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ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD

江師大電信小希 ? 來源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2024-03-15 15:22 ? 次閱讀
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二極管的種類有很多,其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD,其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD,因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品,其trr比平面結(jié)構(gòu)的要差,因此在用于開關(guān)應(yīng)用時存在功率損耗增加的課題。針對這種課題,ROHM推出采用自有的溝槽MOS結(jié)構(gòu)、同時改善了存在權(quán)衡關(guān)系的VF和IR、并實現(xiàn)了業(yè)界超快trr的YQ系列產(chǎn)品。

“YQ系列”是繼以往支持各種電路應(yīng)用的4個SBD系列之后推出的新系列產(chǎn)品,也是ROHM首款采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的二極管。該系列利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設(shè)計,實現(xiàn)了業(yè)界超快的trr(15ns),與同樣采用溝槽MOS結(jié)構(gòu)的普通產(chǎn)品相比,trr單項的損耗降低約37%,總開關(guān)損耗降低約26%,因此,有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。另外,通過(找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城)采用溝槽MOS結(jié)構(gòu),與以往采用平面結(jié)構(gòu)的SBD相比,正向施加時的損耗VF*2和反向施加時的損耗IR*3均得到改善。這不僅可以降低在整流應(yīng)用等正向使用時的功率損耗,還可以降低對于SBD而言最令人擔(dān)心的熱失控風(fēng)險*4。這些優(yōu)勢使得該系列產(chǎn)品非常適用于容易發(fā)熱的車載LED前照燈的驅(qū)動電路、xEV用的DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要進行高速開關(guān)的應(yīng)用。

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新產(chǎn)品從2023年12月起全部投入量產(chǎn)(樣品價格:300日元~/個,不含稅)。今后,ROHM將持續(xù)努力提高從低耐壓到高耐壓半導(dǎo)體元器件的品質(zhì),并繼續(xù)加強別具特色的產(chǎn)品陣容,為應(yīng)用產(chǎn)品進一步實現(xiàn)小型化和更低功耗貢獻力量。

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<關(guān)于SBD的溝槽MOS結(jié)構(gòu)>

溝槽MOS結(jié)構(gòu)是在外延層中形成溝槽(溝槽MOS)并用多晶硅填充的結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)可以緩和電場集中,從而可以降低外延層的電阻率,在正向施加時VF更低。另外,當(dāng)反向施加時,可以緩和電場集中現(xiàn)象,從而實現(xiàn)更低的IR。前述的“YQ系列”通過采用這種溝槽MOS結(jié)構(gòu),與以往產(chǎn)品相比,VF改善了約7%,IR改善了約82%。另一方面,在普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)中,寄生電容(元器件中的電阻分量)較大,因此trr要比平面結(jié)構(gòu)的差?!癥Q系列”不僅改善了VF和IR,而且還利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)設(shè)計,實現(xiàn)了約15ns的業(yè)界超快trr。由于可將開關(guān)時的損耗降低約26%,因此非常有助于降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。

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<應(yīng)用示例>

?汽車LED前照燈 ?xEV用DC-DC轉(zhuǎn)換器 ?工業(yè)設(shè)備電源 ?照明

<產(chǎn)品陣容表>

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審核編輯 黃宇

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