1 月 25 日，英特爾宣布成功實(shí)現(xiàn)基于先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的規(guī)?；a(chǎn)，其中亮點(diǎn)包括突破性的 3D 封裝技術(shù) Foveros。此次技術(shù)成果由美國新墨西哥州升級(jí)完善后的 Fab 9 產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)。英特爾公司執(zhí)行副總裁兼首席全球運(yùn)營官 Keyvan Esfarjani 對(duì)此感到自豪：“尖端封裝技術(shù)使英特爾在芯片產(chǎn)品性能、大小與設(shè)計(jì)應(yīng)用靈活度上獨(dú)具競(jìng)爭(zhēng)力?！?/p>

當(dāng)前，由于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入將多個(gè)‘芯?！–hiplets）整合于單一封裝的新世代，芬柯斯（Foveros）與 EMIB（嵌入式多芯片互聯(lián)橋接）等英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。它們不僅能在單個(gè)包裝內(nèi)集成十萬億個(gè)晶體管，到 2030 年代還將持續(xù)推動(dòng)摩爾定律前進(jìn)。

英特爾運(yùn)用 Foveros 的 3D 封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了計(jì)算單元以垂直方式而非水平進(jìn)行堆積的制造工藝。同時(shí)，它為英特爾及其代工廠合作伙伴提供了整合各類計(jì)算芯片、優(yōu)化成本及能源效率的可能性。

按照該公司計(jì)劃，預(yù)計(jì)至 2025 年底，3D Foveros 封裝產(chǎn)能將提升四倍。