在晶圓制造前道過程的不同工藝階段點(diǎn)，往往需要對(duì)wafer進(jìn)行厚度（THK）、翹曲度（Warp）、膜厚、關(guān)鍵尺寸（CD）、套刻（Overlay）精度等量測(cè)，以及缺陷檢測(cè)等；用于檢測(cè)每一步工藝后wafer加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，以及缺陷閾值下限，從而進(jìn)行工藝控制與良率管理。半導(dǎo)體前道量檢測(cè)設(shè)備，要求精度高、效率高、重復(fù)性好，量檢測(cè)設(shè)備一般會(huì)涉及光電探測(cè)、精密機(jī)械、電子與計(jì)算機(jī)技術(shù)，因此在半導(dǎo)體設(shè)備中，技術(shù)難度高。

在wafer基材加工階段，從第一代硅，第二代砷化鎵到第三代也是現(xiàn)階段熱門的碳化硅、氮化鎵襯底都是通過晶錠切片、研磨、拋光后獲得，每片襯底在各工藝后及出廠前，都要對(duì)厚度、翹曲度、彎曲度、粗糙度等幾何形貌參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)量測(cè)，需要相應(yīng)的幾何形貌量測(cè)設(shè)備。

下圖為國(guó)內(nèi)某頭部碳化硅企業(yè)產(chǎn)品規(guī)范，無(wú)論是production wafer，research wafer，還是dummy wafer，出廠前均要對(duì)幾何形貌參數(shù)進(jìn)行量測(cè)，以保證同批、不同批次產(chǎn)品的一致性、穩(wěn)定性，也能防止后序工藝由于wafer warpage過大，產(chǎn)生碎片、裂片的情況。

中圖儀器針對(duì)晶圓幾何形貌量測(cè)需求，基于在精密光學(xué)測(cè)量多年的技術(shù)積累，歷經(jīng)數(shù)載，自研了WD4000系列無(wú)圖晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)，適用于線切、研磨、拋光工藝后，進(jìn)行wafer厚度（THK）、整體厚度變化（TTV）、翹曲度（Warp）、彎曲度（Bow）等相關(guān)幾何形貌數(shù)據(jù)測(cè)量，能夠提供Thicknessmap、LTV map、Top map、Bottom map等幾何形貌圖及系列參數(shù)，有效監(jiān)測(cè)wafer形貌分布變化，從而及時(shí)管控與調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備的工藝參數(shù)，確保wafer生產(chǎn)穩(wěn)定且高效。

晶圓制造工藝環(huán)節(jié)復(fù)雜，前道制程所需要的量檢測(cè)設(shè)備種類多、技術(shù)難度高,因此也是所有半導(dǎo)體設(shè)備賽道中壁壘最高的環(huán)節(jié)。伴隨半導(dǎo)體制程的演進(jìn)，IC制造對(duì)于過程管控的要求越來越高，中圖儀器持續(xù)投入開發(fā)半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備，積極傾聽客戶需求，不斷迭代技術(shù)，WD4000系列在諸多頭部客戶端都獲得了良好反響!

千淘萬(wàn)漉雖辛苦，吹盡狂沙始到金。圖強(qiáng)鑄器、精準(zhǔn)制勝，中圖儀器與中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同成長(zhǎng)。