AO8810 TSSOP-8 共漏雙n通道增強(qiáng)模場效應(yīng)晶體管
概述
AO8810/L采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V的操作。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。它是ESD保護(hù)。AO8810和AO8810L的電性相同。-符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)-AO8810L不含鹵素
特征
VDS (V) = 20V
ID = 7 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20m? (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 21m? (VGS = 4.0V)
RDS(ON) < 22m? (VGS = 3.1V)
RDS(ON) < 24m? (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 32m? (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM
審核編輯 黃宇
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場效應(yīng)晶體管
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