在智能BMS應(yīng)用中，客戶(hù)往往面臨比較多的痛點(diǎn)，其一是低邊MOSFET作開(kāi)關(guān)時(shí)會(huì)將GND分開(kāi)，做不到連續(xù)性；其二是在使用高邊MOSFET作開(kāi)關(guān)時(shí)其驅(qū)動(dòng)變得較為復(fù)雜。

傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案有以下幾種：

使用PMOSFET作為功率開(kāi)關(guān)，優(yōu)點(diǎn)是易于驅(qū)動(dòng)，缺點(diǎn)是成本較高；

使用專(zhuān)用的高邊開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)，此種方式應(yīng)用較為廣泛，且比較成熟，但是限于半導(dǎo)體的工藝設(shè)計(jì)，在高壓電池包中應(yīng)用受限；

隔離驅(qū)動(dòng)，優(yōu)點(diǎn)是兼容高低壓的電池包，并且可以阻斷電機(jī)剎車(chē)時(shí)的反電勢(shì)。

下面首先介紹基于無(wú)錫明芯微電子MX6501T的推挽隔離電源驅(qū)動(dòng)方案

如上圖所示，QC和QD分別是BMS在高側(cè)應(yīng)用的充電管和放電管，其驅(qū)動(dòng)電壓分別由兩路來(lái)自于MX6501T的隔離電源產(chǎn)生。而充電管和放電管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)分別來(lái)自于AFE產(chǎn)生的充放電開(kāi)關(guān)信號(hào)CHA-DRV和DIS-DRV，二者在經(jīng)過(guò)光耦隔離后利用MX6501T產(chǎn)生的隔離電源進(jìn)行充放電的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。

MX6501T除了應(yīng)用于BMS以外，還可以用于光伏逆變、隔離通信、電動(dòng)工具、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

另外，若用戶(hù)需要的MOSFET的驅(qū)動(dòng)能力較小，且對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓要求精度不高，可以采用無(wú)錫明芯微MX6501T+MXPP8-30-1103套片實(shí)現(xiàn)一拖二的12V轉(zhuǎn)12V隔離驅(qū)動(dòng)方案或者M(jìn)X6501T+MXPP8-30-1250套片實(shí)現(xiàn)一拖二的5V轉(zhuǎn)12V隔離驅(qū)動(dòng)方案，原理圖如下所示：

審核編輯 黃宇