來源：半導體行業(yè)觀察，謝謝

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全球第二大內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士公司計劃到 2046 年投資超過 120 萬億韓元（907 億美元），在韓國京畿道龍仁半導體集群建設全球最大的芯片生產(chǎn)設施。

該公司周四表示，將于明年三月開始建設該設施四個單元中的第一個單元。SK 海力士補充說，第一個單元將是世界上最大的三層制造工廠。

據(jù)該公司稱，第一個單元的工地已完成約 35%。自2019年首次宣布該計劃以來，由于許可程序，其開發(fā)一直被推遲；SK 海力士表示，通過政府、市政府和公司之間的協(xié)議，該項目于 2022 年重新獲得關注。

貿(mào)易部長安德根周四視察了現(xiàn)場。他承諾，政府將支持韓國芯片產(chǎn)業(yè)建設相關基礎設施，確保無與倫比的技術，擴大出口，并加強材料、零部件和設備以及芯片設計和銷售等關鍵領域的健康生態(tài)系統(tǒng)。

上個月，貿(mào)易部成立了一個工作組，重點關注 SK 海力士半導體集群的電力供應。

當局本月將宣布一項針對該國七個專門從事先進和戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)（包括半導體集群）的綜合體的全面支持計劃。

到6月底，政府將公布加速人工智能芯片出口和加強半導體設備的戰(zhàn)略。

“所有部門將共同努力，確保韓國企業(yè)在半導體制造速度方面不會落后于全球企業(yè)。我們將積極支持高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，以實現(xiàn)今年半導體出口超過1200億美元。”

三星和SK海力士，爭霸HBM

三星電子和SK海力士正在激烈競爭人工智能存儲芯片領域的領先地位。

SK目前率先量產(chǎn)第五代AI存儲芯片HBM3E DRAM，處于市場領先地位，并將其供應給美國AI芯片設計巨頭Nvidia。作為回應，三星正在開發(fā)業(yè)界首款 12 堆棧 HBM3E DRAM，Nvidia 正在測試該產(chǎn)品的潛在用途。這凸顯了兩家公司在人工智能存儲芯片領域主導地位的激烈競爭。

周二，SK海力士宣布量產(chǎn)全球首款HBM3E，并確認計劃在3月下旬開始向主要客戶發(fā)貨。HBM 是高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory）的縮寫，作為人工智能芯片的重要組成部分，其重要性日益凸顯。HBM 技術通過垂直連接多個 DRAM 徹底改變了數(shù)據(jù)處理速度。

SK海力士宣布了向英偉達供應八層芯片的獨家協(xié)議，英偉達占據(jù)了人工智能芯片市場80%以上的份額。SK 的 HBM3E 將集成到 Nvidia 即將推出的下一代 AI 芯片 Blackwell 中，該芯片定于今年第四季度發(fā)布，繼第二季度發(fā)布的另一款 AI 芯片 GH200 后。

該公司表示，其 HBM3E 在人工智能存儲芯片所必需的所有關鍵方面（包括速度和熱控制）都擁有業(yè)界最高水平的性能。

市場研究機構 TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，去年，SK 海力士領先于內(nèi)存半導體競爭對手三星電子和美光，占據(jù)了 53% 的市場份額。

SK 海力士 HBM 業(yè)務負責人 Ryu Sung-soo 表示：“憑借 HBM 業(yè)務的成功故事以及多年來與客戶建立的牢固合作伙伴關系，SK 海力士將鞏固其作為全面 AI 內(nèi)存提供商的地位?！?/p>

為了追趕領先者，三星也在今年2月宣布成功開發(fā)出業(yè)界首款12棧HBM3E DRAM，并稱將于今年上半年開始量產(chǎn)。

三星和 SK 均在 Nvidia GTC 活動上推出了最新的 HBM 產(chǎn)品。

周二（當?shù)貢r間）在 GTC 活動期間舉行的媒體發(fā)布會上，英偉達創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛表示，三星和 SK 海力士是重要客戶，他們的合作伙伴關系正在幫助英偉達發(fā)展其 AI 芯片業(yè)務。黃還提到，盡管該公司目前沒有使用三星的產(chǎn)品，但英偉達正在進行測試以評估這些產(chǎn)品的潛在附加值。

“我還沒有使用三星的HBM3E。我目前正在驗證它，”黃說?！半S著生成式AI的出現(xiàn)，所有數(shù)據(jù)中心的DDR RAM都將被HBM取代，三星和SK海力士的升級周期將是巨大的?！?/p>

三星芯片部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示，該公司的目標是在未來兩到三年內(nèi)憑借包括尖端 AI 存儲半導體在內(nèi)的最新技術重新奪回全球半導體市場的頭把交椅。

Kyung 周三在京畿道水原市舉行的股東年度會議上表示：“這將是半導體行業(yè)全面復蘇和增長的一年?！?“我們計劃在兩到三年內(nèi)重新奪回半導體行業(yè)的第一把交椅?！?/p>

為此，該公司表示，其目標是通過使用 12 納米制造技術開發(fā) DDR5 DRAM 來引領市場，并以其 12 層堆疊 HBM 產(chǎn)品確保在 HBM 市場的主導地位。

審核編輯 黃宇