作為提高效率和優(yōu)化熱管理的理想解決方案,SiC技術(shù)在應(yīng)用端需求的刺激下快速迭代。
為適用不同需求的高能效供電應(yīng)用,安森美(onsemi)推出了全新M3S1200V EliteSiC功率集成模塊。
全新SiC模塊,豐富產(chǎn)品組合
針對(duì)關(guān)鍵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),安森美推出全新M3S1200V EliteSiC功率集成模塊。
該方案擁有全面、豐富的產(chǎn)品組合,輸出功率范圍由25kW可靈活擴(kuò)展至100kW,非常適用于電動(dòng)汽車(chē)直流超快速充電樁及電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)的應(yīng)用場(chǎng)景,以滿(mǎn)足不同需求的高能效供電解決方案。
審核編輯:劉清
-
電動(dòng)汽車(chē)
+關(guān)注
關(guān)注
156文章
12619瀏覽量
236901 -
安森美
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
1906瀏覽量
95626 -
充電樁
+關(guān)注
關(guān)注
155文章
3052瀏覽量
89657 -
電池儲(chǔ)能
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
124瀏覽量
11294 -
SiC模塊
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
47瀏覽量
6329
原文標(biāo)題:輸出功率可擴(kuò)展至100kW,安森美新型SiC模塊為高能效應(yīng)用提供助力
文章出處:【微信號(hào):onsemi-china,微信公眾號(hào):安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析
6ED2230S12T:1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
安森美推出采用T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET
安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析
安森美SiC MOSFET:NVBG070N120M3S解析與應(yīng)用
基于onsemi EVBUM2880G-EVB評(píng)估板的1200V SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)與應(yīng)用
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H橋功率模塊技術(shù)解析
安森美PCIM Asia 2025汽車(chē)領(lǐng)域展品搶先看
安森美為小米的YU7電動(dòng)SUV系列提供產(chǎn)品和技術(shù)支持
新品 | 針對(duì)車(chē)載充電和電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊
安森美EliteSiC SPM31智能功率模塊有哪些亮點(diǎn)
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
安森美推出了一款全新M3S 1200V EliteSiC功率集成模塊
評(píng)論