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一種基于AlGaAs/GaAs漸變帶隙pn結(jié)探測(cè)器的單像素智能微型光譜儀

MEMS ? 來(lái)源:兩江科技評(píng)論 ? 2024-03-06 09:32 ? 次閱讀
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導(dǎo)讀

近日,Nature 子刊《Nature Communications》(IF=16.6)以“Single-pixel p-graded-n junction spectrometers”為題發(fā)表了上海科技大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院陳佰樂、虞晶怡團(tuán)隊(duì)最新研究成果:提出了一種基于AlGaAs/GaAs漸變帶隙pn結(jié)探測(cè)器(p-graded-n junction photodetector,簡(jiǎn)稱pGn PD)的單像素智能微型光譜儀,并為光譜儀定制化設(shè)計(jì)了神經(jīng)光譜場(chǎng)(Neural Spectral Fields, NSF)光譜重建方法,實(shí)現(xiàn)了高光學(xué)靈敏度、高光譜準(zhǔn)確度和高光譜分辨率的單像素智能微型光譜儀。

研究背景

光譜測(cè)量是科學(xué)和工業(yè)研究中非常強(qiáng)大且廣泛使用的表征工具之一。傳統(tǒng)的光譜儀通常需要使用機(jī)械可移動(dòng)的部件,如光柵或邁克爾遜干涉實(shí)現(xiàn)分光,盡管能夠?qū)崿F(xiàn)超高的光譜分辨率和極寬的光譜范圍,但是其笨重的尺寸和重量阻礙了將它們集成到實(shí)驗(yàn)室光學(xué)系統(tǒng)、汽車電子系統(tǒng)、工業(yè)檢測(cè)設(shè)備,甚至是智能手機(jī)的可能。

研究亮點(diǎn)

III-V族半導(dǎo)體材料在過(guò)去的幾十年的發(fā)展中已經(jīng)成熟,并且在高性能光電探測(cè)器中得到了大量的應(yīng)用。然而常規(guī)的光電探測(cè)器通常只能檢測(cè)入射光強(qiáng)度,而無(wú)法判斷入射光的光譜信息。為得到光譜信息,需外置光柵或者多個(gè)光學(xué)濾波片結(jié)合單像素探測(cè)器進(jìn)行多次測(cè)量。 上海科技大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)首次提出并制備了一種基于材料的p-graded-n單像素光電探測(cè)器完成了對(duì)入射光的光譜檢測(cè),實(shí)現(xiàn)了光譜儀的功能。該pGn結(jié)型光譜儀通過(guò)改變pn結(jié)的工作偏壓實(shí)現(xiàn)了探測(cè)器響應(yīng)截止波長(zhǎng)動(dòng)態(tài)可調(diào)。此微型光譜儀通過(guò)了標(biāo)準(zhǔn)的III-V族半導(dǎo)體工藝制造,具有極小的面積,達(dá)到微米級(jí)別,因此具備大規(guī)模生產(chǎn)和集成的巨大潛力,并且與焦平面陣列(FPA)制備工藝兼容,未來(lái)可進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高光譜成像。

在測(cè)量未知光譜時(shí),隨著偏壓的增加,漸變帶隙PN結(jié)產(chǎn)生新的耗盡區(qū),光譜儀表現(xiàn)出更長(zhǎng)的截止波長(zhǎng)。因此,漸變帶隙PN結(jié)光譜儀具有獨(dú)特的'電壓積累'響應(yīng)矩陣:更高的電壓具有更寬的光譜響應(yīng)曲線。然而,這些曲線的重疊使得光譜重建問(wèn)題變得復(fù)雜?;贚1或L2正則化的傳統(tǒng)方法需要精細(xì)的參數(shù)調(diào)整才能實(shí)現(xiàn)高分辨率的重建。

研究團(tuán)隊(duì)提出一種全新的全自動(dòng)化人工智能光譜重建方法,從測(cè)量的電流電壓曲線中提取深度特征,然后通過(guò)神經(jīng)場(chǎng)(Neural Fields, NFs)重建連續(xù)光譜。通過(guò)進(jìn)一步的細(xì)化過(guò)程,重建的光譜函數(shù)能夠符合基于物理的光譜響應(yīng)積分約束,以實(shí)現(xiàn)更高的光譜精度。該方法只需在仿真數(shù)據(jù)集上進(jìn)行訓(xùn)練,避免了傳統(tǒng)深度學(xué)習(xí)方法需要大量訓(xùn)練用實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)的問(wèn)題。通過(guò)提出的神經(jīng)光譜場(chǎng)重建方法,漸變帶隙PN結(jié)光譜儀實(shí)現(xiàn)高達(dá)0.30 nm的光譜重建精度和高達(dá)10 nm的光譜分辨率,并且光譜范圍廣泛,涵蓋從480 nm到820 nm的范圍。

圖文速覽

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圖2漸變帶隙PN結(jié)光譜儀的結(jié)構(gòu)概述與電學(xué)性能

5eb0fc92-db0e-11ee-a297-92fbcf53809c.png

圖3漸變帶隙PN結(jié)光譜儀光譜測(cè)量流程

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圖4漸變帶隙PN結(jié)光譜儀的成像結(jié)果與陣列設(shè)計(jì)

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圖5漸變帶隙PN結(jié)光譜儀光譜測(cè)量結(jié)果

作者信息

上??萍即髮W(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院2020級(jí)博士生王景熠、2021級(jí)碩士生潘貝貝和2019級(jí)博士生王梓為本工作共同第一作者。上??萍即髮W(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院陳佰樂教授和虞晶怡教授為本工作共同通訊作者,上??萍即髮W(xué)為第一完成單位。本項(xiàng)研究器件制造得到了上??萍即髮W(xué)量子器件中心的支持。相關(guān)計(jì)算利用了上海科技大學(xué)圖信中心高性能計(jì)算平臺(tái)。

文章鏈接:

https://doi.org/10.1038/s41467-024-46066-5



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:基于AlGaAs/GaAs漸變帶隙pn結(jié)探測(cè)器的單像素智能微型光譜儀

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