輔助和主牽引驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用

2.

完整產(chǎn)品組合：在相同外形尺寸下，電流從8A到120A不等

3.

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)靈活，例如開關(guān)磁阻電機(jī) (SRM)的驅(qū)動(dòng)器，可以通過TO-247 PLUS不帶續(xù)流二極管的IGBT串聯(lián)外接二極管實(shí)現(xiàn)

4.

40A這一常用型號(hào)采用了TO-247-4封裝的開爾文發(fā)射極引腳，開通損耗明顯降低，滿足高開關(guān)頻率的苛刻應(yīng)用要求

圖1：英飛凌1200V IGBT7 S7分立式TO系列產(chǎn)品組合（點(diǎn)擊圖片可放大查看）

讓我們重點(diǎn)討論一下TO-247 PLUS封裝--但首先要問幾個(gè)問題。

1.

您的功率變換系統(tǒng)是否需要滿足針對(duì)變頻驅(qū)動(dòng)器（VFD）的嚴(yán)格要求？

2.

您想讓您的變頻器毫不費(fèi)力地獲得更高的額定功率嗎？

3.

您的VFD設(shè)計(jì)中是否并聯(lián)了多個(gè)器件？

如果答案全部是肯定的，那么，TO-247 PLUS封裝就是為您量身打造的！

我聽起來像個(gè)推銷員，對(duì)嗎？那么，讓我們通過一些仿真和實(shí)驗(yàn)室測(cè)試來揭開這些說法的神秘面紗。如果您下載了1200V IGBT7 S7 PLECS模型，并在B6兩電平三相逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中運(yùn)行......結(jié)果是，使用最新發(fā)布的IKQ120N120CS7器件，您可以將輸出功率提高約120%（見圖2）！

圖2：與標(biāo)準(zhǔn)TO-247相比，1200V IGBT7 S7 PLUS 封裝的功率密度有所提高。

條件：800 VDC，散熱器溫度=100°C，cos(φ)=1，mindex=1，fout=50 Hz，RG與數(shù)據(jù)手冊(cè)值一致

芯片的不斷縮小和電流密度的不斷提高一直是功率變換器設(shè)計(jì)關(guān)注的問題。人們普遍擔(dān)憂，新一代芯片盡管具有更高的電流密度，但由于散熱設(shè)計(jì)更具挑戰(zhàn)，新器件可能無法在實(shí)際工況中實(shí)現(xiàn)期待的輸出功率。但圖3澄清了這種擔(dān)憂，與前幾代產(chǎn)品相比，新一代IKW75N120CS7的輸出電流性能更為出色。

因此，如果我是一名推銷員，我只需要說，測(cè)試結(jié)果表明，新型1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7和EC7二極管的損耗降低，抵消了更高電流密度導(dǎo)致的散熱設(shè)計(jì)的難點(diǎn)。此外，測(cè)試結(jié)果表明，IKW75N120CS7具有更高的輸出電流，可以輕松替代兩個(gè)40A級(jí)的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品（工作在相同的 dV/dt），而英飛凌以前的產(chǎn)品（如 IKQ75N120CT2）則不具備這一能力。是時(shí)候更換了！

圖3：IKQ75N120CS7在三相兩電平直流-交流變換器 IGBT和二極管應(yīng)用中的測(cè)試結(jié)果對(duì)比--內(nèi)部和外部競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。（點(diǎn)擊圖片可放大查看）