來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技 SiSC編譯

魯汶（比利時(shí)），2023 年 12 月 14 日 — 世界領(lǐng)先的納米電子和數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心 Imec 與日本領(lǐng)先的化學(xué)公司和 EUV 薄膜供應(yīng)商三井化學(xué)今天宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將碳納米管 （CNT） 基薄膜商業(yè)化用于極紫外 （EUV） 光刻。在此次合作中，三井化學(xué)將把imec基于碳納米管的基本薄膜創(chuàng)新整合到三井化學(xué)的碳納米管薄膜技術(shù)中，以實(shí)現(xiàn)完整的生產(chǎn)規(guī)格，目標(biāo)是在2025-2026年期間將其引入高功率EUV系統(tǒng)。該簽約儀式于2023年日本半導(dǎo)體展期間在東京舉行。

該戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系旨在通過(guò)咨詢和由imec進(jìn)行的EUV掃描儀驗(yàn)證，共同開(kāi)發(fā)膜和EUV薄膜，以便在三井化學(xué)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。這些薄膜設(shè)計(jì)用于保護(hù)光掩模在EUV暴露期間免受污染，具有極高的EUV透射率（≧94%）、極低的EUV反射率和最小的光學(xué)影響，這些都是先進(jìn)半導(dǎo)體制造中高產(chǎn)量和高產(chǎn)量的關(guān)鍵特性。此外，CNT薄膜還能夠承受超過(guò)1kW的EUV功率水平，從而支持未來(lái)的EUV光源路線圖（>600W）。這些特性引起了在大批量生產(chǎn)中使用EUV光刻技術(shù)的公司的濃厚興趣。因此，雙方將共同開(kāi)發(fā)行業(yè)級(jí)CNT薄膜，以滿足市場(chǎng)需求。

“Imec在支持半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)推進(jìn)光刻路線圖方面有著悠久的歷史。自 2015 年以來(lái)，我們與整個(gè)供應(yīng)鏈的合作伙伴合作，為先進(jìn)的 EUV 光刻開(kāi)發(fā)了一種基于 CNT 的創(chuàng)新薄膜設(shè)計(jì)，“imec 高級(jí)圖案化、工藝和材料高級(jí)副總裁 Steven Scheer 說(shuō)?！拔覀兿嘈?，我們對(duì)CNT膜的計(jì)量、表征、特性和性能的深入了解將加速三井化學(xué)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。我們希望共同將碳納米管薄膜投入生產(chǎn)，用于未來(lái)幾代EUV光刻技術(shù)。

光刻路線圖預(yù)計(jì)在2025-2026年推出新的薄膜，即下一代ASML 0.33NA EUV光刻系統(tǒng)將支持功率水平為600W及以上的光源。這個(gè)時(shí)間范圍與插入超過(guò)2nm的邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)有關(guān)。

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審核編輯 黃宇