3月20日，2024中國閃存市場峰會（以下簡稱“CFMS2024”）在深圳成功舉行，本屆CFMS2024以“存儲周期 激發(fā)潛能”為主題，匯聚了全球存儲產業(yè)鏈及終端應用企業(yè)，共同探討新市場形勢下的機遇。

在CFMS2024峰會上，江波龍董事長、總經理蔡華波發(fā)表了題為《突破存儲模組經營魔咒》的演講，分享公司從“存儲模組廠”向“半導體存儲品牌企業(yè)”全面轉型升級的戰(zhàn)略布局，以及如何實現(xiàn)從銷售模式到用芯服務的模式跨越。

蔡華波深入剖析了存儲模組廠當前面臨的經營痛點。隨著市場競爭的加劇，加上業(yè)務模式的先天瓶頸，傳統(tǒng)存儲模組廠目前的主流經營模式都面臨著難以突破20億美金營收的天花板。為此，江波龍已在技術、產品、供應鏈整合、品牌以及商業(yè)模式等多個維度進行創(chuàng)新布局和轉型升級，以突破存儲模組廠的經營魔咒。

研發(fā)封測一體化

夯實半導體存儲技術垂直整合實力

自研SLC NAND Flash芯片+主控芯片

蔡華波表示，江波龍堅持自主研發(fā)，并投入核心技術，目前已掌握SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash芯片設計能力，尤其在SLC NAND Flash芯片方面，已實現(xiàn)大規(guī)模的量產。Flash自研芯片的突破，不僅可更好地服務現(xiàn)有客戶的存儲需求，更能夠助力江波龍對Flash底層技術與芯片制程工藝等方面有更為全面且深入的理解，進一步提升了公司整體存儲產品質量，以及在存儲領域的綜合競爭力。

主控芯片在存儲產品中的作用舉足輕重，其重要性不言而喻。2023年下半年，公司旗下子公司慧憶微電子（WiseMem）推出WM6000（eMMC 5.1控制器）與WM5000（SD 6.1存儲卡控制器）自研主控芯片，兩款產品均采用自研LDPC算法與三星28nm先進制程工藝，其性能領先業(yè)界。今年，兩款自研主控芯片已全面進入了規(guī)模產品化階段。

從NAND Flash芯片到尖端固件算法，再到主控芯片，江波龍已實現(xiàn)了較完整的存儲芯片自主設計能力，為公司在存儲行業(yè)的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新奠定堅實基礎。同時，江波龍將保持開放合作的態(tài)度，持續(xù)加強與業(yè)界多個主控方案廠商的深入合作與互補配合，全方位滿足客戶的多樣化需求，攜手打造更優(yōu)質的存儲產品。

自有封測制造

憑借已并購的元成蘇州和智憶巴西（Zilia），以及自建的中山數據中心存儲專線等領先的封測與制造基地，江波龍已構建起自有的高端封裝測試與制造中心，全方位布局國內、海外雙循環(huán)供應鏈體系，實現(xiàn)從芯片設計、軟硬件設計、晶圓加工、封裝測試到生產制造等各個產業(yè)鏈環(huán)節(jié)的研發(fā)封測一體化，進一步夯實公司半導體存儲技術垂直整合實力。目前，Zilia已成功為全球眾多頭部品牌提供優(yōu)質服務，同時積極為中國客戶提供出海制造解決方案，助力客戶在全球市場上展現(xiàn)卓越競爭力。此外，元成蘇州已順利承接公司部分嵌入式存儲和工規(guī)級、車規(guī)級存儲的封裝測試制造任務，各項工作進展良好。

雙品牌高能存儲產品

先進技術激發(fā)存力覺醒

江波龍在峰會現(xiàn)場演示并深入介紹了公司旗下兩大品牌Lexar（雷克沙）和FORESEE在存儲應用領域的一系列創(chuàng)新技術和產品，全面展現(xiàn)了公司在消費類存儲、嵌入式存儲、工規(guī)/車規(guī)級存儲、企業(yè)級數據存儲等多個應用場景中的積極探索和成果突破。

Lexar創(chuàng)新高端存儲卡

自去年底成功發(fā)布512GB容量的NM Card后，Lexar（雷克沙）再次取得產品突破，率先推出1TB的超大容量NM Card版本，可適配多款鴻蒙OS手機/平板電腦卡槽，為用戶存儲空間擴容。該產品采用了兼容eMMC協(xié)議的WM6000自研主控，并借助元成蘇州超薄NAND堆疊技術的先進封裝工藝，成功實現(xiàn)產品化。隨著ITMA協(xié)會對中國存儲標準和NM Card協(xié)議的推廣和普及，以及終端設備的不斷迭代升級，未來將有更多機型支持這一超大容量NM Card，為用戶提供更具效益的手機擴容方案。

Lexar（雷克沙）還面向游戲、影像存儲應用推出了兩款業(yè)界領先的高端存儲卡。其中，2TB大容量的microSD Card，憑借先進的12Die堆疊技術與超薄的研磨切割工藝，克服了封裝技術瓶頸，在嚴格遵循microSD尺寸標準的基礎上，實現(xiàn)更高集成度，釋放更大的存儲空間。另一款SD 3.0存儲卡，則以205MB/s / 150MB/s的高速讀寫成為產品焦點，性能領先行業(yè)水平。這款存儲卡采用了創(chuàng)新的4Plane直寫架構，實現(xiàn)SDIO和NAND-IO雙效提速。兩款產品均搭載了WM5000自研主控和自研固件算法，為用戶帶來更流暢、更高效的存儲卡體驗。

FORESEE QLC eMMC

隨著QLC NAND Flash市場滲透率迅速攀升，江波龍把握市場趨勢，率先將先進的3D QLC技術應用于eMMC產品，推出滿足終端應用“降本擴容”需求的FORESEE QLC eMMC。該產品同樣基于WM6000自研主控、采用獨特的QLC算法和自研固件進行開發(fā)，經過公司研發(fā)團隊持續(xù)的技術優(yōu)化，已通過多項內部的嚴苛測試，并達到可量產狀態(tài)。在性能和可靠性表現(xiàn)上，該產品已能夠與TLC eMMC相媲美；在容量上，除了本次推出的512GB規(guī)格外，江波龍也已具備了實現(xiàn)1TB更大容量的技術能力，將為市場提供更多樣化的選擇。

為了滿足5G手機存儲容量日益增長的需求，公司嵌入式存儲產品FORESEE UFS2.2也已正式開啟大規(guī)模量產出貨，為智能終端市場提供高性能、大容量的存儲方案。目前，江波龍在嵌入式存儲領域已構筑起復合式存儲與分離式存儲相結合的全方位布局，并且已滿足AEC-Q100、IATF16949、PPAP等多項嚴格的車規(guī)體系標準，賦能行業(yè)創(chuàng)新。

FORESEE LPCAMM2內存新形態(tài)

在此次CFMS峰會中，江波龍還發(fā)布了FORESEE LPCAMM2（16GB / 32GB / 64GB），該產品以其獨特的128bit位寬設計，實現(xiàn)了內存形態(tài)的新突破，有望打通PC和手機存儲應用場景。與傳統(tǒng)的SODIMM形態(tài)相比，LPCAMM2的體積減少了近60%，能效提升了近70%，功耗減少了近50%，同時其速率高達9600Mbps，遠超DDR5 SODIMM的6400Mbps，打破傳統(tǒng)的內存速度瓶頸。相較于on board的LPDDR產品，LPCAMM2靈活的模塊化外形不僅具備出色的可擴展性，還為終端設備提供了更高的可維護性，助力客戶降低售后難度并實現(xiàn)更便捷升級。

LPCAMM2這一創(chuàng)新形態(tài)為AI終端、商用設備、超薄筆記本等對小體積有嚴格要求的應用場景帶來了性能和能效的飛躍性提升，將有望引領內存發(fā)展的主流方向。未來，F(xiàn)ORESEE LPCAMM2內存產品的容量將隨著技術發(fā)展和客戶需求而逐步提升。

FORESEE CXL 2.0內存拓展模塊

近年來，江波龍開啟重投入模式，在企業(yè)級存儲研發(fā)領域持續(xù)加大力度，打造eSSD+RDIMM產品應用組合和數據中心存儲制造專線，目前已突破了多個領域的行業(yè)標桿客戶，實現(xiàn)大規(guī)模量產和交付。

隨著AI的快速發(fā)展，計算密集型工作負載對存儲的低延遲、高帶寬提出了前所未有的高要求。Compute Express Link（CXL）互連技術為數據中心的性能和效率提升開辟了新的途徑。在前沿技術趨勢的推動下，江波龍在本次CFMS2024率先發(fā)布并現(xiàn)場演示了其首款采用自研架構設計的FORESEE CXL 2.0內存拓展模塊，支持內存池化共享，為企業(yè)級應用場景帶來全新突破。該產品通過獨特堆疊技術，能夠基于16Gb SDP顆粒實現(xiàn)128GB大容量，相比業(yè)界同期水平實現(xiàn)成本大幅度下降的優(yōu)勢。

FORESEE CXL 2.0內存拓展模塊基于 DDR5 DRAM開發(fā)，支持PCIe 5.0×8接口，理論帶寬高達32GB/s，可與支持CXL規(guī)范及E3.S接口的背板和服務器主板實現(xiàn)無縫連接，并減少高昂的內存成本和閑置的內存資源，大幅提高內存利用率，從而有效拓展服務器的內存容量并提升帶寬性能，助力HPC、云計算、AI等應用場景釋放潛能。

在容量方面，F(xiàn)ORESEE CXL 2.0內存拓展模塊可實現(xiàn)多種容量選擇，包括64GB、128GB、192GB以及正在研發(fā)中的512GB，充分滿足了用戶在不同計算應用中的存儲需求。值得一提的是，與市場上主流的32GB和64GB同類型產品相比，F(xiàn)ORESEE CXL 2.0內存拓展模塊在容量上展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。目前，FORESEE CXL 2.0內存拓展模塊與LPCAMM2產品均已做好全面量產的準備，將有序投入生產制造，以滿足市場需求。

TCM創(chuàng)新商業(yè)模式

提升存儲產業(yè)綜合競爭力

蔡華波強調，江波龍正經歷一次重大的經營模式升級。為了給Tier 1客戶提供更加穩(wěn)定供應、高效的存儲定制化解決方案服務，江波龍協(xié)同合作的上游存儲晶圓廠共同提出從傳統(tǒng)產品銷售模式向TCM（Technologies Contract Manufacturer, 技術合約制造）合作模式轉型升級。

在傳統(tǒng)銷售模式下，存儲模組廠首先從存儲原廠購買晶圓，經過研發(fā)設計、封測制造等多個環(huán)節(jié)后，再銷售給終端客戶。上游原廠與下游終端客戶因為中間環(huán)節(jié)繁雜導致溝通“斷層”，同時也難以高效匹配下游應用市場對多樣化、定制化、創(chuàng)新化的存儲產品需求。而模組廠，也需提前從原廠采購大量晶圓進行儲備，面臨產業(yè)周期帶來的巨大價格波動等挑戰(zhàn)。

TCM（技術合約制造）合作模式以實現(xiàn)上游存儲晶圓原廠和下游Tier1核心客戶高效且直接的供需信息拉通，基于確定性的供需合約，江波龍聚焦存儲解決服務平臺優(yōu)勢，融合存儲主控、固件定制開發(fā)、高端封測技術、售后服務、品牌及知識產權等能力，基于上游存儲晶圓廠或下游Tier1客戶的產品需求，高效完成存儲產品的一站式交付。從而提高存儲產業(yè)鏈從原廠、產品開發(fā)、封裝測試、產品制造到行業(yè)應用的效率和效益。

TCM模式以打造新型供需錨定關系為目標，讓產業(yè)鏈協(xié)同運作從傳統(tǒng)的“單向單工模式”升級為“雙向雙工模式”，在該種模式下，原廠可以更及時與下游Tier1客戶進行信息對接，觀察到真實市場需求，根據市場需求規(guī)劃產能和資源定價，并在技術投入上更加聚焦晶圓工藝創(chuàng)新和產能提升，而江波龍則將后續(xù)的存儲產品研發(fā)、客戶定制化、封測制造與交付等環(huán)節(jié)進行整合。同時，下游Tier1客戶在與原廠前述對接交換機制的基礎上，獲得存儲資源的穩(wěn)定供應和深度參與定價機制機會，而江波龍則會聚焦為客戶提供更加靈活、開放、透明和創(chuàng)新的定制化存儲產品和服務，從而最優(yōu)化的滿足原廠和Tier1客戶的商業(yè)訴求。

江波龍作為國內領先的半導體存儲品牌企業(yè)，可以提供從存儲芯片研發(fā)到封測制造全鏈條產業(yè)綜合服務，具備在技術、制造、服務、知識產權、質量、資金等多個維度的產業(yè)優(yōu)勢和積累，有足夠的實力整合從上游原廠到下游應用的復雜中間環(huán)節(jié)，在助力和服務原廠提高其經營效率、靈活性以及客戶滿意度的同時，共同為下游應用Tier1終端客戶提供更穩(wěn)定的存儲資源供應保障、更靈活的產品定制和技術支持、更完善的綜合服務，從而打通價值鏈的多個環(huán)節(jié)，共同構建存儲資源透明化、技術制造價值化、綜合服務定制化、交付效率最大化、交易成本最低化的全新合作生態(tài)，提升存儲產業(yè)綜合競爭力。

定制化業(yè)務獨立運營

服務精準聚焦

蔡華波指出，江波龍原有的傳統(tǒng)定制化和銷售業(yè)務，將交由全資子公司邁仕渡電子（Mestor）全面承接并獨立運營，進一步優(yōu)化公司的整體業(yè)務布局，實現(xiàn)多點協(xié)同、高效發(fā)展。邁仕渡電子專注通用存儲器的研發(fā)、制造與銷售，擁有多樣化產品線與獨立的生產制造能力，為國內外客戶提供專業(yè)、高效的OEM/ODM/DMS存儲服務。

2024年也是江波龍存儲事業(yè)發(fā)展里程的第25年，歷經多個階段的轉型和革新，公司已由之前的模組產品模式向存儲綜合服務模式轉變、由銷售模式向用芯服務跨越。未來，公司將持續(xù)深耕半導體存儲領域，力求在經營模式升級、技術創(chuàng)新、品牌成長上取得更多新突破，向著半導體存儲品牌企業(yè)穩(wěn)步邁進。

*上述產品數據均來源于江波龍內部測試

實際性能因設備差異，可能有所不同