1 月 25 日，英特爾宣布成功實現(xiàn)基于先進半導體封裝技術(shù)的規(guī)?；a(chǎn)，其中亮點包括突破性的 3D 封裝技術(shù) Foveros。此次技術(shù)成果由美國新墨西哥州升級完善后的 Fab 9 產(chǎn)線實現(xiàn)。英特爾公司執(zhí)行副總裁兼首席全球運營官 Keyvan Esfarjani 對此感到自豪：“尖端封裝技術(shù)使英特爾在芯片產(chǎn)品性能、大小與設計應用靈活度上獨具競爭力。”

當前，由于整個半導體產(chǎn)業(yè)步入將多個‘芯粒’（Chiplets）整合于單一封裝的新世代，芬柯斯（Foveros）與 EMIB（嵌入式多芯片互聯(lián)橋接）等英特爾先進封裝技術(shù)應運而生。它們不僅能在單個包裝內(nèi)集成十萬億個晶體管，到 2030 年代還將持續(xù)推動摩爾定律前進。

英特爾運用 Foveros 的 3D 封裝技術(shù)，實現(xiàn)了計算單元以垂直方式而非水平進行堆積的制造工藝。同時，它為英特爾及其代工廠合作伙伴提供了整合各類計算芯片、優(yōu)化成本及能源效率的可能性。

按照該公司計劃，預計至 2025 年底，3D Foveros 封裝產(chǎn)能將提升四倍。