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陛通半導(dǎo)體:15年技術(shù)積累,專注國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備的差異化創(chuàng)新

Monika觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:莫婷婷 ? 2023-12-27 11:14 ? 次閱讀
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歲末年初之際,電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題,收到數(shù)十位國內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點。此次,電子發(fā)燒友特別采訪了上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司執(zhí)行董事、副總裁、市場銷售總經(jīng)理陳浩,以下是他對2024年半導(dǎo)體市場的分析與展望。

上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司執(zhí)行董事、副總裁、市場銷售總經(jīng)理陳浩

2023年市場環(huán)境低迷,終端市場需求不振,導(dǎo)致上游半導(dǎo)體制造整體收入增長放緩、整體產(chǎn)能利用率處于爬坡過坎階段。盡管如此,國內(nèi)晶圓制造行業(yè)仍在逆周期的建廠、擴建,以順應(yīng)未來增長的預(yù)期,此外憑借國產(chǎn)替代的東風(fēng),國內(nèi)晶圓代工廠對于國產(chǎn)設(shè)備的需求也出現(xiàn)了明顯的增長。

陛通半導(dǎo)體自2008年成立至今,公司已相繼推出了國產(chǎn)12吋PECVD&SACVD、12吋UV Cure、12吋PVD、12吋ALD、8吋PVD。2023年是陛通持續(xù)發(fā)力的一年,市場拓展迅猛,已獲得多家國內(nèi)8吋及12吋知名Foundry PVD&PECVD重復(fù)訂單;12吋PECVD已正式交付3D NAND客戶;首臺HT UV、Low-k UV、HT SiN等設(shè)備也已相繼交付;交付及驗收的設(shè)備覆蓋6/8/12吋邏輯、存儲和功率等多個領(lǐng)域。

15年技術(shù)積累,堅持“差異化創(chuàng)新”

受大環(huán)境影響,近幾年國內(nèi)Foundry/IDM對于國內(nèi)設(shè)備的關(guān)注度與日俱增,國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)出現(xiàn)了突飛猛進(jìn)的增長。從相關(guān)數(shù)據(jù)可以看出,僅2023年上半年,國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備銷售收入同比增長了71.4%,達(dá)到387.8億元。近三年來,中國大陸集成電路裝備占全球的市場份額從1.56%提升至3.11%。

陳浩在接受電子發(fā)燒友網(wǎng)采訪時表示,隨著國內(nèi)市場的向好,國內(nèi)設(shè)備市場的發(fā)展?jié)摿薮?。同時,不可否認(rèn),國內(nèi)設(shè)備廠商相較國外起步較晚,不可能做到盡善盡美,技術(shù)的發(fā)展和成熟也不是一蹴而就的,需要持續(xù)不斷的投入,陛通也是經(jīng)歷了15年的技術(shù)積累,從設(shè)備翻新業(yè)務(wù)起家,通過不斷的技術(shù)攻關(guān)和迭代,才形成自主創(chuàng)新技術(shù)。

面對國內(nèi)外競爭對手的壓力,陛通半導(dǎo)體堅持走“差異化創(chuàng)新”的發(fā)展道路,其中最佳案例就是陛通獨有的、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的“小亮旋轉(zhuǎn)”技術(shù),這是基于CVD、UV Cure和PVD磁控濺射腔的成功應(yīng)用,該技術(shù)已使用在陛通的多款產(chǎn)品上,實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,各項均勻性指標(biāo)均超過了國內(nèi)外同類產(chǎn)品。

未來陛通將繼續(xù)深耕技術(shù)研發(fā),形成自身的產(chǎn)品優(yōu)勢,實現(xiàn)在更多關(guān)鍵技術(shù)上的突破。在產(chǎn)品層面,公司將專注于薄膜沉積設(shè)備,做細(xì)做精,并且往多種薄膜工藝集成化平臺的方向發(fā)展,以滿足客戶對新工藝和新器件的需求。”

新需求拉升芯片產(chǎn)能,薄膜關(guān)鍵指標(biāo)的提升是未來攻關(guān)方向

2023年半導(dǎo)體市場迎來不同的增長動力,AI以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體的需求在不斷提升。那么,這些轉(zhuǎn)變陛通的客戶產(chǎn)生了哪些迫切的新的需求?與此同時,國產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備廠商需要面對哪些技術(shù)挑戰(zhàn)?

陳浩表示,生成式AI和第三代半導(dǎo)體都是行業(yè)的熱點。ChatGPT掀起算力熱潮,引領(lǐng)了AI高算力應(yīng)用場景的蓬勃發(fā)展。SiC/GaN憑借高禁帶寬度、高擊穿電壓、低電阻、高頻等優(yōu)勢,正在逐漸起勢,在汽車、公共交通、工業(yè)、光伏能源等領(lǐng)域已經(jīng)取得了大規(guī)模的應(yīng)用。近些年來,新技術(shù)及新材料的發(fā)展驅(qū)動了應(yīng)用端的持續(xù)創(chuàng)新,進(jìn)而帶動了SoC/GPUMOSFET/IGBT等的旺盛需求。

對于國內(nèi)企業(yè)來說,這將是個機遇期,上升的需求將逐步拉升芯片制造的產(chǎn)能。作為芯片生產(chǎn)線核心設(shè)備之一,薄膜沉積設(shè)備在整個芯片制造流程中應(yīng)用甚廣,工藝應(yīng)用占比高。國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備將有機會更多地覆蓋從后道至前道、從傳統(tǒng)到成熟再到先進(jìn)的各個工藝環(huán)節(jié)。

同時他也提到國內(nèi)設(shè)備廠商也面臨巨大挑戰(zhàn),例如Chiplet、TSV、HBM等超低線寬、超高深寬比的先進(jìn)制程;功率器件在超薄晶圓上的正面背面工藝,這些都對成膜環(huán)境和工藝的要求極為苛刻。這也迫使國內(nèi)薄膜沉積廠商要時刻緊跟半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展的步伐,才能應(yīng)對未來市場的變化。要做到這點,拼搏和匠心精神是必要條件,機械、電氣、軟件甚至工藝都需要持續(xù)地研發(fā)投入,對于薄膜的均勻性、顆粒度、厚金屬破片率等關(guān)鍵指標(biāo)也成為國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備廠商技術(shù)研發(fā)的聚焦點和重點攻關(guān)方向。

2024年展望

2023年半導(dǎo)體市場觸底跡象明顯,2024年整體市場有望復(fù)蘇,預(yù)計需求量將出現(xiàn)穩(wěn)步增長。國內(nèi)晶圓制造產(chǎn)線的建設(shè)和投產(chǎn)仍將處于高峰期,重點聚焦在成熟工藝,12吋邏輯生產(chǎn)線所占比重將會越來越高。第三代半導(dǎo)體也將大行其道,發(fā)展會持續(xù)提速,特別是在新能源汽車、5G、數(shù)據(jù)中心的使用場景廣泛。

對于國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商來說,在成熟工藝、傳統(tǒng)工藝、第三代半導(dǎo)體上的應(yīng)用將會呈現(xiàn)規(guī)?;鲩L;在先進(jìn)封裝和新型存儲器上,國產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備也將取得長足的發(fā)展。芯片制造行業(yè)的如火如荼,必定會牽引國內(nèi)半導(dǎo)體制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)及供應(yīng)鏈的發(fā)展,晶圓制造產(chǎn)線中設(shè)備國產(chǎn)化率的比重將會進(jìn)一步提升,從而催化國產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備在技術(shù)上不斷演進(jìn)。

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