近日，中國(guó)首座百米超高層數(shù)據(jù)中心——深圳前海信息樞紐大廈完成竣工驗(yàn)收，將集成大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新概念，構(gòu)建智慧城市的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)整合、數(shù)據(jù)分析、數(shù)據(jù)傳輸、數(shù)據(jù)安全等技術(shù)基礎(chǔ)。該數(shù)據(jù)中心在能耗控制、低碳發(fā)展等方面進(jìn)行了大膽創(chuàng)新和實(shí)踐，例如項(xiàng)目貫徹全封閉式“保溫箱”設(shè)計(jì)理念，將機(jī)房功能布置在建筑平面的中心部位，實(shí)現(xiàn)建筑節(jié)能；地下空間附建集中供冷站，提高能源利用率等。其實(shí)，數(shù)據(jù)中心的能源利用一直是“老大難”問(wèn)題。研究表明，空調(diào)系統(tǒng)是數(shù)據(jù)中心提高能源效率的重點(diǎn)環(huán)節(jié)，因?yàn)樗a(chǎn)生的功耗約占數(shù)據(jù)中心總功耗的40%以上。除了優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)（如采用液冷散熱設(shè)計(jì)），若能進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器的電源系統(tǒng)能效，就能減少設(shè)備機(jī)組的發(fā)熱量，減少空調(diào)系統(tǒng)的功率，降低數(shù)據(jù)中心的PUE值（Power Usage Effectiveness）。為了節(jié)省能源，減少能耗，服務(wù)器電源行業(yè)對(duì)整機(jī)效率的要求在逐步提高，如早期的80PLUS白金電源要求50%負(fù)載效率達(dá)到94%，近年又提出了80PLUS鈦金電源，其要求提升到了50%負(fù)載效率達(dá)到96%。傳統(tǒng)的Si基SJ MOSFET器件需要在電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件選型上付出很大代價(jià)才有可能實(shí)現(xiàn)，這樣的方案設(shè)計(jì)難度和調(diào)試難度也會(huì)非常大。為了突破能效轉(zhuǎn)換的“天花板”，以SiC、GaN為代表的第三代功率半導(dǎo)體正是當(dāng)下破題的關(guān)鍵！

注：PUE是評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)中心能源效率的指標(biāo)，是數(shù)據(jù)中心消耗的所有能源與IT負(fù)載使用的能源之比；它的基準(zhǔn)是2，越接近1表明能效水平越好。

向99%轉(zhuǎn)換效率邁進(jìn) 在知名媒體“行家說(shuō)三代半”主辦的『2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇』上，Qorvo高級(jí)應(yīng)用工程師周虎分享道：“以大型數(shù)據(jù)中心為例，若把電源系統(tǒng)的硅功率器件全部替換為碳化硅（SiC），就能帶來(lái)0.8個(gè)百分點(diǎn)的整體能效提升。同時(shí)，使用SiC功率器件可以在每瓦時(shí)用電量上節(jié)約0.05美元的成本，按照100兆瓦規(guī)模的數(shù)據(jù)中心、運(yùn)行十年時(shí)間來(lái)估算，可以節(jié)省多達(dá)700萬(wàn)美元的運(yùn)營(yíng)支出?！?/span>

? ?對(duì)比硅器件，在數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器電源中使用SiC功率器件不僅可以提高電源轉(zhuǎn)換效率，還有諸多好處，包括：

高功率密度 - SiC和Si在相同輸出功率下，SiC電源方案可以采用更高開(kāi)關(guān)頻率，因此體積更小；或者說(shuō)相同體積下，SiC電源方案可以提供更高的輸出功率。以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)者的角度，購(gòu)買(mǎi)更少的電源模塊、即可滿足功率需求，而且部署所占用的空間也更小。
減少被動(dòng)元器件的體積- 在相同的電路中，SiC方案的拓?fù)淇梢员萐i方案更加簡(jiǎn)約，且可以采用更高的開(kāi)關(guān)頻率。這樣可以減少元器件的數(shù)量、降低拓?fù)涞膹?fù)雜度，或者減少感量/容量，降低BOM成本，也減小了體積。
自動(dòng)化裝配 - SiC方案的體積更小、更緊湊。以電源生產(chǎn)商的角度，采用SMT生產(chǎn)線的自動(dòng)化裝配方式，有助于提高電源產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和穩(wěn)定性，降低人工成本。
更好的可靠性- SiC耐壓強(qiáng)度高、熱傳導(dǎo)率高、且開(kāi)關(guān)速度快、可用于開(kāi)關(guān)頻率高的應(yīng)用。在相同封裝、相同工況下，SiC器件的芯片溫度比Si器件更容易控制，這也相應(yīng)提高了產(chǎn)品的可靠性等。

2022年11月1日，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《數(shù)據(jù)中心能效限定值和能效等級(jí)》（GB 40879—2021）在全國(guó)范圍強(qiáng)制實(shí)施。標(biāo)準(zhǔn)將數(shù)據(jù)中心能效等級(jí)分為3級(jí)，1級(jí)表示能效最高，PUE不應(yīng)大于1.20，2級(jí)能效的PUE不應(yīng)大于1.30，3級(jí)能效的PUE不應(yīng)大于1.50。“在政策的推動(dòng)下，為了實(shí)現(xiàn)更低的PUE，數(shù)據(jù)中心趨于采用高能效SiC電源方案已經(jīng)是大勢(shì)所趨。”周虎表示，“Qorvo已經(jīng)攜手合作伙伴臺(tái)達(dá)電子，將Qorvo獨(dú)有的SiC FET技術(shù)應(yīng)用于服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)合，客戶反饋使用效果非常好?！?/span>

在下圖的參考設(shè)計(jì)中，基于Qorvo 750V SiC FET的3.6kW圖騰柱無(wú)橋PFC方案可實(shí)現(xiàn)最高99.37%的轉(zhuǎn)換效率，整體尺寸僅為260 x 102 x 60 mm³，具備重量輕、體積小、高功率密度等優(yōu)點(diǎn)，可以輕松打造符合80PLUS鈦金電源規(guī)范的高性能產(chǎn)品方案。

Qorvo SiC電源方案布局 Yole Development預(yù)測(cè)，SiC功率器件的全球市場(chǎng)規(guī)模有望從2021年的10.9億美元，增長(zhǎng)至2027年的62.97億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)達(dá)到34%。隨著碳化硅材料的興起，Qorvo SiC產(chǎn)品擁有超過(guò)20年技術(shù)沉淀的優(yōu)勢(shì)正在加速市場(chǎng)轉(zhuǎn)化，幫助客戶獲得商業(yè)成功。周虎表示：“Qorvo攜手產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴，長(zhǎng)期聚焦汽車(chē)、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源、電路保護(hù)等領(lǐng)域的SiC創(chuàng)新應(yīng)用，把握功率半導(dǎo)體技術(shù)的大趨勢(shì)，在雙碳的發(fā)展背景下，助力實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排的最終目標(biāo)?！?/span>

1700V的SiC JFETs和FETs（采用獨(dú)特的Cascode架構(gòu)），擁有業(yè)界同類產(chǎn)品中最低的導(dǎo)通電阻和最佳的開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)，兼容符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)器，且大多數(shù)已通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證。了解更多Cascode架構(gòu)的技術(shù)特性，歡迎點(diǎn)擊往期推文《能效轉(zhuǎn)換節(jié)節(jié)高，不一般的Qorvo SiC FET是怎樣煉成的？》~

行家極光獎(jiǎng)

在『2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇』同期的“行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮上，Qorvo750V第四代SiC FET榮獲【年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)】，以表彰Qorvo在SiC技術(shù)創(chuàng)新方面的實(shí)踐與突破！

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Qorvo高級(jí)銷售經(jīng)理Jacbo Li代表公司領(lǐng)獎(jiǎng)

歡呼撒花，再接再厲！??ヽ(°▽°)ノ?

原文標(biāo)題：當(dāng)轉(zhuǎn)換效率提升到99%以上，數(shù)據(jù)中心會(huì)發(fā)生什么？

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